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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 D, C5 v! z! d& _; l8 ]1 x

- U% o) |% x, cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
- e4 t( h3 h; E& k& h: s+ c大部分是要match0 q! c! P0 r* C! u# [3 A
Metal poly  density  不夠
: T4 g5 x5 O& ]" A% Z, L, M加ㄉ那些也較 DUMMY
0 j4 k4 s2 Y+ n# r, g把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& m. [4 j/ p# N" q/ B
, }. w' t# U; d& r% m% x3 N' A( F4 w" T: M  w5 ?5 n% L7 `! K7 C
    感謝樓上的大大( A7 {& q7 T6 J$ ~" ]1 b4 g4 q
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " w8 F1 b8 |# ?# I
' m, w& z; G5 M
  h' q/ \% l* B! Z
    感謝您回覆的這麼的詳細
! K& X8 x% K! s您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 B  [0 j- q0 B% i, e; \
+ x. E: x7 S8 H" i* w不過簡單來說
- D; C) b+ l- l( \! y" ~& u在製程時食刻會破壞掉你的元件
  M+ r6 w  B1 M* m0 H5 G而特性就被損壞) W  [7 n* R) b  }2 x9 q

& h2 U) ^& e, x# `" }5 u* Q若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 M3 Y% c4 _4 T5 i所以蝕刻吃他最多
8 _' J7 E$ C, V8 _! E0 Y) H主要部份特性就不會被破壞
) E( W1 d7 @- Y
5 ]2 }1 s4 ~" p很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ P$ E) q. G/ w- R( \
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, a& T1 _3 A; X7 h; u
! N) H2 q  ~: o& h1 Y* Q
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* f+ A' P4 Z  @) n- `! C還有電容也要加; F, W9 B6 ?1 C' `. v$ x& x1 t
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 {1 {$ p* G* A
5 ^7 u8 k  _8 e" ?; ^8 ^
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( R9 q" o; v/ x. O7 l: }vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# v4 S: B5 b6 I% \$ ]/ k& m6 K
; V# y9 }- n7 X0 h" w
: q; r/ U) t3 N9 G) T$ C    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, @) S: s2 T2 F- M0 I" E  [* r: n$ o+ ?* A# i
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 x/ W+ l' E! F/ e( Y% G* u6 I
& b4 [4 O. u* Q& o
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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