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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' ?/ U* X3 {( r

  y$ N2 ~: u1 R5 mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" U" g+ i; V4 q& f
大部分是要match- o+ [6 [- ^; F, k* T2 V
Metal poly  density  不夠
3 G& T4 N" q. @9 p: \加ㄉ那些也較 DUMMY 0 Y6 U" @! d2 {% V4 f3 e) s
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ J: [0 G: [% J" a6 R; }( i) @, Y

+ [. d+ n& u1 R! s% f5 z    感謝樓上的大大: }. E; w( O7 @5 r( d
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( K: o6 l: e' o
7 T# B2 |4 P& {/ I* @
$ ?' q  m7 F# ]# M5 l# B9 G    感謝您回覆的這麼的詳細
6 {$ }4 z" K7 q6 E. w# }* P您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  K- x; d) e% ?1 K4 |7 t4 X
' H0 r6 k$ A2 h6 o1 U
不過簡單來說2 P0 {+ O( f0 d
在製程時食刻會破壞掉你的元件$ a6 z" y3 z) z( F' Z+ V
而特性就被損壞7 g' |7 ~0 X: G7 {

- E* B2 O, D0 s& y) N% Y若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 G( K% F/ E9 O1 g所以蝕刻吃他最多
% z0 ^7 F+ D9 G; U- v+ j+ A, U$ m主要部份特性就不會被破壞
" y; f( o- a4 c( w" A# o7 n3 B0 D1 e1 V
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( C% Z4 l  G! v/ K( G2 U' M
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享" m2 o$ b+ T# W6 T) }4 F' T
/ e3 V' f# R& W) }, ]) I; I
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& L$ v$ B& d* e% x還有電容也要加
* k+ T% M7 z( P0 F若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( I; H5 d0 e; B2 W- T/ R
: T$ `. w5 T9 q1 ^! w0 `2 Iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." d" P+ m' o( y% m  n7 u
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- g, w# P% t: W
+ _7 [3 I/ N; F
$ T; N0 a' r1 j2 P6 s& j, i0 N    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 R5 p( q2 c8 O$ r2 l+ R2 R
8 ?8 ~& p( c5 N1 y" L6 l
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 U. ~! B6 q4 g' v' y3 y
% D1 m6 M( a/ }* ]' v+ e3 M數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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