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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. H0 h# o# k: g# J1 A2 B$ k4 s2 j4 ~8 ^( U' U5 D
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 F4 _' t& C# N1 C$ L# U6 J1 S大部分是要match
0 W. t/ C& F$ s* t! @% t, ~Metal poly  density  不夠
- c" E' n2 I2 o" a/ S" n加ㄉ那些也較 DUMMY
: `+ a; P& J% v把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   f- N. u! |+ {
) c! z* z# `- G4 E+ y2 d) b

! E, @5 l. _9 G: L7 V    感謝樓上的大大
# K( [1 b7 \3 q  q1 S! T3 L1 ~   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
1 y; ?' w; v/ j5 W' p3 G2 a* a5 }, D, l! n
1 J- ~3 D6 U" V3 Z; e
    感謝您回覆的這麼的詳細- v8 P) Z# }5 N" ~4 S
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 b, A  x, L7 Q2 O* `8 ^' `! M, b) C6 G
不過簡單來說7 \1 q' u' `; s2 M: K
在製程時食刻會破壞掉你的元件
7 _  ?7 u1 ?' \2 E! j2 L而特性就被損壞
- v% J4 y$ Y  `, q. T% o
7 O7 C3 x- }2 `" E; b若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 K: E+ |* Y  _) o& f) u, {2 I所以蝕刻吃他最多' v5 O4 a% o- X. m- t8 n
主要部份特性就不會被破壞0 e( J& {$ X1 @, P) l
  a8 T# l& _8 k  y1 W8 K
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>& ]* p5 l9 X6 s% O% c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: n+ e! }% j* \9 e6 C+ u  {. D8 K! c$ b, b0 ?/ m
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 d# p/ q- H7 R, H3 I7 q
還有電容也要加% N0 ?- e. C4 W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
& w1 _0 Q3 n! w7 I- D
" b& o' g' J! R! ?# T9 S6 aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...6 h! E" {  v% R5 h4 \
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 F8 |6 h+ [( n6 b# t; W% B/ ]

1 o. E0 C8 s' J' Z: d+ V2 i7 q! @; T$ Q
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" z- ~: a+ l; q: v6 Q6 L

# ?+ w) q& R! J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
6 ?# P+ v" I! W. x9 u/ Z- e  Q( x7 J# t0 W. s! L  ~
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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