Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54794|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias; U  ?$ f# Y7 z$ c5 i3 D

; _, P0 d* a- m% n0 Zpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: K, U. P7 Q0 p
大部分是要match- }. S1 J+ o* o& H! M: W" ?
Metal poly  density  不夠
, Z  p& G* ]9 a/ I- Q- v: z; A加ㄉ那些也較 DUMMY / W' G8 ?% p* E8 T' k1 i- M* t; q( _
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * _0 d" z3 j, O0 O

9 m1 v/ e& a; q
) D0 g! e  L0 w! k! o3 D    感謝樓上的大大; a& I3 X0 O! C, c4 W
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! O- P1 ?5 M$ T& T
# g7 ^6 ~3 `# N* X* B
$ z# S2 a' y0 m3 m1 v  f8 S    感謝您回覆的這麼的詳細: B7 H  G: [+ O; A! m% D8 U
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# W& T$ T) X3 b: V! I
( a: Z$ n$ H, S5 X$ M6 f- V
不過簡單來說
6 n9 U$ f  D4 R! _在製程時食刻會破壞掉你的元件4 Z* C9 N% ?3 I# [+ o: f5 q
而特性就被損壞
. n2 v4 W. u& t  k6 I# {9 R
: y1 Z* s) W8 ]: C! \0 q# U若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 Y, _3 b5 R, ~; V0 S7 F+ F所以蝕刻吃他最多
, U% s4 R# y0 r6 K9 `: f6 D主要部份特性就不會被破壞- ^6 X* a* u- r5 S. \( Z

9 I+ o" |. o9 D1 Q$ ~# M. Q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. Y, O9 g2 y0 T" w" S# v, {6 B) A) w所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 {3 g% a1 e, V5 X! Z! O# S/ w* q
. V" j: t- p  m' t9 C6 ?9 A又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 q+ G  S% s. b" e
還有電容也要加$ i% [! A- A+ i9 `2 \
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* R1 \. H; {1 s, D& @! I/ y2 s, X' S! E8 M, Y( S# z* b
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- Z, p* K/ K  u) e. o; r1 vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 N5 P- o& F  K9 [3 D  t* u$ _! c; M) S- [+ ~+ s+ q9 v
: q8 A/ {3 z5 ?5 s/ g- [# v* O; U, [6 m
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 T" N1 _" ~0 F* ]3 S# S9 y  ?% R) O9 a7 a/ e, L; J; \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 t" k0 Y7 n: R9 R  Z4 q
3 L- J+ D. S0 X, j$ I1 ?
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-7 01:46 PM , Processed in 0.189010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表