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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. a: v& @5 }8 ]. Q' c2 f: z
7 W8 z4 Z, b8 P/ {; m* k5 Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! L+ h! U3 S4 p! V
大部分是要match
9 N6 B  u% Z6 x% s9 d8 V( ]Metal poly  density  不夠
/ B# D' j! Y: |" I' W9 d加ㄉ那些也較 DUMMY 5 o1 F! h4 b  k5 H3 ~" h
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! G( E! y9 f' \- e6 z4 E
5 l0 t& K+ Q' f* }5 M8 t* n. ^

2 ]. m* c( D8 X" s' B2 g$ [, o    感謝樓上的大大
- n7 \! n& V# l$ p& F- o) P. T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( N+ U7 s: m/ l4 e" V* Y7 [6 J) N4 Z3 e, `% Z9 H4 ]9 Y! I

* |. L4 ]/ O  ~2 u: r    感謝您回覆的這麼的詳細
& N$ l  ^; Y6 O! {5 f您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) L/ x$ k) ~, U8 z3 G: a

% z' C, Z' r3 M- w9 ?3 C不過簡單來說- E- ~. G2 ^3 I; o. g4 ?
在製程時食刻會破壞掉你的元件! a( q7 ]0 B0 x2 Y
而特性就被損壞
9 |7 j9 S) K+ \4 v# s. m. c# X& H5 L3 Q8 Y- j& R9 _
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; u# g0 O1 ^! A所以蝕刻吃他最多
: e7 Q$ ^& r5 F( _主要部份特性就不會被破壞0 E4 U+ U0 r0 k( D. C/ x" s

# K' W& w( i/ \# f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) s6 P) E9 v1 G! M所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ C7 b  \1 O% M# h. J

! p9 ~( C2 w9 z7 H( U+ ?又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 X$ s9 E5 M, ~: o- v還有電容也要加7 I" [8 i$ O; r* X2 c/ K5 }
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, Y: m7 b; u* n# Q

2 L# m5 L/ p$ J. J0 Fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  U4 i1 X1 x" w# T8 X* Evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
  R6 m5 a) s' ]$ ?

, D' p+ w% U0 G4 f( v5 S2 b/ a5 r9 j6 j  e1 U$ v% l7 S2 g! n, g3 l; y$ y3 `
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??7 s1 }3 }" B0 X$ c

" _/ ^( W# E  m$ |* {* K' \/ u" t如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( v) k  J7 N7 E/ J
" F% G1 z7 l- {0 |數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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