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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 F( S6 {! g9 D
3 y1 H2 g' |' u9 ^: n. e& U4 f2 Spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 e  Y& C" o- C4 O大部分是要match, q, n$ ?: `3 Z
Metal poly  density  不夠
- n8 }& t3 a: j加ㄉ那些也較 DUMMY   |4 y* {3 Y4 P3 L5 `, p, l% }
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 g% w7 V) E2 |+ S  K" ?' ^1 _, ]0 d, X. h* x% J6 O; ?) _

4 p4 ]* R$ w+ W1 g3 z; @    感謝樓上的大大
; H3 I7 p! ?" X8 R1 u' C7 `   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ b7 M7 N; Y& E7 S; y3 i3 |! `; k# L6 s( R
1 N' o3 W1 _  o" e$ `; v7 q
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 @6 @. ?* z* `, [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' A* f/ W$ A" }: ?# B5 ~0 y+ @! V+ p6 Q4 f
不過簡單來說
/ L+ Y% r: m5 g, I$ f$ G0 c! J在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 r' f: _* M* t$ r5 I3 f/ @% @而特性就被損壞7 g! A5 e1 g' L, |$ j' J+ ]  I
3 @; L# D" V/ }4 |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>  Y! b+ j  u; C# d# M
所以蝕刻吃他最多  F* H; j  z& H+ u
主要部份特性就不會被破壞
6 W/ B# w2 Y  f4 l1 P$ q2 @/ `
! g0 Z5 w, i# z' Y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& K, k' P% m/ j9 r/ [5 V& b- i. l* [- X
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
! k, V4 q3 Z  A' a  K; I% g5 T' j* @8 G
) G, ?# i" ]. ?! G又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 U, `7 z2 {6 ]& P還有電容也要加) h& W. L4 R2 Q. g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!; V9 J( p' J, ?

" t2 a5 p& L( g& kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  i! ^/ S: F3 f! jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ n2 B: }" A- \* Z7 E; P' H% K/ Z& O) J/ n! Y

# a& L7 j5 ?) A$ G5 A% G& d# ]    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" ?0 v% X# u3 W% M$ ]
! n/ {' n5 Z0 ^- J8 P5 K" }5 Q4 v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ Y+ f0 h/ U9 h8 s2 R: {9 I! |; c4 j

6 l* y' @7 P( U- c5 ~! @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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