Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54866|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 T  e2 p- T1 p8 P% K4 I5 D  O6 P4 G  G0 T) y9 o# V
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 W9 i3 J, p1 C: d9 p+ S大部分是要match' F0 X0 d' l5 `; {6 F
Metal poly  density  不夠& i% ^% r, ]) @8 ^# g+ c8 _$ I1 g
加ㄉ那些也較 DUMMY
6 _! Q; ^3 O, f" @7 Z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; H2 R" u3 U1 I3 L* _3 x$ X
, o0 U3 G5 g, M$ `3 q" L% T
" t8 B) n. L- K: U    感謝樓上的大大! \- s( H: f" ~8 z# X2 I% ]$ H
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * l7 \2 X( F: ]( F) W6 _; j

. b0 t! z: W  i9 ?( q% I8 Y. u
% T& g/ F1 f4 u( D2 Q" T    感謝您回覆的這麼的詳細3 G4 _; _4 }9 Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- n/ l# ~  e* S# t% Z3 s: _  w2 i7 }6 f. F7 M$ q" D, p6 L
不過簡單來說  U; Q8 V( j3 E( k" v/ t% j
在製程時食刻會破壞掉你的元件
% Y/ C8 V, j' ?& D- E9 [而特性就被損壞; O* K1 R- W+ j" c7 X5 k0 Y
; i. O' e, \1 H3 x% @  V1 ^* l
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># k9 }) f- z$ S, U$ m7 R
所以蝕刻吃他最多
) Z! _& W6 }- K主要部份特性就不會被破壞4 y' E, b' i/ [* K: V& \) E) j
3 I' V0 Q* B) ]
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  |4 L* {2 @# N. }7 _2 W
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
3 _! G! A8 Q- K  \; N7 {  l9 @- M
# g& q9 o7 Q: z9 j" ?4 v, @又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: ~# l  m% d; a3 d1 g
還有電容也要加& Y: X$ t! I8 N0 c$ p6 F: j, F! G
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 ]& }/ z$ [" o* W, U* G& M; G+ z5 F1 X2 v# T
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. I( _& b7 x$ ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. i: D5 h8 e" i2 ~/ Q+ z2 @0 A% x' O/ i' U
7 w1 m2 J6 M6 m4 t8 p5 r' A
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. G% f1 J4 B2 m6 m+ |/ j. j0 ^

" o0 }. z0 U+ Z% j) S8 D' s如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 S! s" s1 s  c2 _7 p
0 V2 C' X; r! F/ d8 p- w數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 12:03 AM , Processed in 0.194011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表