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[問題求助] 請問那裡有op amp的layout圖及反相器各材質間關係的介紹

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1#
發表於 2007-8-20 15:47:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
因為學校教我們第一次畫反相器時,各層材質之間的關係 是由學長帶 並且學長自已本身就講的就是非常的馬馬虎虎不是很清楚。
0 k4 B4 G# U$ w而畫過反相器後 我們才知道1棵cmos 原來就是要這樣畫都已記憶了畫法,但如果等到工作面試要詳細介紹各層材質間的關係及各材質是$ }1 ]# ]9 B4 o" c4 D0 U" K) A
什麼? 這點 我就非常擔心了!因為已把結構就像畫圖一樣記起來 一棵n型或p型電晶體固定就是要這樣畫早變成記憶 。) d7 U: s7 p0 F1 H: ?
所以請問那裡有資訊有特別介紹關係嗎?
: F9 q* g2 I; N- I+ S還有另外那裡有op amp的schematic圖及layout圖
' \; I. C+ E8 o% k1 R6 X2 G2 H" ?2 f9 U小妹我手邊的書並沒介紹到op為例子的圖 ,但想要問一下 先進們網站上那裡有提供 麻煩一下謝謝^^" c6 f) u7 I. k/ e# @4 j
(另外含有介紹op amp各層材質間的結構,這樣才好記憶這元件畫法)
/ O+ o9 w: V4 e- R5 w, `' L
0 U5 X! ^3 Q6 O, K& |[ 本帖最後由 君婷 於 2007-8-20 03:50 PM 編輯 ]

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2#
發表於 2007-8-22 15:28:13 | 只看該作者
我想~~1 }6 E7 o- o" f1 k# D* n* [& q
每個電路的LAYOUT都沒有所謂的固定畫法6 Q% O" j; q( u$ g9 U
全憑個人的經驗和熟悉怎樣的畫法~~
: e9 O6 z- N2 n# _因此所謂的反向器畫法~~
) ]4 s% T! D2 T% K( g也並不一定要遵照講義上的畫法
! L8 j! q8 C% D只要是面積小..寄生效應可以降到最低..% T  I4 q. c5 d8 C
就是好的畫法... _4 l9 G$ X7 p% T- P* p3 q
& w; a; V8 E  f: ~, V% v
如果要參考的話...
; H& L) E9 D/ W% g- |' |9 K: X. u7 Y$ @
下面有一篇矽拓科技的LAYOUT研討會電子檔
; F/ G+ b6 z6 C可以提供給您參考..0 Z" D# M7 k0 `
裡面有比較常用的排法...5 W5 D2 j' U3 l  g
但是還是要說...
4 U! y- U! x& \那些排法並非固定...4 d; k/ K' x# k/ W8 b/ m
但是入門時...必定是照著別人的畫法..
# S. f4 G$ s4 V7 C% A/ I熟悉之後...只要了解如何避免或降低寄生效應..6 m0 w' i) m6 m$ y4 V
相信您可以發展出自己熟悉的畫法  t7 f, @8 b: b6 q5 Q$ `; l) X
  R. K' [& J* C$ [% W% D3 s
[ 本帖最後由 jiming 於 2007-8-23 08:52 AM 編輯 ]

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3#
發表於 2007-8-22 17:20:04 | 只看該作者
As a senior layout engineer, i would like to say something ( O9 l: A; z; W: `, W. }1 M! L- {

2 T# \3 Z% s8 u) NBasiclly, you can study the standard cell layout of TSMC or other foundries, which are common layout style. Indeed, in analog layout, more expirence are needed, what you need is just a practical project

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4#
 樓主| 發表於 2007-8-23 00:43:20 | 只看該作者
了解如何避免或降低寄生效應 乃是畫各元件主要目的 ,原來如此...
+ ?7 K% a1 s$ k所以各公司都有自已要求的畫法是吧^^
7 |% L' X( q4 Z! d: `至於樓下那位的建議似乎 我自已也常對人說 好像有說與沒說完全一樣,提供一點點思考方向也沒有! 還是謝謝這位資深佈局工程師的建議   3q
5#
發表於 2007-8-23 19:21:53 | 只看該作者
你應該想問各層間的關係吧
8 ~0 A8 }- k- }. ?8 E" f+ y; Q: B% [, {" |8 ~! b  {5 Z- g3 z
NMOS從P-sub 開始-->Active--> N+ --> Gox --> Poly --> PMD  --> Poly Contact/Active Contact-->Metal1(一般是Al) -->Via-->Metal2
9 U; l% s1 j4 o) Q
: Y! p) @) Y( }) B" C% x5 [PMOS從NWell 開始--> Active-->P+ --> Gox --> Poly --> PMD  --> Poly Contact/Active Contact-->Metal1(一般是Al) -->Via-->Metal2/ ^; M7 o9 w( Q, ]+ h
6 [9 o; y# w9 ^
2 [) e* j( g5 q+ z
connect (Poly,Metal1,PolyContact)$ M1 k! \8 c; K( U1 a, Y/ z
connect (N+ Active,Metal1,ActiveContact)& h  ~  ]7 v0 N/ X2 n, n/ z
connect (P+ Active,Metal1,ActiveContact)
2 E- {. m+ F+ F* @4 dconnect (Metal2,Metal1,Via1)
- g9 R# p5 }% h% o
# Q/ r2 n! V6 O, Q只要熟析剖面圖上述就可知道了,不用去背。
4 w! B' `& {4 b  R另外你是畫layout,不會考材質啦
$ G7 x; e0 O( q" s! }2 [$ A) f4 m2 S: f- g
以上是相關資料供您參考
6#
發表於 2007-8-24 11:26:18 | 只看該作者
您好,我最近学习版图也碰到不少问题,想向工作过的人请教。
, L( y4 @! ]2 E  d# u延着哪个问题
1 W3 o0 a9 x$ qCB  CBD UBM RPO NTN PLMIDE FUSE DNW VTMP VTMN RHI分别是什么层。0 v% A1 O- I7 j- Z& S" l9 M( C
一直没搞明白。希望能不吝赐教。
7#
發表於 2007-8-24 20:32:16 | 只看該作者
CB-->指的是PAD layer,一般作為Bonding PAD的定義範圍,且為倒數2層metal的連接孔。! v2 I0 g4 P/ ~
UBM-->一般只的是最上層金屬,或為Au targe。. B& E9 o7 s  A0 l
Fuse-->ㄧ般用poly1 poly2 或metal+ y! m0 o2 g* W/ T- f  P* P  K
VTMP-->為PMOS 用的參雜1 d: D, W+ h' h4 Q
VTMN-->為NMOS 用的參雜

