deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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% [2 D- [4 ]% F2 S發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well

" v( B' S" `& ?1 d0 T我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地

而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它

" A: ?/ I% {; \( v9 V+ m; R在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道

它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
& P* c& @% v* h# z/ R
9 S  q4 v' Q+ K- |' Y7 T2 `& x3 A9 i那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電

路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer
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! X' |# M/ t5 x  e9 \' _+ ~2 [9 b一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

9 t. o1 N. s7 @0 E( ^那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)

+ D! }. O$ t$ {7 N3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？

而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
- z- i1 G  g. G4 F! M5 a上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
! T. l( F8 C3 f, c可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
: B9 S0 ~1 _, Q4 [. Z如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
0 p' x2 `: R7 B6 k$ x) j% ~7 H有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的