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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
. R4 I: ?) I6 G0 O所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢4 B: {7 I/ j0 E$ Y
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
" d9 [! p9 T* H, D- f
$ U5 d0 D6 }: u
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
- f5 w6 ^" P% r3 v你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧- e- B. C' r& B
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,
) Z- D/ ]$ f' W2 X1 O" k% b+ M  j" j) [% h# {) n
至於說要怎麼設計?/ }+ {& @3 \9 T5 p) @
2 W# b4 `7 y% t) I+ ?/ n2 e3 \  i$ h/ i
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
* i( r1 U. N2 e( J# C9 Y  {; V2 A) V5 _/ c3 g  }
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
7 n& S# P) \& L0 A& t0 @
4 Q. d* S% Q, ^; l至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說' v5 `5 \* ?$ |( e/ x: N
不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃+ J" @2 H, T( d# `/ }7 d
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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