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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 R4 H6 B0 T! t9 J

" p# @6 D% B& v9 w# ypoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
4 @+ |) N! r" a2 \: x大部分是要match
' f  a+ j( ?' A' s. G! V( n" q) M/ [Metal poly  density  不夠" ?% B. J& @' Q+ |
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 k, ?0 @2 @  U" Z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& E3 @1 Q/ y9 g0 \  C6 S2 Y3 P: E* o! W4 ~2 g8 x" m3 z
8 L6 C. I' \8 M5 J$ p$ t& K
    感謝樓上的大大3 n; N, I* i# I" S4 j! L0 L4 O& P
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 k1 g, T) x. z( C; x& u. r
" x4 _& ?, b, N1 S$ v  z! h7 Q* t% g7 \1 D) Y( ?. o
    感謝您回覆的這麼的詳細
: Q  x" E- H( s, B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( X' [3 e9 {3 `8 x
1 Q8 Y. E7 x4 d4 q, f+ ?不過簡單來說2 y/ a' O" J' n( R; E
在製程時食刻會破壞掉你的元件
& I9 N/ W% Y9 k6 Z而特性就被損壞9 F9 H( \  o0 `5 ~6 d3 b/ ~
) ^5 F& T4 k( E4 [& O
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% }; M+ x* t( B# a' l
所以蝕刻吃他最多. W* h( s8 s. i1 v! W
主要部份特性就不會被破壞- U- x6 P2 I9 R3 u# n  u  }- d! y/ q
, k- ]& O( D" k) ^3 w
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
' ~. R; ^. I$ C0 o) k+ M" x* U9 u所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  c' f" t% Y" p/ b

* _9 m: X& X& O1 W% M  a0 ~- n又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 o/ [1 T" }: g3 b* T還有電容也要加
) m' ]( l' t2 W. N- H若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
6 }  S+ J8 R. S2 [- u. E. @
5 K% I6 b5 R3 b  b! Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- e2 G) H* {; f
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* r  w4 F/ @: g1 B

) y: J# K$ U6 d' I" n; l* O( E! Y. `, N0 c6 G$ H1 X$ w* r8 ?5 h! J% W9 z
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! O) h4 a4 J& o7 E* E$ v' a# X  E

4 v* @5 K1 M$ J' [& r如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??. j/ P' @* z: x& Z, L; E6 f
2 D: L# p. H( _4 ^3 a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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