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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  ^, ^! K) P" y

; U4 s2 g8 T* n5 Spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  W# h% N, C8 ~
大部分是要match
# S* ]( y  \' W% d% w/ P: ?: _* CMetal poly  density  不夠
- ~% o4 ^4 Z4 y3 O3 J* Y* v5 J加ㄉ那些也較 DUMMY
* w$ b( ?" e  x! z+ w8 \! `把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 8 H7 O  @  @& z( i  J4 P5 H/ S

' L) ^$ L% g# A$ @) F  ^
! ^: }& u+ z7 C7 I4 T    感謝樓上的大大
+ r3 L4 w8 ?4 h, M7 ?# Q   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 R$ \; }. C/ V3 M. Z" Y
9 [) ?% r4 P1 d" v, ^7 u
( S" T  f/ C, N6 e
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 X- W* x' T& w4 M% L' f. R) @' S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 L3 ]! Q4 G' G% T
! g, `2 g" F6 B
不過簡單來說2 a+ }2 I( Z2 S2 u
在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 ]9 V' }5 c$ A( a1 M$ ~2 ]# z1 v而特性就被損壞$ g& w7 o& N5 j$ o, Z5 g
" l; u+ X- o; A2 t' y; I1 r
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, n) I4 C( f3 [5 G2 }" m% Q所以蝕刻吃他最多7 H0 l: a7 \% A9 v3 X
主要部份特性就不會被破壞  h( S+ H8 J# q( A# T% K
* q- l3 i! \# H' ?( S4 q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& C$ K5 j# l' J: y7 r
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
8 ?0 |) {: ^6 t7 W4 R1 i
$ x) k4 m) J' L0 k又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 F$ v, O* B# v  A: e還有電容也要加
" C2 O* \  ?) X1 ^: z' n' l若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# s' M9 t7 r" C9 e+ r* R9 \" x# z' o1 j) P
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: R. s. u8 [5 v" [
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 W) P6 K% I% K  ~9 F# {
( D3 J* ^1 ]. q! f% o% V7 s* Q2 r
! Y7 X9 L" H. T) L- D- h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  T, c+ G6 E' R- Q3 h$ g2 f3 _# [) a
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 ?  G' N: D9 G3 R) w& f, U
8 {9 w- O+ K) q$ M* ]  ]$ E2 n, t數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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