Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 55188|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ d. F7 g9 Z) p4 ?' M7 Q
8 D& F* y0 m6 M1 _% d( a9 \( k( \
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: b6 `9 M0 [9 {7 b# {大部分是要match
6 ~6 L7 q; u; |, ~! i  LMetal poly  density  不夠/ q8 i0 |7 t/ c+ A4 g1 e  g4 J
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 I% ]! z) |( |把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . }$ [5 R  `$ o! E0 J
0 C, e  I4 v: d; u" Y+ C
  C* w- Y1 O: w3 f4 i5 A$ f4 t
    感謝樓上的大大
( [1 o0 D5 b7 m! O6 V* W) ^0 m   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 1 Y. a  H" m3 j# u$ K

$ A  q; L( v# i; j
; R' S6 E) Z* p( A- Y( }    感謝您回覆的這麼的詳細2 C' n: ~# x& ]: L
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* _, T, V3 Q3 v7 f+ [/ t2 _8 [  q8 `
1 k% z0 I/ U! x6 s: X
不過簡單來說5 k9 i1 v, V- j5 `" \. U
在製程時食刻會破壞掉你的元件
; x- q) U, H$ n5 K0 W而特性就被損壞
8 v0 M% F' L; s3 \+ @! y1 B9 [3 B) f5 A0 m4 V  f: J( a2 z  x0 y
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* J9 a8 C+ z, d& a+ h' C
所以蝕刻吃他最多/ w4 v0 i! n: j- g
主要部份特性就不會被破壞# u0 \( K' l" C

# i# M8 g# R$ H# y很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 k1 a0 k' G! ?5 y2 W所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 A/ o" V9 o3 u3 U. G
7 R& d, ]" Y8 u- K. ~
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
3 s  ?3 D! B6 t- B1 L1 k9 |3 D還有電容也要加
( k$ v3 K6 A: E若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# p8 `" v$ u3 w: A7 _" Y# }# X% W6 t: S3 A+ u  d/ H
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
; e% a) ^6 b5 @' ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
1 I1 }% Y- H7 d0 f9 {" f7 a
# u0 [# L. R; f+ _! w1 S/ [
$ U! {$ A4 S2 T- i( V8 M
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 _4 S% B& s  ^' S1 G- t
2 x( P+ I& a' @4 S  v, S如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  w5 k: X2 x9 V" j. ~
/ c3 B1 p% U: w3 C! c. x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-9 08:05 PM , Processed in 0.189011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表