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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- k( }8 ?2 Y; g

+ k$ w: K, G; r( Ypoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  z- j- h% M% f" g0 @7 J" q大部分是要match
) e1 q! S- X9 Z+ H$ JMetal poly  density  不夠! L# S  Z5 m; ]5 ]
加ㄉ那些也較 DUMMY   Q8 b9 F5 G* Q) [; J4 ^
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . X1 Z* \1 z  n3 \, J" l
% ?+ g& J  g" {# q

( t$ r3 x1 S6 q0 E    感謝樓上的大大
% j  F  ?) @" _  h4 Y   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
8 m! b4 b3 z# }" B( l
4 {# n' [/ M. d% L$ c+ h* P
3 N3 q( V4 N: u4 ]    感謝您回覆的這麼的詳細
+ i: ^1 h' K. L  {您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 R+ m* a, w0 P0 L5 Z( C' Z% `9 T5 t0 f4 G
不過簡單來說
6 e. L. C, r0 }4 j在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 M3 L) p+ j  M/ w- Y; X1 U而特性就被損壞
- ^& d  ?5 h4 }5 {& r  [
: v. g, p$ l9 G& i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ g( m$ N; f& \2 ~所以蝕刻吃他最多
/ I6 U/ E3 E, O6 i1 Z主要部份特性就不會被破壞
" Y8 [$ P- C# m9 u
& \1 a# f. T: m" R( B很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( O3 ?; [' e: V! W
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ f, n: n4 K7 z
9 K' E. i% p& F2 f! {% _2 k$ \: e9 f
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 }4 W: Q7 s* }- @$ X6 [" K
還有電容也要加7 }; G& F* I+ R7 I7 X7 I
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 @9 s( F. A. {% K+ h  a$ y, \$ Q& O) Y$ `+ U6 W) U7 ]+ r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. D! `! ^- j- V/ U$ bvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 f5 h0 ?, I+ \* Y" e

& S) z6 U3 J( i" U6 N& R0 f  u' J, H1 G4 N. C  v* }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! F% g. l6 K) v; v. }$ I
4 M+ q( H; x% X) q5 Z# U
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) a: K, D$ s* Y* L; V

+ m8 m9 U+ ]/ G; N7 _- k, h數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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