MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大

若應用在LDO的powerMOS
- E5 Q% e7 G. {: |2 z
* r$ l% P4 o- X$ F( }, X使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
. K& B. ]3 P- N# U
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
) h/ i. p9 _* A  {2 _
若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
% o3 }) O& J6 M
* f1 J3 }; ]' `1 G例如L不能用太小，W不能用超大 ??

謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
$ M4 h4 [5 M! p7 Lfinger的好處就如你說的沒錯

$ g2 O$ G0 Q. w  R! ^0 |4 r至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
, N' ?* g  p9 I- @7 i另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
! L8 |! k$ B9 Y( S至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
5 P* F7 ^5 z4 t, H: j且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster

真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多