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[問題求助] 有關於hi V製程

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1#
發表於 2007-11-1 01:31:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位學長姐好. e- E! U* e+ k5 _, W' r5 m- M

+ [' t/ g8 i% ~- I0 j# |  O在最近剛要踏入IC Layout 的工作,但公司屬於高壓製程,所畫的圖百分之八十也是屬於analog,但是我上的課程裡是屬於較基本,製程
  e# u" d) H5 P# u3 {, \( {' K, d1 c" o6 }7 W
也是0.18,公司屬於0.6。在沒有接觸過的情形下想要先在版上先問問各位學長姐們,有沒有一些我在畫大電壓的的同時我需注意的一些地方,
; @9 }$ y, P) f, q
- Y# R' \7 C2 ]1 Y在工作時拖累一個團隊是我最不喜歡的工作態度,所以真的要麻煩各位學長姐了,先給個方向,讓我可以先準備,投入職場時先有個準備
) `+ Q1 E+ }0 O$ K( _2 I  h  H5 |, J' q7 g
還有一個就是屬於guard ring的部份,guard ring到底是防止Latch up 還是阻絕Noise 還有板上有沒有人畫過三層guard ring的,可以
, H5 w) E4 D/ ^  i. k; |' m1 a* }" _: t/ T5 E& E/ f- d; y
說明一下三層guard ring大概的圖層嗎& f/ v) S) P& M- a& L; c+ ?

. S7 G9 H& s, y% O. \& R謝謝各位學長姐了
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2#
發表於 2007-11-1 10:01:44 | 只看該作者
我建議先把Design rule看熟,其實裡面就有許多小問題,在提出來詢問會比較有效率$ S, H: [# J: M, X
- ~- l& S4 f  e0 I* o$ N
guard ring 是阻絕Noise 
  m& ~6 k) i# D- t) E5 S  W: E- u" j; t- v% i9 N$ {6 |9 u
一般2層就很多了,3層你可以跟Designer討論,一般Analog部分是要跟Designer互相討論才知道需求在哪
3#
發表於 2007-11-1 14:16:56 | 只看該作者
關於guard ring,應該是防latch up跟抗雜訊都有,我聽過2個designer說法3 A2 P( a; Y3 s. @( l+ i6 r+ Z
一個的說法是,由於mos在動作時會有一些電子電洞之類的東西,游離出來
" k" Z. L2 q) I,包guard ring的目的,就是以相反的型態去吸收那些電子電洞,
0 K9 J* K! c) J9 X% z+ E/ ^! S' a一個說法是mos跟guard ring的架構,會形成一些pn介面,變成類似diode或
8 n$ a  S' m% l& G, r/ U+ r+ [; [- o: Ubjt的元件,不過它的等效電路圖,我不太會畫.( ]2 e* [  I! F2 e- p1 p
以上是2個designer的說法,如果有誤,還請先進指教.
4#
發表於 2007-11-1 21:06:09 | 只看該作者
这两个作用都有,
* t0 ]+ |! T# [* X! B那个图我也不知道要用什么话,不过拉扎维的那本analog design 上好像有讲,0 p0 J2 H- ?5 ~/ B% r& f2 C
楼主如果很想知道,可以看看那本书
5#
 樓主| 發表於 2007-11-2 00:03:58 | 只看該作者
謝謝學長的回應囉,不過我也是在等工作時拿到Design Rule 拿到在來看看自己是否有什麼問題
6#
發表於 2007-11-2 10:10:14 | 只看該作者
高壓要注意NBL這個LAYER,有ISO_NMOS要特別注意畫法,
6 H9 y/ i  s0 F+ {" \% A' Y2 C高壓的NMOS以及低壓NMOS各有不同,06U12V嗎?建議你可
5 Q  A$ m% n" i, H/ R  e: B. s! d" ?/ h以調你們公司以前出過相同製程的案子來做參考,這樣就不會- G" ]- v( ]; e( J) h
那麼有疑慮了,DOUBLE GUARDRING就夠了。
; j  ?& s( @8 |) c+ U' U2 C& p忘了說,若是非對稱的高壓DEVICE要注意製程偏移問題。
7#
 樓主| 發表於 2007-11-3 00:10:45 | 只看該作者
HI v製程有沒有可以邊畫邊學的電路,一直有人說畫OP會遇到很多的問題
, z  n& p6 u7 x- h( M( `
& S$ k" v$ R; {: T: ~) Z% I4 d" v可以在問題中學習,但是HI V 是不是也是一樣畫畫OP哩,還是有其他的電路! {9 X- U& r6 A( L

6 s2 K8 O* N  _+ \& H* v可以邊做邊學。
0 S# q6 v' H+ n! [# c1 f
8 e) ?" q! p, q/ q謝謝學長的幫助
8#
發表於 2007-11-3 07:07:46 | 只看該作者
analog circuit不是只有OP喔,廣義而言只要是信號連續時間(非digital)的變化,就算是analog的一種。
$ @, `4 v$ T/ ^5 `/ g; {  p% P/ B6 g. B7 q, R& t% u/ L
至於high voltage是指device(如 Capacitor、Diode、NMOS、PMON.....)為high volage製成,非只是有OP circuit。
9#
發表於 2007-11-5 19:41:14 | 只看該作者
latch up會造成等效於SCR,guard ring這些作用都有,但是是不太一樣的東西,也要製程有提供那麼多層。' G% ^  ^# S# s# B+ O

; R/ r- J% ]0 z+ n1 tmos動作的時候產生少數電子電洞這算是少數載子也就是漏電流吧?不知道是否高壓的雜訊與普通類比的相同,低頻雜訊我所知道的除了white noise以外,flick noise主要是由於電子在通道表面那邊產生的東西。圈起來主要是怕被其他地方影響到,對於該區域而言其他地方來的不明訊號就是雜訊吧?不過畫多層點至少可以防止電壓去擊穿跑到別地方去。) U& w1 c2 p) V  J9 T/ }$ X- v

( E# u+ O; j; S[ 本帖最後由 ianme 於 2007-11-5 07:45 PM 編輯 ]
10#
發表於 2008-3-27 15:05:20 | 只看該作者
guard ring 通常用來隔絕noise ,但是如果使用在一個mos上做guard ring 又當sub點的話又可達到防止latch up
  g0 o+ Q. ?- G- U& j- L要看layout 時運用了,但是用太多又會佔很多面積哦,這是要考量的
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