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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 I( G$ T7 Q  d1 a$ W
+ y8 [( P/ [' e+ C5 y( U) |% ypoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' G7 \5 s6 p9 _& n
大部分是要match. m# j3 R' L0 `. ~( j
Metal poly  density  不夠$ L3 t( C: H  C4 M3 \* K8 M
加ㄉ那些也較 DUMMY
1 p" S8 }5 N8 E把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / \5 |2 z9 x; Q! P- e: k  a; p: ^
$ h* E6 B2 L+ l
8 t' d: H' C2 F$ q; T* ?
    感謝樓上的大大6 w9 }0 p" j, ^9 _% p! v
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ {5 d0 Q! F* T6 r7 B! [6 \) [* q" J0 w' I5 h; }! r& }$ b

2 x) `7 L% G) C( M, Z' E    感謝您回覆的這麼的詳細
" z0 Q! t$ i! ]4 F3 E2 q6 r. |您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 U9 m4 |( U! N2 u3 c

! T' c% a- t0 B0 K不過簡單來說* A( X# A9 m7 ?4 u6 {8 f' Y; F
在製程時食刻會破壞掉你的元件* y; B) h; H: ~) C( d9 }
而特性就被損壞
9 i$ Z0 W3 u$ c; s
/ y0 U$ W$ a# T8 x& K若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% P$ w" e# N+ W
所以蝕刻吃他最多( W# Y* E/ o5 |8 m9 R; t& ]
主要部份特性就不會被破壞
/ ?. e$ x# Q% z; c1 G' o; K+ d- n  T1 e  }
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& \2 o$ m* T. A1 j0 p3 o& a
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' j$ q) y  E; v- Y
1 C4 i6 ^# ]6 e, d5 B# e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
$ d( _. \. a4 Y; l9 A還有電容也要加
, y) @* w9 a! p7 i& W% }4 d' c/ Q; E3 N若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  n. [1 v. U0 X; {
5 ?/ H4 c, G4 `% b( {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ q9 l; l) D7 L3 @vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, z- I3 c7 L" S" m
( q3 p2 j8 \7 c

: E) [! s+ R; Y1 {    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ ]! B" H+ V' n6 E2 i% V2 P7 \4 B

; R9 `9 v2 I+ N, z# {2 e" Q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* @5 U4 E6 j' f; h- n
9 ?' _5 A2 Y5 _+ ^& d# z8 `數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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