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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- K3 T+ Q  Z2 `& x( \. k$ q
+ T$ ^3 d5 @' y( ?$ J- [8 ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" h& a: g; ~9 d$ W1 Q+ j2 h大部分是要match
3 _- H$ R; z& l8 E% A7 VMetal poly  density  不夠
9 \( [7 K9 U3 ^. Q. P+ Q; F! G加ㄉ那些也較 DUMMY 1 ~+ f* b0 j3 Y2 I2 s
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. G$ @2 N' w/ S2 a; _. B% [2 D0 S
% \% F1 i! ]+ l. u. ^( _, V9 _# W/ K4 f2 a: Q& A
    感謝樓上的大大, i! v. x2 s9 K, y, n# o6 `2 f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* x9 F1 @$ e/ @4 K6 K5 W. ]* ^& L- @5 h5 i4 c5 y

! z8 J5 O2 o1 O3 {- f    感謝您回覆的這麼的詳細
& i- N3 f, T* K/ y0 m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ k% t# X$ ~* |9 ]& h

' j% ?8 {* R; J% |3 L不過簡單來說
1 ~( S. m7 a' G3 Z+ _* G' H5 B; A在製程時食刻會破壞掉你的元件& w/ F0 M9 K, ^6 y- g
而特性就被損壞
/ ~' t5 `  \4 p( t2 f. n, i
0 h- t9 {$ p& U4 R7 I3 i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>( v8 v# a( |" ?( P4 E! a
所以蝕刻吃他最多
5 F3 o9 f9 ~$ {- A$ g  T主要部份特性就不會被破壞* |% `( w# l3 V1 j: ^0 q
6 o# S- a! s: z. s' y
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 V* \) v3 ?, _) z( ]! H
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
# B( z; p7 O) S
: q! i' O4 M# ~% K又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ t- Y. ?& v1 c4 R0 _4 L# M
還有電容也要加
0 N4 G0 [) T: d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" K! R, q: _5 q" |, }
3 d5 C) ^) f  i; @7 Aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 l# O/ F% L2 ?8 L/ _
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" r3 z, C1 D9 i  [( M+ Z. u/ n  z

0 \2 e  O8 G' U, ~/ {- N6 t6 g) x0 L7 Y6 Z/ B+ K9 |
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 H: v9 {) j/ x" N" s5 t7 T; z

% a8 I# U, I' }, N  I* N( Z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, Q' t5 K4 _) m9 p/ b

9 s6 A8 Q7 }5 f* o" A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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