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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 R# Z2 a( f* L/ F4 s4 q' h
$ f) l" T/ |0 F% W. F, e3 Zpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& A3 Y- S, \  ?+ D大部分是要match5 S9 x0 M$ S9 t# m9 f$ t
Metal poly  density  不夠# L1 P; s1 ~# N; E$ ]: M, O* D4 Y
加ㄉ那些也較 DUMMY - ?  M- N% Q0 W1 c$ y9 k9 w
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * F% \: Q& F& B8 S

& @1 R& N' I, g+ C/ O
. J" W; T0 _- r    感謝樓上的大大( S3 X. M4 x3 K
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" A9 o0 H* `4 N6 i5 M$ r6 U1 X& m
2 P# E# a- I1 K- N$ x/ P3 l, m- D- |* z; ~! U# j
    感謝您回覆的這麼的詳細
6 E4 W2 @3 M- f$ F$ T您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 f: V9 M/ g* }$ b# K

" s5 Y6 T) g+ e+ x& s不過簡單來說
! f6 ^. U1 ^. ~; N在製程時食刻會破壞掉你的元件
  R* R6 i- P' D而特性就被損壞8 k4 z! K" E9 B- @( u5 Q1 I

) b0 l/ h' |: z5 w; Z: O. s若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( D/ R# q6 N: X' z0 F0 E, @所以蝕刻吃他最多; m: i/ ?3 ]* u! T2 l: M! k
主要部份特性就不會被破壞: d3 R% x5 ^6 R

  F& j- s+ z1 T3 b9 P2 R6 r1 U- B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* A, [% @* R  x. E8 X
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) b& t2 b2 j1 Y9 y8 v9 r7 ?
+ U) R) w* F. y( a+ \( ~; Q又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ O7 |  z. \7 \, ]$ L' c還有電容也要加0 Y  M& ]1 M: S9 n; w. [: h4 b
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: k3 B7 `6 N+ @$ h7 Q( L: z2 `

/ L7 a% g6 y4 s. i% Pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# K7 _% m! e9 j3 g7 {5 y8 d
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' a. k# s. u6 P3 [& t( O9 ~
: @2 V# A) x$ k0 ]: ]1 U- D- V5 u0 ~( A; t
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ h( P9 ~: ^8 G0 k" e+ D
. g7 w" s: r4 T$ `3 }: C* w! z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) l) w9 I8 S) F4 M1 J1 ?
6 f3 @+ W1 S8 ~3 A) J& K數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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