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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" n! @; u! t) e; o, M1 d' A: t* `  s0 c2 F$ T1 T1 S
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 w8 P1 G' v/ @% I- l0 ?$ e% p大部分是要match* l! x% H+ m* \* J9 c4 L0 ^7 O! M! u
Metal poly  density  不夠7 B, D+ A$ e3 j# K4 c  L* ^
加ㄉ那些也較 DUMMY
* F' a- t, o9 j& s$ k3 \/ m  ^9 X把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 I  t' X) m7 E- O( W3 W" B& x& E" Z5 f6 K* P! o5 S

5 r# l8 b( F4 ^2 h( x    感謝樓上的大大
- o9 g# c% C( i( B$ T1 V+ g/ _   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 k( G. g) z& d6 j  P! q! m
3 H" t$ x$ E7 D# m# D
. o4 R1 f; {3 V' I    感謝您回覆的這麼的詳細
* ^: P8 y$ V( K3 y& K+ F) g您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 j+ |* }/ Y- G% L5 x/ X; `; o0 m
% O/ Q( a% `! H- _3 t- g7 O0 Z9 ?# c+ L不過簡單來說1 m+ q9 ]5 M; X% V7 q; R
在製程時食刻會破壞掉你的元件
! R' c( O. T, @1 m0 `* c而特性就被損壞% m" w8 C- E( U8 O; x
1 d; o1 }% G2 ?$ {
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' V- p0 v' b1 I所以蝕刻吃他最多6 K' Q; q* Y  L! W5 A/ \9 f) ]+ M, U
主要部份特性就不會被破壞& ^8 N, Z/ ~7 z- Z7 \! d

2 I. d  m" [) I很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  _% Y2 h5 b3 I/ c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享$ A! Y2 c  X: B1 Y2 V1 W; z& ^+ Q
, r0 K. m3 j- v
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
! u3 m% d# n; w- z9 ^7 B還有電容也要加
( J7 f+ v" E$ E7 w4 ^若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( z& V+ d! G1 Y/ z9 [# O0 a
# C$ {# Z5 a# T; iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; r1 r5 C" b  M, w/ L; a
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* s. m) g8 ?6 w, a( _
' G2 {* G. T6 l- U" T+ z
# Q6 B/ b) [) j1 H
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??) o3 D" Q. ?, c/ A+ l) J

$ F3 E3 q- b) h- v$ T/ ]6 ^$ r0 o如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 [- ~8 N/ T3 B% N# f

+ d  n6 a; H, [; C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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