如何選擇ESD Device Contact Type？

CHIP321

) K/ @2 g) e( \! \6 `2 G' q近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
4 ~2 _) O. K- S) Q- Y查找了過去的一些Bipolar高壓片，發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring，貌似應當有不錯的均勻性。
2 @: R# f- k2 f但是咨詢了一些同仁，認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
  L2 i1 j+ a" _" N迷惑中....
如果不考慮CMP製程限制，那種方法更有效些呢？
8 U' y! M+ v% @4 p& {$ V7 T
1 n8 }; I; x+ T# y; w7 ?+ X, @

sendow

這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?

個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
8 e, \& V0 G5 x( G+ T有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
/ |* M7 \5 @) U9 I% P+ S0 c這也是現實上要考量的.

一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.