弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
. }% l) R  y. b" w$ z  \      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
# s) H. A! g( F% B7 R) r    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
; W1 e) Q' n  N5 O" U1 w    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
# c; y8 _; |( M9 \
      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
" @+ U. n6 |. To代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
) @% D3 a& _0 @, l6 }o  X  o  X  o
- b  e1 N. }. ]" VX  X  o  o  X
o  o W o  o
X o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
+ G. ?# f& ]: W" D6 I謝謝。