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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻  X1 m# t# L* a9 A6 ^
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
& p( e+ a* z# t, M$ ~有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~ 8 F4 G" \+ r( v

* Q- J- [5 \, @1 M" z+ n+ u
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的: W2 X8 b5 R4 Z0 H
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧6 s& L) ]; G) W1 S
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,) A9 ]9 {) T" K& d& U- }4 a

6 K1 K# z0 l* \至於說要怎麼設計?
) J1 O3 N1 W" W( @2 T1 A8 v! b8 K' n- G- @# X# E
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
) l7 ^! }! |5 H# {
5 N- X) z$ k; h3 ?+ US/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可8 Z, q! I$ I/ h9 q
4 r- m2 U! }9 U$ X& [
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說; O% p9 {/ ]- U) j
不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
" y. W% i  [  i9 `+ r但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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