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參與人數 1Chipcoin +3 +3 收起 理由
world776 + 3 + 3 多谢指点

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8#
發表於 2007-8-24 21:55:11 | 只看該作者
想到2個
% @- l) E4 `" Y6 Y' q: Z0 r7 O/ U- _2 |7 Y* x3 H9 _+ D. f5 ~9 S
RPO--> 我看過是指Poly電阻一般用Poly2
: b6 D# _& e  aDNW-->指的是deep Nwell(深層的NWell)
9#
發表於 2007-8-25 00:15:04 | 只看該作者
太感谢了
10#
發表於 2007-8-27 11:02:59 | 只看該作者
看来我的回答另大家不满意啊 那我再详细说一下我的想法啦:) k; O' m) ]* w/ ]3 Z* m

  t1 B9 `' v" s$ j# M如果只是简单的学习layout的流程,那么可以找一个实际的工艺,至少要有工艺文件也就是technology file,在这个文件里你可以看到工艺包含的layer;还有如果要画一个可以生产的layout,那么还需要design rules manual;最后需要的就是verification tools and rules了; i1 N  a7 }4 m& v+ Z2 b

4 J- K% n! M- L楼主问到的问题可以去:www.edaboard.com
8 D, d6 m! M$ d" [" k" `2 @  G% ?3 R3 Z
那是一个不错的论坛,你可以search到很多有用的资料  C8 c) v: A, {9 r) E+ p: U
% K, R. D3 X5 _# {) R5 ~

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world776 + 3 + 3 感谢指点和&#3121

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11#
發表於 2007-8-28 22:55:08 | 只看該作者
謝謝你的資料,但是我的閱讀權限太小不過還是謝謝您了

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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12#
發表於 2007-9-1 20:37:42 | 只看該作者

回復 #11 SANSUI0304 的帖子

jianping  ?????
2 G. X( W/ Q# X; B2 \( g, X. M
: z4 {6 O# I* ~$ J0 T# ~評分很奇怪,看不出哪裡是Good answer!
13#
發表於 2007-9-3 17:35:46 | 只看該作者

ganxie

好多自己不知道或者不熟悉的东西,                                 - p' W: {# b$ r& J9 U3 [9 }
谢谢大家了
14#
發表於 2007-10-24 13:40:17 | 只看該作者
Layout的學問真是深不可測,沒有進入這領域,不知其中奧妙
15#
發表於 2008-2-2 12:50:42 | 只看該作者
電路都可以利用到最少空間不是那麼簡單耶
16#
發表於 2008-2-2 14:43:12 | 只看該作者

回復 11# 的帖子

我也無法了解 11樓的回覆  Why 可以得到
4 j( T) }4 t+ k  p6 Z這麼多的感謝  與這麼多的RDB ???
$ y8 I9 W) K3 f, @, k1 b8 d$ e7 m
依我來看  3樓的回覆算是很好的建議9 y& M0 j2 u3 f$ e" y
TSMC的 Cell Library其實也是經過 精簡再精簡的畫法
3 h. Q5 N  V3 d- E& ?. `入門者去參考  自然可以從不會說話的 Cell Library上
4 [  B* C5 ~& m8 ?: G學習到一些有用的技巧
7 Q/ e" E5 ]* f7 a; e: d3 j8 j
+ I8 y; p+ q) Y' ]  [2 i8 `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-2 02:45 PM 編輯 ]
17#
發表於 2008-12-16 23:13:17 | 只看該作者
要在什么用户组才可以与大家共享知识呢 , Z7 q" r. l. n
希望班组能告诉并支持我,十分感谢
18#
發表於 2009-8-11 13:17:14 | 只看該作者
我想對一個layout新手來說2 x% `0 H- T4 f7 R" s: A
能有更多的前人心血結晶來參考$ O3 V% t# m8 ^  w
應該能更快進入狀況內吧9 U* K# R/ `5 y, n1 b; {/ K
' ~, l* N. C/ s; T, f
感謝樓上幾位大大的不吝分享!
19#
發表於 2009-10-23 21:10:43 | 只看該作者
感謝分享好資料,可惜我沒有錢可以買= =' h* r* s4 l! X7 |( {/ {
錢花得太快了,又賺的太慢.....
20#
發表於 2009-11-14 17:11:20 | 只看該作者
好多不知道不熟悉的東西
# }. t/ y* b3 d4 D9 x( X" N2 p0 |謝謝大家的告知
& ^1 M/ k+ a' v% a* w又學到了很多
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