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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% i4 @8 s8 K) E
5 _  ~5 g' N9 u4 {6 m7 X
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ e4 G$ p  c  K, [) r大部分是要match
3 I5 ]! B, u# ?* z: SMetal poly  density  不夠" k( ?7 k2 c$ ]
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ Q( V% ^$ J9 d4 _把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 Y5 g5 O: U: F  p( Q
6 `  g! p3 z; `) Y( Z
. T6 R# n8 h! |7 U# ~; y
    感謝樓上的大大
8 n1 j4 U* A. p   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, \+ y$ D, Z) b* n: C  e$ H* Z& {9 r. {' r# _
  O: I+ D2 i8 J  i- V' {
    感謝您回覆的這麼的詳細: q. S( W! ~" _& _5 u* q# l' d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!1 Z7 m, N1 q3 o. ^! |$ Q$ N
6 |9 P/ Y8 u; q6 Z) q% t
不過簡單來說
2 A/ K- i5 o" t在製程時食刻會破壞掉你的元件" x) m/ s2 D9 c9 e7 `2 k
而特性就被損壞
  H) o5 @- w# g8 G3 w  r5 ~+ m/ v" N3 j1 x( \6 C. I
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; e# k, L8 h# }/ _: g- b所以蝕刻吃他最多
. g0 y9 g/ ^& S4 Y6 @$ i! ~4 K主要部份特性就不會被破壞0 x% @+ b) K. d: G" q9 @+ f

& G" o7 _* R1 g* A! _6 G很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 u0 r, D- Q5 N# \所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
$ \( `  |/ ]4 Q: o3 S9 o2 ^! K( y6 ?
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& ]; ]* ~4 `$ G6 V, J: h* V. O8 ^
還有電容也要加
4 x9 k8 a. E4 Q+ @& {) x6 h若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) G5 O! [3 x& w: ^$ u  H6 ^  G- j6 ^( J$ x/ J; J% _' J
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ ?) a& G! @+ h& F* `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 _, k" u4 A8 b) i5 U# x
* I. @$ [8 i% s0 R: c3 Q  t) Q- v( a3 M! ]
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% }/ o- }3 `4 Z
* l( Q8 E- N" y& j* s
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 ]1 b. ^1 `& l: q9 T% \- b  E
4 T& ~0 C7 p+ X  X* G
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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