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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, W. s$ y3 B5 C5 W1 H" R  L
+ L* m, t9 |6 c. M; m% w
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& @/ @2 f! q  T& P8 J
大部分是要match
% x& u0 `8 K) G& x: R- gMetal poly  density  不夠" Z/ [- t, i/ ~
加ㄉ那些也較 DUMMY
6 p8 N* e" o/ E4 H9 i/ O) @" R把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 [3 u8 `, Y' B* r3 m- l8 H5 f) j' b
8 o9 }8 f) [; r: K( Z
    感謝樓上的大大
$ l% V- h' W8 n' k* n. @   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' X/ ]5 ^- d) [" u$ C5 {# L: k' {4 d
! q" r2 i" h* L% T4 \
5 C9 V9 _3 q2 Q! T0 Q: `) w$ P! Y8 T1 ?
    感謝您回覆的這麼的詳細  [  k% m* E0 x
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! |$ N( V! C! S  N5 D( P# i: P! \1 j" K9 f
不過簡單來說2 D6 V. e7 q% ]$ E+ x
在製程時食刻會破壞掉你的元件% l* N0 }5 o( X) z, d3 |$ L# P
而特性就被損壞0 S) m. P( M  ?4 E! }6 e/ Q

/ M8 @2 k! k/ K2 u2 l2 M若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; i1 t$ C' v3 }2 _  n* W' D
所以蝕刻吃他最多* U4 u; X: n9 F7 _+ d0 {
主要部份特性就不會被破壞
& v) l1 t3 e- F0 K8 Z+ G/ {3 g! l1 w5 I6 h) }
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 E6 _, }; n. J) v* g/ N7 \6 E& _
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; W# ?- R3 Q( K: f& X& N  h; D% c" h
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 M6 p! ?) s; H9 i8 x5 U還有電容也要加
0 C5 M- o2 J( q若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% Z4 H% n- K' R  G7 _5 M
" s+ r" ]' k' b6 u$ O, f3 N: l6 }and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: q% e1 u7 c  g" C2 y' Pvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 e: K+ j# P0 S" U2 [1 k/ v. c0 w9 s
* V3 g9 `. g7 D$ e. b8 Q/ {8 G4 X$ D
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 a7 i9 _9 [9 v; |/ H. X8 j
; G% t" J  @1 `* `. z6 n
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 F* X+ E; l+ K( h( C

+ M1 ~9 C8 e$ S" f' t2 S) m/ P數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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