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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* r( q/ f9 h2 z4 m, s
1 F6 ~% ~6 ?& S& _6 W" O" ?0 mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
( y" E2 d- o, h$ T6 ?. l# z- r+ r$ U大部分是要match
# N( z, I) f4 W- d+ P6 l+ @Metal poly  density  不夠
# r+ S' u% L/ X5 P8 R加ㄉ那些也較 DUMMY 5 o' ^5 I% E1 g7 j
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. L; U. M- f7 Q( R: M' _  t" L9 p# F. T4 Z* l2 R- o- I! w

% B  P5 D# Z! Y0 s) E    感謝樓上的大大
2 d' D0 `  _5 _" u   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : R8 c: M5 q# Q# a- p5 R

1 Y  X7 |5 L$ b$ |! z2 x  _8 ~- r" `5 T0 ?3 a  k! a
    感謝您回覆的這麼的詳細
9 j* F7 Z9 d3 I2 q* B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. j8 ?8 J' {0 ~+ h( d+ Z
" Q& }$ o* `! n
不過簡單來說. x' `5 I# n' W5 y' v, q
在製程時食刻會破壞掉你的元件, h* B( B# m( J" {
而特性就被損壞
, z1 @' z# l; n7 D! h+ g0 J/ p3 X- s9 Z, ^
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 H) g1 N  l. m- T1 y
所以蝕刻吃他最多5 i3 y7 `, R$ k7 ]7 E
主要部份特性就不會被破壞
; |! N/ f# s8 A9 J, {( K+ Y& l" i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; R9 u, l2 N, j: ?$ m所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 G( L' _0 j) s$ i$ y6 g" _

- d! S: q: z, U5 ^, V7 A$ ^/ w8 {/ C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. I; t' N' o+ N$ s$ k' b. X還有電容也要加
" s/ L" b7 }9 m: ]8 A2 S; V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 \7 j& E" ^! H* s- g. s

' @' s! N3 y! g  J' X/ Dand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. F; D8 p7 D8 P5 I! E; F& s$ @vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: B" r: H! d, f; ~' N  Z5 Y* A
3 b; m0 `6 }; A8 S& I7 N6 E# Y
; {% r7 I0 D7 B
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
7 R# l8 J$ A3 X: ~/ G4 J  ^2 T# ~
6 f! E  d6 l! n' v/ `如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 t' ]9 ?7 G6 R; a( ^4 X: W

/ b3 Q% d: U- Y# v* W數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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