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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# ?0 V$ g3 z# U- l
+ G7 }% c6 j/ ?9 |2 L  ?. spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 r4 b4 P$ ^9 O  u+ X' @
大部分是要match/ f. t2 |) n; c0 k" h' }" ]  n$ C
Metal poly  density  不夠
( a9 _3 q$ x' {7 T2 E$ i; ^加ㄉ那些也較 DUMMY % `- M0 S' q9 S! j  }. Q; J
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . z7 H. ]( j( d
" P1 E/ J( @0 l9 R3 N, q6 E, E

$ ^6 F; [9 ^4 K% W& W+ }' U    感謝樓上的大大7 m$ w) n% W& u! r$ t, [: z. L
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
" z0 \- s1 S$ w  W% m4 n$ J5 q0 [& k6 g6 K5 n0 {
1 g1 F( N0 L' \9 I. P7 J# D
    感謝您回覆的這麼的詳細( Q: w6 M0 J+ b' M! q$ ]8 ~
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 U6 c# A7 |8 a6 L! _1 M
- |' r' Q& w3 a% V. N
不過簡單來說
! A0 A9 o' V  y- m' U: \+ x在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 y' N/ p; I& N0 ^4 m而特性就被損壞% `5 O2 f# c1 q% ~$ r
; y% w" [+ H6 [
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% G$ ^* M" R# j7 U+ r
所以蝕刻吃他最多
& i( e4 p- ~2 \" b6 u5 y主要部份特性就不會被破壞
% p8 _: E( P+ t0 S: m) b2 Z; x# ?( D' M2 r/ v0 H/ u
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" g7 M# ]0 q3 e6 K. d
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 h& Q: p0 Z9 [* Q4 m. Z/ k2 o0 d

9 f  r/ l2 H0 u- A1 g0 {又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 N# A+ \9 m, g, E' J
還有電容也要加
7 J  {% d' h5 f1 ]% I: [; V7 S若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) }% K2 Z) c/ Q7 Y" C' S. P: D/ l6 K
9 x4 ~1 T1 x1 |and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: T2 [1 z2 F: T  [; d- h8 H0 Wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! F  H4 ?4 Q8 I( j% R
5 J% R& n/ E' c% {
0 c( T* i3 ?  g8 Q2 ^    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* X3 w* g" a  M  W
4 \/ g/ v: I3 M9 F如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' ], U/ ]1 b% _* K+ ^+ i

- D: }- P& v% f" R1 H+ N+ ?( w數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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