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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* ]) M( M0 _: \* H& v, }  `! A8 B+ @: |8 h7 W' I. q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; M  d+ k+ H! N( ?* d
大部分是要match
9 D7 s' ~; v- cMetal poly  density  不夠( U5 `9 Y) ?2 s* g8 p3 a& s/ g
加ㄉ那些也較 DUMMY 8 b; u* D! Q( q1 A& J2 U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; i# Z  Z" L+ h5 `
' |. H: W3 m, a3 L; d# D7 k1 A4 q+ p$ j7 u* C" Y! a- M9 t' d
    感謝樓上的大大
  `! z) y0 [, U   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
% _! S$ s0 Q% e& g- f5 h, i( g% ?; M1 t
* o% e8 o) U2 \" D5 m
    感謝您回覆的這麼的詳細# w# Q" z8 @$ E; D8 k# H
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 m0 Z) Y- q7 Y; k& w, V, {1 @
# P3 A. k: y. P: ~. h. y3 a
不過簡單來說! ^9 a3 \/ B- K4 @$ O7 _! N
在製程時食刻會破壞掉你的元件
: F  ~8 ^1 k: Y7 a0 Y9 Q而特性就被損壞& P5 w4 |, V( b9 n8 \4 h+ W) g7 t& F
. l  N) N  r4 L2 Y+ ^
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 h2 s; A+ w5 k! T6 `3 K7 F( y5 x. ^
所以蝕刻吃他最多7 S$ q# O9 W8 w/ o+ J
主要部份特性就不會被破壞0 d9 ~1 L: W- ]
; _- T) z! v# W( W  K$ c' D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ J2 _4 p' G+ t/ o  _; ?( d所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: [' \7 P( N1 p; ~# T$ [# V4 S1 K* \/ E2 `9 m0 n- ~( i5 p  c
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ X6 P/ q' E  b# o* y! |% P' B, I
還有電容也要加
! l5 s( a& K$ [. b4 ?/ L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 a( g: ]: z. K  ~! q
% K% j4 [8 |' j) _. ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 z3 O% n" q) h& |% I& z( h
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% f$ Y7 C& h8 v7 z

9 q6 m6 o* s2 [: p  C6 n* Q) \- ?; f8 {$ M1 i
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 R5 ^: x4 \3 O1 d1 q5 j; q. _( v
. |; ]: Q2 f' k& S4 {8 r4 A如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 `1 B5 z  ?2 |. X
/ B  n6 t; E' X數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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