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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 {- x& M6 B6 d% }
; _$ D$ n5 F; upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; |1 z; U$ d5 x) r7 D
大部分是要match) x$ {* y; H" x2 Y3 x! I9 z9 s
Metal poly  density  不夠
- T& |7 M& [0 L加ㄉ那些也較 DUMMY 3 k- m, t- A! A1 }& }3 d) A% t4 L
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 `7 x1 y: J  s

+ M3 V# z: J" P* F
/ ^' x& }& y" g) s: j- w# z% _    感謝樓上的大大' {( C  h5 f2 A8 R- \# f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   n6 T' ^; e* y3 @" ^+ H6 ^
+ T, O; n; o' k6 r; B
9 `' B( [6 r) B' }
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 e6 f& h0 T* D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 l2 l4 C% @' ]- m) K/ P

& P+ e3 }8 M) L0 ?& \不過簡單來說: {; i8 C5 \% A& ?
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* m/ p. z  ]/ j% w) z, q: @而特性就被損壞3 O8 \* N  Q$ c

$ \5 u8 S# K: s5 E5 d/ ?, h若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
4 c" J+ \% |% F# {所以蝕刻吃他最多+ a8 o$ x' ~# Z8 _: V& S+ e
主要部份特性就不會被破壞( h9 D! C  V! c) |1 Z+ O
) n) h5 S9 R9 Z' b, ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 r, N& V! p- J& \2 ]
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' v( R3 L+ `( n8 k2 ?$ h) o

8 Q5 o: h$ H8 ]2 d, R/ {2 h又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 O; R" ]3 b: }  o  W6 _還有電容也要加! R) o' f$ D. z' `
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' v5 i; k/ W6 r' p" z6 c0 T7 n' ?" d/ V
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) L' h' {. |8 C& a* m) Evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 Z3 n$ E/ T) l' j0 b  W
4 N( m8 Y' L1 V, `) z  g" ]
  b! v# t; P: ]% s6 x! P
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: o1 B; W9 K) E! V8 `) o0 M3 ]
# F% m0 K. B$ n* P4 ]如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* I% W) j3 D. `% S% g' M# E
, j; J6 r3 z6 _) d. h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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