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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
4 L& e6 [$ D2 R5 H
) j# p# }# e4 X+ o% o; B# K8 {poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 Y, P' [  w* x( F
大部分是要match
( `$ y' N6 x0 W% \/ I+ `1 bMetal poly  density  不夠# X0 w+ T2 p9 ?; X
加ㄉ那些也較 DUMMY 4 i( v/ W8 T: X. z2 Z9 x: `4 b
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 Z  t! s- F2 g- r; x
/ H: a* |4 F' O* U. |
$ J( ~7 S' y/ W9 _2 ]% [    感謝樓上的大大
0 F* h. T' C, T% {( d   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 G. ~6 O* j3 i' \+ I

% l/ o9 x* i+ c' J0 h, y4 ]
; V$ G  L. K1 k    感謝您回覆的這麼的詳細
! e5 x" C8 T3 c/ N  h您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* o& j0 l  H% T. B8 Q
8 z* P# i! o  e' N' ~不過簡單來說, I) e2 Y& f0 d) m" T( z  N
在製程時食刻會破壞掉你的元件
% @' n  y. ~$ g$ H+ u而特性就被損壞/ `% j. `" U' H4 |) ^+ I

  v, Y, ?7 x% u3 o: X6 x若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 ]5 {7 u. P$ F8 I- A所以蝕刻吃他最多
3 A" M7 l) t5 F& z( k主要部份特性就不會被破壞* E4 a, C1 y& H
. O* D0 S9 Y! D8 H" J/ T4 H
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># y3 y$ x" r0 P9 Y# E
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* z/ [: J3 v* c6 b0 t4 W# Q5 }# z7 ^6 ~4 G5 {6 t( C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& ?2 p  g) H7 t9 E1 T還有電容也要加
/ ]  e/ `/ C* C; |8 h- z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( s4 \5 k2 ]& f" X, ^3 M
1 _) {+ q2 `1 o, M) vand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...( O- h+ ^7 l2 l  _2 `0 a0 c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; ^/ G1 s2 w4 Y' h) {8 @/ C/ a* s7 Z8 o

. S$ K; }# V+ B  O: S
& m! v% v6 t! C6 `& F; u: l9 z0 s    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( e1 k8 y. M( h4 g( {! r! c4 h% ]
$ Y& [, U$ I$ ?% ^: \& b+ p如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) L% V- C7 r+ ?: K9 ?) j& D$ B, {5 @( C
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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