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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) P* N5 n& R1 D0 E6 `7 _7 `+ l) `! O1 ]& Z% t4 _6 M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" T/ ~! b% G, }5 x% I% o! g
大部分是要match0 R- D  `, M' |6 g* o& {. r; `- l& v
Metal poly  density  不夠* K9 u, G% c$ \% C
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 K& I; i4 U1 h  t. {- m1 T把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' l) B/ e9 J! K0 H. u# C

, F, j, W8 k: ]7 G8 o0 j( T; ?+ [- g0 L* ^8 P3 T) ]: U& W
    感謝樓上的大大* g/ o9 T" \# ^& [" \( u/ q6 s! D" v
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, y$ r1 b/ z6 |* M: d" s& B. r  D  @: K1 ?3 d8 @

( i6 T1 o9 |+ s# ]    感謝您回覆的這麼的詳細3 c( b  x0 l2 z" v# @% K5 L2 l
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ ], V4 N" g/ V6 `- ?8 u
  J! }( P1 Q& M
不過簡單來說
: J% D' B2 R, Y# |# u: U( ^1 a在製程時食刻會破壞掉你的元件( K2 [9 X  X. u% [( m" B
而特性就被損壞3 C, K6 R* R. Q0 X
$ C) h6 O' l/ V
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! B) @, ?% }) _. a% L- S) f; L: X8 b所以蝕刻吃他最多
* {4 v7 ^. c4 j& d7 I; Z" ?主要部份特性就不會被破壞$ `  L! w0 c0 c7 T3 C( N
" W8 H( ]2 k3 J3 v) W2 R5 I0 O, w
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>' n5 ?- `, a$ Z3 \1 g" e' \7 [
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. A7 l" w! c' U/ x! \) l* Y( ~7 D( L5 P
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 c( G" I* P0 ~# k4 r; k+ T2 K
還有電容也要加: `- B/ }: @! E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
/ J/ S8 E- b1 u4 d
% u1 ^, ^) O  R6 d! q1 J2 gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- r6 o  C- F* y9 @vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 d5 P" b! u4 @8 P

& b: x) W$ y5 ]7 [6 m( j0 g: `) s9 O+ T8 x
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; |# U: o6 L: T! X0 c6 G  q8 B) |. ?: E3 `6 k' J& B
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 T( h9 [! @. q5 e) U. p
7 W* P' \0 E; E6 o  n6 C5 `數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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