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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias- K3 D" W, G) g+ J  R
+ q  P( [- k8 Z$ w% ?: h
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; P  \5 E6 f8 u1 l0 g  J
大部分是要match
& z' l9 h* G  i9 `5 nMetal poly  density  不夠% T5 W5 }' T/ ?# K" I3 [9 W
加ㄉ那些也較 DUMMY / X9 \4 `% O+ }* ~
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 `% O% f' k  l2 ^: f

# U1 j# F! ?* N' {: ^( g' l
* P% m. J7 k" T3 f# Z    感謝樓上的大大
2 |/ x/ f- T4 R, @3 J9 P/ l   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 t$ y. R9 g8 g/ H& z8 U
0 v1 t, Z+ }2 E; Z# c2 `2 k
* }$ p1 r( k* \+ ]4 C    感謝您回覆的這麼的詳細/ D$ Z0 N! t; v
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* U$ J3 a9 x) T" l- [+ P6 k' x
. P3 D1 @, \" ^* Y" \
不過簡單來說
, k' I& n" n4 w9 S2 N  f" t3 ]; M在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 M/ n: z7 y% j  O- E而特性就被損壞
; Q5 }. A& e- Y4 }" ]* q1 M2 B+ e7 Z
9 b! v! }) G8 \9 ~4 ^- U若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 J1 a7 l' }! @9 H7 S+ G所以蝕刻吃他最多) l& L  E+ T( }) F: s+ u5 x
主要部份特性就不會被破壞( Z- e5 p- N/ f
0 Y# |3 Y. t" ]8 f9 n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- J. f6 G2 F5 d5 @
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% w: |) ?0 @+ B4 ~! [! c1 O# ^0 G$ e3 V3 D; J3 y; h8 k
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* E* t9 o2 }: o" m# l( y/ s# a還有電容也要加4 F! M7 l( j. \9 y  d
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# Q7 R- A# f; k- R
5 K$ [1 G" h- w( j/ kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
6 x8 T, x: i/ `% P, Z8 C* W# n3 E2 G2 Wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' m% E8 }# D+ r* O2 o5 W0 \* U, L$ W+ K# P/ }9 {5 S
* ]+ `1 y3 b5 M0 r1 U# R9 O4 U" L) |
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  v8 a/ j! Z4 R) i" N" n# T! v
2 U( l7 b1 b& x如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 A9 G8 B. }. T# n% d1 P( U  S, O" ]5 e$ e
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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