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各位大大們.... M0 c# p- I7 w/ H1 y6 [9 Y
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小弟最近在研究BandGap,小弟電路是Razavi 類比CMOS積體電路設計(中文書)P11-13 圖11.20
8 u p$ v' b1 E- @6 ^, H* L/ l原文請參考 Ch11 11.4 PTAT Current Generation8 w6 Y0 B( x" _7 `* h' |, K- W/ c1 u
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架構完全一樣,只是加了簡易的start-up,在跑pre-sim時,所跑出的curvature非常理想,呈現如二階效應(呈現平躺的S型曲線),1 O' X3 D9 |5 n) p7 Q
但在小弟畫完layout後,跑post-sim,跑出的curvature在temp=0~60中間(sweep -40 125 1),出現疑似不收斂的突波,這一段在pre-sim原為最平坦的地方,8 z! c/ j5 u( [
後來,小弟查看了hspice的手冊,其中提到.option reltol,小弟原始設定為.option reltol=1e-6,後改至.option reltol=1e-2,便可收斂,8 |& x: j/ \& O
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因為DC analysis只是將tran analysis的工作點分析,實際電路必定合乎實際操作,; J. o8 V- V, h$ `- ^
所以小弟run .tran去看(.tran T_step T_stop sweep temp -40 125 1),1 @+ c/ A% T& I9 C7 L
跑出的.tr檔,利用SX的Equation Builder,轉換後的curvature,卻與pre-sim curve近乎相同(當然volatge有增減),
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# ]- G6 |6 O p% Y0 p/ C問題來了...
1 n0 e" ~ z+ |4 p; y+ m8 k6 a v3 N' p1. reltol=1e-6不收斂(curve有突波),reltol=1e-6收斂!!5 P' e1 ]3 `. v6 U( ^, P0 v4 v
說是收斂,其實只是將解析度變差,使其忽略(自感),不知是否是這樣!?& R- ]5 o; {6 \6 S- _/ ]
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2. .tran是實際電路仿真,在.tran是OK的,.DC卻不OK,這是否代表電路上有"不確定點"的問題。
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曾經聽過教授說,在做模擬時,我們必須先確認與相信所有Tool、process、command都是OK情況下,
) m3 I6 R' b7 J2 R/ [: ^在模擬上有異常,必定代表電路有誤,
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不知道大家有沒有什麼經驗與建議,讓小弟分享您的血汗... |
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