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用transmission gate 模擬電阻約40k2 \" P& x% l6 v9 [
(附上HSPICE)
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: @; d* `2 R+ xMrn vi vdd vo gnd nch5 l=3u w=1u
7 M# @8 j! Z; fMrp vi gnd vo vdd pch5 l=3u w=1u
, j! E- v; @7 e
/ W" o9 e% G2 H% l( _ u vi vi gnd dc 3.7v
4 r+ \6 ?. K! U6 s- yvdd vdd gnd dc 5v
4 L" n* n* N8 i1 g7 T( n" E.op
+ E. L7 D L8 Q& G v/ g.option post
8 c3 X2 p2 r& s. b2 S.dc vi 0 5 0.01
9 j# u3 ?* i" [& X2 u.print |(Mrp)|(Mrn)rp=par('1/lx8(Mrp)')rn=par('1/lx8(Mrn)'), ^+ p/ s( W! A# O
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.end
- o/ W* e3 U9 P, m8 @& A# i) ]3 t( |1 Q/ m9 N, b% f
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, O* a, E' O, x問題是VI灌3.7時,發現MRN會進入截止區
, A" [5 i. W8 k3 P/ D. p7 j& M: ^6 o但....模擬圖還是顯示R=40K,請問這種T.R電阻還可以用嗎?還是兩個MOS都要在SAT區? |
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