弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
. U4 V7 Q3 K) z  U6 Q+ ^! F    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
! Z! k- G  L& C- E& t    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
9 \0 {0 R( B6 w0 P$ q6 Z    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
+ b# s7 x  k( J8 b9 o* g
4 F0 u* q  U3 l0 E4 ?+ f% o      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
  ~/ _. B1 c& y    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
1 ~- y& g9 S1 G    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
2 P3 ]# n0 C# e6 R1 W      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
/ t# v7 P0 C! B  i* N5 W
      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
' G; Q! f/ `4 G8 _5 O. Z5 b( z: Lo代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
" z" r, i, {, jX  X  o  o  X
o  o W o  o
X o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
- y5 V5 g& r5 Z; a所以直由公式直觀的算,
1 Y5 E/ h/ j0 `" \假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。