mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

lion小海

mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

lion小海

这上面人很少呀？没人发表下意见、、

andrewxj

http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

lion小海

回復 3# andrewxj


- N6 c6 |- x) F+ X. F2 }: ?6 a    谢谢。。。

despair

熟悉ESD也是Layout的基礎。
8 G) v, m$ R0 `% G
. c2 F! F5 Z1 H9 h% ^* xMOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因

( h0 i! v- K2 z0 ]除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
6 c; J) w) A" E& R: y, ^- ^* a! b讓耐受ESD的效果更好
' @) N- i2 _5 v
' A! |; x- Z6 ~# x這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
3 S0 }% j; h* r8 B$ R8 x4 V7 k有機會大家可以多交流。