關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
2 f) J, L0 ~3 Y7 \- D
參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
( c3 c* A! w- s9 ]我們的place方案是：
1: A B A B
& I. b+ R; n2 U# _5 |* A* p/ F   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
   B A A B
! ?1 o% Y9 ^) m1 R3 h: L% u對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
  h: ?. R+ S8 p- m* S' s0 s, p   B B A A
0 X( }& ~$ }1 ^6 u5 C& P& N對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻
! ?! \7 G) S; E" o: _: J+ e, ^) l
大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
- v% a3 c/ Y: x9 x3 i/ c
8 U9 J% c8 _- A4 ]. X[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
" j% ~. X  Q5 z/ \
; U: o0 q0 r$ v1 p沒人知道嗎?
& r  }8 j; r* I! J" Z/ X7 j
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
8 M) P8 Q. h( {4 @( l大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
) Y) v9 r9 S& k第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。
+ @! u0 W/ G# Y1 m6 V: V& x
& w) i% f* K3 {! t; T4 z: R0 u[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配
  [  O4 B+ N8 v
" x; N4 T8 m5 p8 ~4 ^' I' y可是為什麼電流方向不一致@@?
! U, m" z2 B( Q! J- {# |3 K
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
( g; u9 L1 F5 V& w: `1 r) ]0 N
, F9 m5 \$ \4 s- @$ k, V. j主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
* l! R9 d# H3 a$ r4 q# k6 P: V, |0 U若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
: k4 h- ]/ ~  q+ k電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

# J/ D2 L, M3 r8 f: d. \, p
. c1 p- v* H% q& f
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
) U, e( w# ~) Y7 k9 g. ~
5 Z8 K* \& R/ h+ {6 t) T我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
: a/ X# K6 ^) l如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

% Q" y) r: x5 ~  K
5 @& L8 n0 t) S  ?/ h# @# s! G
! t& I6 n( @% y% G
2 R9 R% S+ O! b* d8 D! E! m                  
/ j5 F2 z9 ]2 i% o2 X8 x& d2 w                 
請問STI效應具體指？

( f9 U" o/ `  E5 U3 K3 p                                                               
. E# Y! w6 v! S                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
3 J. w+ |: W$ e% L7 y$ R8 I  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
4 ?, k5 U* [6 q1 z8 j
如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
2 d; n7 v& N) I/ H9 wx1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
- h# ~" a# p% m. l" H# {兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

: r0 X, K& W* q3 R4 A, k+ j5 x
方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
& Y( g6 G# ^6 J+ C' N我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

- z$ ]3 s* {$ l2 m" o( e4 l; y
! P) W' O4 ^/ z) I
    何解? RD不一定正確吧?