群聯支援43奈米晶片6月量產 隨身碟首先導入

jiming

全力支援母公司東芝　SD卡預計3Q量產
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配合母公司東芝(Toshiba)下世代43奈米製程晶片第2季末即將大量產出，群聯支援43奈米製程的控制晶片也將於6月正式量產，預計可支援24bit的ECC(Error Correction Code)功能，為下世代NAND Flash產品作準備；根據初步規劃，群聯預計首批導入43奈米製程的NAND Flash，將是隨身碟產品線，SD卡預計也會在第3季導入43奈米製程。

NAND Flash大廠的50奈米製程在第1季位居主流地位，目前各廠已逐漸導入下世代製程，包括東芝43奈米製程的NAND Flash即將量產，還有海力士(Hynix)的48奈米、三星(Samsung)的40奈米，以及直接跳到35奈米製程的英特爾(Intel)，預計在第2季底到第3季之間，慢慢增加產出。
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東芝的43奈米製程NAND Flash晶片，預計將於6月大量產出，為了配合母公司的進度，群聯支援43奈米製程的控制晶片預計也將在6月底前量產，預計第1個導入的產品會是隨身碟，第3季再導入於SD卡產品線上，全然配合東芝43奈米製程NAND Flash晶片的量產進度。
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. `8 `. v% F3 n5 G4 Y群聯指出，支援50奈米的NAND Flash晶片是可矯正12bit的ECC，到了43奈米製程世代，預計可矯正24bit的ECC功能，配合NAND Flash晶片世代演進。
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1 [) v  I% g4 J) Y, GECC修正能力主要是用來輔助NAND Flash晶片的功能，協助導入在各種終端產品上，加強NAND Flash進入消費性電子產品和個人電腦(PC)的速度，未來ECC的矯正功能也會增進至32bit，隨著40奈米和30奈米製程世代來臨，控制晶片的ECC角色越來越吃重。

mitch90021

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