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[問題求助] 陶瓷電容怎樣分析

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1#
發表於 2008-11-10 15:30:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近在量測陶瓷電容發現很大的問題,原本查出原因是電容只有1M ohm,但是點久了會回覆10M ohm 後產品就正常了,加焊電容也會恢復,但是用x-ray 看又看不到有錫絲殘留,用三用電表量測幾次也會恢復,拆開電容重新焊也會回復,是否是電容內有何問題?要怎樣機台量測維持原狀電容不要讓她回復10M ohm 又可以找到原因,不知到哪位大大對於電容精通,可以幫忙一下,感恩感恩
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2#
發表於 2009-3-10 22:31:18 | 只看該作者
你好我以維修電路板的經驗來分享
0 u5 ], x' t1 h之前有遇過電阻用電錶電容表良都正常
0 m8 _! ~% D1 j但在板上運用在濾波上功能就無法正常! T8 l. m# ?9 r& ^1 N; T3 x+ Z' l
後來是用一總VI分析儀找出好壞電容的差異
  E& y2 u) g. {/ b; K7 p7 r! @4 [不知道對你是否有幫助" v3 K3 k& q) h& S/ H8 N
cuban@pic.com.tw
3#
發表於 2009-4-22 14:24:48 | 只看該作者
通常絕綠阻抗有問題,絕大多數是本體有crack9 W+ J- |: [. V  p
可以試試用X光機看一下是不是內部有受損
4#
 樓主| 發表於 2009-4-22 18:38:23 | 只看該作者
總於可以解決了,陶瓷電容因為裡面層次非常密,使用X-ray 無法分析,除非使用高阻計量測,量測IR 特性,如
  |' U: w4 k( ?9 o/ S" O1 N設備:HP 4339(HP是品牌惠普,後面是型號)
% f: ^; l. ~; B1 L8 z! B: s測試方法:以一倍額定電壓(10V)充電60秒量測
" q0 Q* k: x* U# b0 \6 K
& b. W; o& F* o+ l可以量測,並且當初用Thermal shock 沒有多大作用,但是改用 HAST  or pcT test
) W+ J$ ^' l- e1 \" M9 t- }% H  b" ?水汽進入IC封裝的途徑:9 K1 d  q; P, G/ i
1.IC晶片和引線框架及SMT時用的銀漿所吸收的水: L6 o2 q  Q' T5 N& i+ F
2.塑封料中吸收的水分* k" W1 ^$ ?/ @, N. S
3.塑封工作間濕度較高時對器件可能造成影響;
6 I7 j' q9 C, q' @4.包封後的器件,水汽透過塑封料以及通過塑封料和引線框架之間隙滲透進去,因為塑膠與引線框架之間只有機械性的結合,所以在引線框架之間難免出現小的空隙。3 F8 C. _) Y, P7 n  m! U& r5 S+ d
備註:只要封膠之間空隙大於3.4*10^-10m以上,水分子就可穿越封膠的防護9 W' }6 P- S8 Q6 C1 h+ o9 `
備註:氣密封裝對於水汽不敏感,一般不採用加速溫濕度試驗來評價其可靠性,而是測定其氣密性、內部水汽含量等。7 K" ]2 l5 P  ^8 ?, v+ X& Y

3 p) V, [1 [8 A- c/ N說明:PCT試驗一般稱為壓力鍋蒸煮試驗或是飽和蒸汽試驗,最主要是將待測品置於嚴苛之溫度、飽和濕度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]及壓力環境下測試,測試代測品耐高濕能力,針對印刷線路板(PCB&FPC),用來進行材料吸濕率試驗、高壓蒸煮試驗..等試驗目的,如果待測品是半導體的話,則用來測試半導體封裝之抗濕氣能力,待測品被放置嚴苛的溫濕度以及壓力環境下測試,如果半導體封裝的不好,濕氣會沿者膠體或膠體與導線架之介面滲入封裝體之中,常見的故裝原因:爆米花效應、動金屬化區域腐蝕造成之斷路、封裝體引腳間因污染造成之短路..等相關問題。
/ l7 @6 c% L" N5 Y  X0 u: }目前測試有兩種.一種為飽和蒸汽.既測試條件為121度,箱內壓力為2.04個標準大氣壓.其內部濕度在一般能保證在100%.測試時間分48H和96H兩種.主要應用於LCD和被動元件等封裝元件.
3 r2 \5 W' C. R5 h- x9 g另外一種為非飽和蒸汽.即在溫度高於100度時,箱體內濕度可以在70%-100%可以調節控制.此設備架構比較緊密,價格相對來說比較高.目前市場上好像日本的TABAYI,和德國的可以做.國內有這樣的設備廠家也為數不多!
6 r& S# t0 G$ ~! G7 Z
) ?% r* B. j  c1 D1 j飽和蒸汽測試應符合:GB2423-2-1-89 、 GB2423-3-2-89
0 |1 _9 H( U1 B
0 g& l* z% z. z% x8 u& M" H0 ?不飽和蒸汽測試應符合:IEC-60068-2-66
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