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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' p( A- ]- M5 b9 I* U. M' p6 s- _- p$ B  {8 d9 |9 W# f7 o; [
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 b0 X& V8 i; z, z: v6 ?大部分是要match
5 L7 |! L$ i! B& |4 XMetal poly  density  不夠
/ K% b& y4 M' [7 h" B& C加ㄉ那些也較 DUMMY
' k; H/ E7 w% z- C- N9 `9 D. j% }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' ]& d: o! q, P! {- O, \! m5 a7 w
8 Q; x; K) k1 n. @! X

5 O" p# ?$ I1 _; W- r$ J    感謝樓上的大大
. i5 O% g3 y2 X( `! H5 A3 R2 b   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* ?/ q# A! P3 _3 v% w" M8 [& W$ i4 v7 N3 Q2 F

: q/ \7 b+ e5 |    感謝您回覆的這麼的詳細
5 R% [0 M/ T+ A1 {6 X4 Q# h! v您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# c* c6 d$ g) c/ n6 x5 i; I

3 ?& w8 b1 T8 @8 d不過簡單來說  I# I. i4 L/ _2 A4 S: X
在製程時食刻會破壞掉你的元件
% b" I5 L% A7 f! x- F而特性就被損壞
8 D* {0 e4 X" n! t1 `
! m$ Y8 g: g1 Y' f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! U. ^3 q. L; M所以蝕刻吃他最多
& M& q! C$ b; W: O" }主要部份特性就不會被破壞  [8 C; @7 j2 d  C& ?1 y
8 V* y6 i  }! X& |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 Y+ |2 ^& G8 C: r3 o- o; u
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- V3 I) C5 S: U

) `9 d. j0 n$ F又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
0 a  L9 J9 }3 t5 \還有電容也要加
4 q. S1 ?% c4 g$ n) O2 U6 _7 U若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) h5 r) ~; G" q2 @

& x, \3 l  d* q  Y, ^* n2 S! _$ N% w! Gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 }+ c  t( ~6 v# V6 @$ ^' X+ ~vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

8 W! d* n0 a. q# |8 _8 G# `0 k( L
: l4 Z4 v) n( T6 ~) A- ~8 q6 y1 ~# G& `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" ^( E! Z! i2 E- m1 Z$ M

2 `# g. J$ p5 b; f# V( \6 J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" E# C! w9 y. ?' M, B" ?& U3 j
( c: n4 U9 ~0 ^& p數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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