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[問題求助] OP的MOS問題

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1#
發表於 2010-12-4 23:28:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
" K& R/ `6 O9 o, d9 A8 x
各位前輩好- f; h0 o3 c3 i. W
       我是剛接觸IC的新手,我現在要做一個簡單的的OP,電路圖如圖3,圖3是電路圖M5的部份,那是之前畢業的學姐做的,我想請問一下,為何他的Layout是像圖2,. T4 c- f: ?; P% z
他不是就是個PMOS嗎?為什麼它的Layout會變成這樣?是有什麼考量嗎?麻煩各位大大幫我解惑...感恩萬分!!!

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2#
發表於 2010-12-6 13:32:18 | 只看該作者
那個layout 看起來像是 M1 和 M2 0 J) q6 {: E! G$ K/ v& B' o& z
是電流鏡, 要做  對稱ㄉ ( match ). W' l. M2 _* ?' W
加上 body 接在 M5 的 D
& a2 n; r1 z& X' t/ T! z, K8 c所以才單獨做吧
3#
發表於 2011-1-11 22:29:55 | 只看該作者
把他圍起來這叫做guard ring 用來避免雜訊干擾* R& h) _5 ?* c- H8 E
) H; u8 x# M9 W# S( {  j1 s1 S
類比電路的部分要特別小心雜訊問題
4#
發表於 2011-1-22 01:10:59 | 只看該作者
感謝大大的分享
4 r$ a$ |5 N) P. A知識因分享而壯大~~~嘻~~~
5#
發表於 2011-1-25 01:36:58 | 只看該作者
m5是那顆op的tail current, mos的畫法應該只是一般的multi-finger,9 Q: i: Q& U& O, m. N
外面包guard ring應該是不希望電流源受到干擾
6#
發表於 2011-7-13 12:30:03 | 只看該作者
說真的,這並是電流鏡的一部份吧,但跟差動沒有關係,"感覺是把電晶體當一個等效電阻",看了許多電子學課本及電路來的經驗<PS高職課本也有寫,林均電子學也有寫、史密司電子學也有寫>。至於圍RING是看當時的LAYOUT的考量。都說是電路圖的M5了,怎麼會跟差動對有關係咧。要有關係的話,應該是電流平均分散給差動對的關係吧。
7#
發表於 2011-9-15 14:28:38 | 只看該作者
就一般圍了RING的MOS 防止雜訊干擾囉
8#
發表於 2011-11-2 10:38:17 | 只看該作者
一般類比電路較注意雜訊問題,( e$ ?: Z1 O" M: |7 E
因此加guard ring是常見的做法~
9#
發表於 2011-11-17 02:25:53 | 只看該作者
M5 M6 M10 M11 如果源端电位相同的话  他们是电流镜 因为他们的Vgs 是一样的
10#
發表於 2012-5-12 21:48:44 | 只看該作者
好複雜!!可以教我嗎?好複雜阿!!!
11#
發表於 2012-5-17 10:50:27 | 只看該作者
M5和M8畫在一起,' k7 e# h% S  _# L# Y
共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,
2 {* g" T0 R# Z就是這麼簡單
12#
發表於 2012-6-13 11:29:11 | 只看該作者
沒有什麼特殊之處,就單純用Ring圍起來而已6 \7 ^' A. E6 c: b
通常擺法會是
6 n. w7 \/ |. KM5、M8(PMOS)$ P, ^& X4 U. S# |' ~" h8 i' e6 L
M3、M4、M7(NMOS)+ Q+ W# h$ n2 [+ h9 h9 i& r/ Q2 F
M1、M2(PMOS): T9 @7 J& N/ O5 \( L

3 U. L* H7 u  i1 d因為M1、M2的Well電位跟M5、M8不同,擺在附近的話會因為DRC的關係浪費不少空間2 U' O8 w1 A0 j
不過實際情況都要看所有電路而定
13#
發表於 2013-1-28 16:55:31 | 只看該作者
回復 10# 930709 & H0 b4 j0 R( \5 g7 a& J' ?

. j8 ~" p2 B8 K* w! N. Q4 u* z8 r
. `6 E0 q5 M9 q: m5 Y6 g    9 {1 U2 \8 w) q/ ]+ R

+ e" x7 P# B) _, MM1 M2 像這樣畫嗎?

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