中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
5 m1 x( g8 E- m: k7 V' e) _---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
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; b  }! x/ R/ a* @! R0 t一、前言
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
四、實驗結果與分析推論
五、結論
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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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k200630901

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balam2018

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myokd

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