Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55102|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" T* Q! k! ], }) z

" R. N4 H3 p. ^  ?, wpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* R$ A3 w  Y$ x& h1 R$ [* c( ]! @& N大部分是要match( T' R! S- `" R2 N5 ]
Metal poly  density  不夠
' x) p) S: ~/ e2 @) ]0 l  X, V加ㄉ那些也較 DUMMY
9 p+ Q. N( y: x* j把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( |. @# ~  C' T) O9 i

- D) S5 `# t0 p# \! c" j
: n. U; Q- e+ l/ R: W9 E    感謝樓上的大大
% G! `5 x" L% n7 r" l6 B% D( _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 @* |' i' P+ |9 r9 N

1 z0 N: G7 B4 @$ U5 w  _9 g6 I$ F' k1 M2 p2 _. \
    感謝您回覆的這麼的詳細
# c/ O5 f1 S# ^: ]7 N5 k8 n您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
$ |# |/ X* m8 s" I, v  ?8 J1 k: U- D' B  |" c4 k8 H& ^
不過簡單來說
  Q4 F5 g# Z+ F& {/ k' [3 G在製程時食刻會破壞掉你的元件  M" ?; _" f+ y5 I" [9 h
而特性就被損壞
( O1 }- @+ S' e' L  D( j6 [4 r3 F/ Z" P
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& N# i) }0 w' @& y$ h" m: _4 s' H
所以蝕刻吃他最多, J' }! v8 B  ]5 R
主要部份特性就不會被破壞! {$ x* R# {/ V% J4 E
$ @5 ?( ]) p3 \3 |9 [! x8 g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 B% l5 j' j3 G# m所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 I( t/ s% }0 T' |$ {+ [; u0 h. S

1 h; ?! n# y- \6 e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 B$ q. `/ T+ a7 c# ~還有電容也要加% `" X: V0 ~0 d
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
+ Y6 v' ^- m1 Y# z2 N" m/ e6 ]" v# \, Q" d4 c$ ~4 u
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 V, a9 W  t( N" N5 Z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
. O+ S) x' X3 x+ j5 [% M1 v

% m7 U% x8 E# A6 H! |
( P* l* @7 M; t* S    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& J9 o  l6 {2 A, Z! G& a$ N: i* F4 i; e9 o
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 k; Z0 l$ J/ x+ E
/ U4 r* ^* f2 Y. U
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 09:03 AM , Processed in 0.193011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表