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各位大大們...$ d4 K/ s; y) E. m a% }2 x% K4 E0 e
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小弟最近在研究BandGap,小弟電路是Razavi 類比CMOS積體電路設計(中文書)P11-13 圖11.20
+ @) r: { ]% F: i原文請參考 Ch11 11.4 PTAT Current Generation
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架構完全一樣,只是加了簡易的start-up,在跑pre-sim時,所跑出的curvature非常理想,呈現如二階效應(呈現平躺的S型曲線),5 o1 K2 \, m1 A! j
但在小弟畫完layout後,跑post-sim,跑出的curvature在temp=0~60中間(sweep -40 125 1),出現疑似不收斂的突波,這一段在pre-sim原為最平坦的地方,
8 c7 B4 m" s& w0 K! S: T後來,小弟查看了hspice的手冊,其中提到.option reltol,小弟原始設定為.option reltol=1e-6,後改至.option reltol=1e-2,便可收斂,+ B9 n4 j* c- V2 x0 X) P
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因為DC analysis只是將tran analysis的工作點分析,實際電路必定合乎實際操作,
. w, M. x* @- d, A8 S所以小弟run .tran去看(.tran T_step T_stop sweep temp -40 125 1),
+ D# k% ?% H2 b) u跑出的.tr檔,利用SX的Equation Builder,轉換後的curvature,卻與pre-sim curve近乎相同(當然volatge有增減),
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% t; i! U/ U$ I8 l; x/ L問題來了...
( u6 |9 G7 G7 W; W7 V1. reltol=1e-6不收斂(curve有突波),reltol=1e-6收斂!!5 G& h+ E) m4 @8 P) M! J! c; o* @
說是收斂,其實只是將解析度變差,使其忽略(自感),不知是否是這樣!?: w& ` ?/ w* J, i P
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2. .tran是實際電路仿真,在.tran是OK的,.DC卻不OK,這是否代表電路上有"不確定點"的問題。% }& [; I7 R1 d1 R' `* e
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4 l) b' Z n: b. s曾經聽過教授說,在做模擬時,我們必須先確認與相信所有Tool、process、command都是OK情況下,
2 ]( [% L2 j0 O1 n [- p, ^在模擬上有異常,必定代表電路有誤,
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不知道大家有沒有什麼經驗與建議,讓小弟分享您的血汗... |
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