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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% r0 b" m  l& ^% N" k
4 A2 }1 T  P: k( Spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  ]' Q2 z+ s0 P' P大部分是要match) m, q- L3 h3 T* J- `6 D
Metal poly  density  不夠7 a! f! m" }* I, i& g8 j
加ㄉ那些也較 DUMMY
  _( }  `) V+ I把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% j3 G3 ?& {  f3 }
% q; w# `3 r* L. S, E: x" a2 }" V1 k, A8 T# o4 x" u
    感謝樓上的大大( B( `5 U+ l, t( E9 I& m
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' m6 _/ `+ a- W+ |

- k/ v* a! A# F6 k3 {
4 K# ?5 v( j/ b2 g    感謝您回覆的這麼的詳細
4 J1 k" h# X# |, i1 O8 E0 Q8 v+ k您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 `; n5 U6 `2 g6 |9 B

+ B! G8 _9 f2 B! h+ v6 a! J2 F不過簡單來說
* d- ^+ o; N* n: M! \- K% F在製程時食刻會破壞掉你的元件
) y/ F: `9 I3 Z而特性就被損壞
3 \& B( g  C3 e. K) v+ B2 _! }) @
* t7 S& F6 D- h若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 B5 \0 N' ?+ ?' g6 Q+ N# L所以蝕刻吃他最多( |0 z  x; H: u4 }! Z$ O* \0 J3 T4 r& c
主要部份特性就不會被破壞
! _7 k8 B9 G/ |- t1 G% |
3 V2 x0 A, z; f6 l4 Q6 |# |很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: S% P! c6 U+ k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
  _& a' r8 P% N2 x) x/ H9 U: ]7 M+ H- y+ Z! g
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  ?* n7 s0 _; ?, n還有電容也要加
! P/ J" W3 R3 q4 ~* v4 f! K若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* b' H0 @. ]( l5 y4 B% l' l: t

! Y2 {: M8 Y7 ?; Y2 eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...* t4 M( ]1 S9 X. t
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- f6 D  k8 s3 _) R
; L; |( l$ T+ p( t. K0 {: s6 C3 H+ y: I7 a0 T, a  R5 n
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 b+ L' H  s, B6 ~7 f7 S1 U2 _' G. }) g( \0 p" n: G
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 H' Z% p' P+ d+ X

2 j/ y; J6 |/ f9 }  g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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