不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

8 \: T( r) s$ A- J0 L2 q想請問各位大大

我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)

! L7 s4 S! s  o# x9 i1 q. \還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。

: b# k2 [6 }! i5 N; k  x小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近
6 J) `- G& H- r
但是有約有50mV的偏移。


2 K3 M; ^( n; |! m2 E這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
3 D7 m8 ?+ B' g& J9 Q0 T' i) {+ N實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

1 T2 x- g1 y7 ^
% V' {8 D- s! A4 a恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
" P& C: L2 k. ?你可以去google找curvature compensation bandgape
可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