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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 u5 y' e) m; ^" D8 C! {- |9 Z
- W+ F$ V$ K" {- Q; u- `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* r2 c4 x! s! w" L8 i
大部分是要match
( @) X5 s* |0 m- x3 PMetal poly  density  不夠
5 a2 R0 F, U1 W+ t4 l7 F加ㄉ那些也較 DUMMY
# n- r. m9 _; ^+ j7 D6 c把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 ]+ v* b5 _& ^/ l0 }
1 g, D2 \" u( \& r* b( p

- z- ]- I$ Z6 V: D    感謝樓上的大大
' D1 Y, y& F" J$ Z2 S0 p   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 j: o' C$ P) a7 o6 o& D" T
0 B3 W3 D2 M$ z6 g9 H' q* d0 L: ~) ]6 Z, p% T
    感謝您回覆的這麼的詳細
& S& D2 Q1 h  {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 d4 I: x) r: ^7 _' O# |. D" u8 k) J: i# q( s* T
不過簡單來說
9 j! X4 ?) ]: X2 w1 t2 p  r在製程時食刻會破壞掉你的元件3 m0 x, ?9 ?* G6 W- w0 Y
而特性就被損壞
9 B/ u$ k. q( r' }% T! Y# q9 m$ [1 K
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; r( v8 M3 X9 l所以蝕刻吃他最多0 W+ E9 F4 U/ S( t: e
主要部份特性就不會被破壞
6 t7 w% z* ?9 d( d/ e  l9 [: l# k* n6 b6 f% g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 i% j4 U( U# d6 D" f2 Q8 G
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, |9 ?9 r8 o  q
, @& X  i) J& Y2 l. W* v又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 ?3 V* h. f9 V+ l$ N/ K  I# f
還有電容也要加: p% z+ t) A. C" D& w
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 Y/ X0 A; V/ Q  O$ S- v! o, z5 v4 k, P
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
7 T* ]! I" R& X6 `7 ^vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ F/ j% i- s, a1 ~+ F; k

9 v+ a* f2 e# v" B) F
$ `4 \. v- r0 ~( L; p8 x" r& \' f    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! {- |' L. N; ]6 I

1 S- F! t9 A: R" h+ r& a! B$ a) Z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 U; ]/ J' {' C/ v
0 n& K: K9 O0 ~5 z8 _數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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