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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 n$ x+ B+ w/ s% z
8 H, w3 I' d! C$ qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  A! S( Y6 g! m: @! A& o大部分是要match" T0 [: j! j' v7 ]+ A& N
Metal poly  density  不夠( j% g( Z: p* @5 p( z# @( r
加ㄉ那些也較 DUMMY
  H0 g! s2 g, ]  H8 `' g/ r把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 5 _* v3 \, f* d* w' R( m; h* K

( N1 `2 q/ |$ h! l* ]4 {7 ]" `. H5 x6 s" F: z1 E) q4 E! `7 h
    感謝樓上的大大0 Z8 G" V% I: E% D
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
5 k" J* r9 m5 Y7 d! }( t2 M4 h$ b: O1 y" t* O# O2 `
0 f5 Y9 {5 }0 r3 Z. s
    感謝您回覆的這麼的詳細' P( L6 n0 |0 B( d- O, y- X
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
; ?4 k; ?* Z3 Y/ |3 U& J( J9 {+ p: x4 J7 B2 s$ u1 G% [
不過簡單來說
8 U$ u  F% `" r5 }在製程時食刻會破壞掉你的元件
% m* |# x% h; L& i+ K& R9 O+ X而特性就被損壞
# j. l+ Q& v6 b, F+ K  P/ E! {% n' t7 _% E
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. F- a: n6 l, U. M! r$ a# U所以蝕刻吃他最多% w0 u0 A  Z. A/ j$ t
主要部份特性就不會被破壞
( b6 R$ g6 K! w7 F7 C) g" i2 K3 Q- f* m. S/ C' e( R) _4 Z
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ S, y  o( h5 p8 l# M0 K所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) O6 \' E. p  t, L' @3 f2 w

) Y8 \/ J4 i" d. M又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
  N, Y1 V% F" ^* o還有電容也要加
( K- k( A$ \3 {& O( z若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 _  o& O) _. f8 v! _  x8 |  @
- k  [8 G  t: o( P2 eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
& M+ X( c3 A7 |4 n9 }) o' f1 Y6 mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" y9 ]# L& _9 P/ C; c6 J# w" Y

" W0 a$ N/ s& Y8 c0 z
  h* [0 k0 ?/ Z7 v: }    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 q, z4 H2 R) M% j% U+ y5 ^. \& N& T3 [8 W" s. f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) v9 s* j1 ^* z2 a& ?
3 E! L, v$ H2 g數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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