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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 T" ?! D9 x4 `3 O+ m

- M! x; ~/ M' Y3 x6 fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! [. z/ H3 ^) F# g; q
大部分是要match  t- Q5 c- ?8 k& b/ W
Metal poly  density  不夠. {" ~) E" k! a2 r& U- I# V$ ?
加ㄉ那些也較 DUMMY
' V7 B4 w6 B; K, K2 h) _7 U把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) R5 Y0 N( |2 j1 D+ U0 h
' a: U0 Z8 U" d4 b9 b4 p  y8 {

0 u5 \* u( S$ Z' E& s% t" }4 Q    感謝樓上的大大
6 o: V% r: L: `) w" H/ ?) b# e: n1 _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
& k1 H4 O" @) ~6 _. H5 i
! a4 @# y( `5 K4 E) i) _8 P
+ b5 H3 i! Z  ?+ Y& D    感謝您回覆的這麼的詳細
8 |8 F7 d' D5 J3 C5 p  j  S1 J您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ v( p% A1 b; X: r$ @8 k
; X6 k# H; v- ]# e
不過簡單來說- X2 T+ b( a. Q$ I0 T5 R
在製程時食刻會破壞掉你的元件% l$ [+ W3 {( x
而特性就被損壞
* R# @1 E4 l5 w' v7 n1 f" ]0 F- M8 _: I$ `' w
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' Y4 V0 D+ r( T  E2 Z8 z
所以蝕刻吃他最多
, {. |& Q9 K' r5 C# v+ ^- y9 l主要部份特性就不會被破壞) i2 F7 N1 z2 O: E  B6 \3 q
9 x  u$ E) a) |, }) y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 ^& p! v, g' ]* M) d, ]所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享0 M$ J  `; p& [5 p0 O
# C2 A9 G, P! ~0 L, l
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' p/ {$ w2 S5 f3 o- S+ M還有電容也要加/ N* o4 k5 s: ]9 C$ W+ n
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 H$ C  @& M  S7 g7 U
# E# u$ W' A/ k6 J* T6 }and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% l$ J! M$ O% x- u, |  Y  dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ k" Y; n; \, S$ J& q2 P/ E" J& X) N) M
) N5 o4 n& c. d
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* _2 \3 p  C4 t: L. z/ `5 q' W
% B% Z% P+ A: v0 }
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 v6 L( m6 n$ q( V! P

8 o' o  M1 d* O/ f+ ]數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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