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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 U9 a' [  t8 \  A8 R0 T5 Y
9 M/ C3 Q! _0 t. K* ^  |: Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
1 r, A8 L2 A) B5 R1 W. D大部分是要match# [% v2 S; T; [+ P, t
Metal poly  density  不夠1 n! r9 d% c8 a. F- r$ f, \" t0 L
加ㄉ那些也較 DUMMY
1 }3 u; ~2 T7 |; R' P1 o" Y& ~把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 i7 b, l/ A6 K- M
5 S- I# j, ~' f
" R( J8 E) r( J, q7 J9 X
    感謝樓上的大大
" z7 W/ @6 o7 Y1 I5 S% V2 y9 g2 F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
1 I* H; y0 A6 I
! {" M0 Q1 {& l, q; z, m4 ^3 n
$ v% F6 E1 n8 U' {# t8 }    感謝您回覆的這麼的詳細. F& f: x' Z7 R6 A, g
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; |9 {$ u1 N; T3 `& l! V

1 m4 U3 H$ A+ n1 K7 ?% f不過簡單來說) I: C0 N1 Q1 }* q
在製程時食刻會破壞掉你的元件
7 I' e9 J) n; L5 f1 s4 o5 H而特性就被損壞4 w! j# k3 z! x. |

0 [2 |8 ^+ D( w5 p- {1 D若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 C; ~3 L0 y3 \  P* C( B
所以蝕刻吃他最多
% w: `! d8 m4 `2 T. G主要部份特性就不會被破壞4 K- E$ N! o. V
; Z  o1 m% D( x. F+ L" V
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
  v) f( S0 L, B* g0 N: i. O所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享& m2 h  ]7 g8 L" o
7 f6 \  ?: o: f# A$ z, U* Z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加0 t( P/ R; V* y! G% d. H4 u
還有電容也要加
0 E- n. x3 H% b! d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 w  W& E9 A2 L/ g/ r# c: h' x2 ]4 s/ J: o$ _6 B& [! O
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  F% h- e: L3 c% a+ y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& p6 a, n: S, Z" R( b' r# Q: ^& P
. C9 y% m4 R3 a  V. X  H8 B
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ k$ k0 T3 J; F' w. Z% I
; ?9 U1 R/ d: e, l1 S% g/ X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, C9 s- [0 S% b1 I3 e2 i% @% i1 f% D+ o9 ?
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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