deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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$ k( ^% v! @: y( W5 w9 x發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well

5 y7 m$ s% {* M* p3 n1 w) Z我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地

而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
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# d( n+ A: H* P" U, B1 w在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道

5 z" f: c8 S8 c! f它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地

那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
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路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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! Q  P7 V) @2 l* S* ], sdeep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？
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9 ~& t% b0 R$ H+ ~0 U8 b那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
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3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
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而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
4 e7 K, E/ T' G% K: j5 z) P5 P過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
8 Q7 H! A8 Y" q) u9 P上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
. u8 h1 Z  s/ ~- B% t8 e' O可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
) R" f: E, ^( m可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
; c, b7 |4 _/ S0 H' N如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
. Q- ]$ P2 E8 \! K有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的