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[問題求助] 以.18製程下去劃~90奈米所出現的錯誤

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1#
發表於 2011-4-6 20:14:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2011-4-6 08:19 PM 編輯
% q! s* p" y" P; W" k/ a
3 c! D: `# N0 D7 s" b! \
; t+ j: u0 e# k, w" p4 f不知道有沒有大大可以幫我解決的!
* O% R) e: Z4 d+ b' @# n5 C因為沒有製程說明書~6 W; Q! B3 k: m6 f2 X% ?7 D6 L
而且之前畫.18都正常!# g7 K! p3 I4 n9 V: @
用同樣的方式加大元件距離還是出現了一堆錯誤!: d  e% g' R" g5 O" K4 A* A
想請大大幫忙一下到底如何解除這些錯誤!* R9 R7 n3 s+ I/ p
謝謝大大了感恩!
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2#
發表於 2011-4-7 13:32:54 | 只看該作者
把錯誤訊息貼出來看看2 i" R2 C: n. J& t( A7 n) \! Q: o
才知係瞎密錯誤1 M  h" _5 j- g. W3 K' l8 g
通常是 cont via 大小 不同
: O1 _2 t6 j3 t/ _3 @大 metal 的 space 要比較大 等等
3#
發表於 2011-4-12 14:27:23 | 只看該作者
Layout時所需的工具:
7 o7 Q7 @( o& {# b; n
) d+ J( \$ o" }- P1.layout tool
9 z& E) o$ l% g' t, `" l2.Design rule (跟process 有關)) X7 d$ `9 B7 o' n
3.technology file (跟layer 設定有關)
- K  t: r: c0 p! a' I4.LVS/DRC command file (跟layout 驗証有關)
: k; Z3 b. ~' e% l% j" G% O- m: U$ D, l4 |+ Z, E% s  n" k9 @! Y! B
狀況一:5 G" E0 C9 t6 a
不知道你的問題是出在哪個部份,聽起來像是用process 0.18um的工具去畫0.09um的東西
0 [8 n" _& n9 v( ?+ @9 A3 _" [/ T! }0 m5 q+ `
因為你沒有你需要的90奈米的2. 跟 4. 項 所以無法去確定你畫出來的是否是你需要的size,因6 d, m6 }) w& m* F( ~" c9 D

5 r- i, e: H& C% J$ V為驗証一定會錯誤。# K# r$ v- Y# U4 }) e' w
# r0 ]' k; W9 O# x! m
狀況二:& a4 J4 B$ k8 I1 U; O' b

+ N# `% U5 p" E$ I( F如果你有第2跟第4項的工具,但是是用0.18um的第3項,就可能發生layer用錯的情況,因6 |# n# g  V) _- J3 s
- S% w2 \% L4 R& I
為依據各家晶元廠的設計不同,所使用的第3項也不同,即使是同一家在不同的製程上layer4 {6 T7 y/ G7 @" ~

; ^) M, {3 f' C: Y% z; O4 ^6 K的訂義也會有所出入,此時你就要使用layer mapping file 來去做layer轉換,使你的
9 d! T* B  x6 w
2 [- Y1 X9 r! @* l$ ?& w$ XLVS/DRC command file能夠去認到對應的層。' H7 e+ R* \% W
: M& X& W; s$ r* T3 e
Layout 要正確,最好備齊所需的工具。
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