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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 A6 s( ?! o# D2 a( }, ?3 }/ r
- v! X% [: F& w9 }, ^7 `6 T+ |
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密9 k1 q+ c, F2 _$ b  L6 |; v+ W
大部分是要match
$ O: t  f7 _- q( D2 o+ ?& T" b! F( tMetal poly  density  不夠
& f% i* l# h' y$ a! ]( Z$ S2 G加ㄉ那些也較 DUMMY
2 w+ l) R+ T# F6 x) }; q4 E把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat . q" G! [. R9 A( y

1 n, p4 y- p* f0 r3 u# U9 R6 _' U  S  p- F
    感謝樓上的大大
# J/ b5 U: `  ]; ]7 g$ o6 w   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ ]  U: p9 j' a: q* r$ y, F0 Q& o
  k& K) e# b+ H9 v6 ^
- x" h/ Q: P5 L6 e$ Z& U    感謝您回覆的這麼的詳細" M! E5 a! r/ T* _* P5 g) _
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& x' }$ u* i# v3 d& H
+ |( e, X8 A" E
不過簡單來說& ], _/ A$ l7 S# C2 ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件4 M/ [5 b1 a% V6 u# d7 R5 k) R
而特性就被損壞
- D2 e4 o* E. e- a. a! E2 J1 Z
! K2 m$ {1 E) a% X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" @- \$ }' E! {( P0 D. ^
所以蝕刻吃他最多' A  A' u, v# q+ Y+ S! D
主要部份特性就不會被破壞, ^/ a& s9 _3 D6 Y" T

. V. B. c3 Z+ o4 ?- T( T很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ R( \4 ?+ n8 [5 Y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  @. a1 @' L  {+ C" T9 _, M% o
1 m& ]' d2 f6 D( S% R
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- B: ~$ Q. D/ v還有電容也要加
$ y. l1 i; A* b! U6 [9 h( h3 R4 n若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% C& c$ |$ u9 N9 U2 t+ W6 g4 f
) J% {1 B* f5 y( g# Z5 \9 Q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ c; I( t) `8 U: m0 j: F  S& V
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
; p6 I0 @1 K( g0 H

" w7 T2 L  Q9 T- w" T6 i, h- O- B/ P8 _+ E
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# c6 A" F) W( S1 b" W3 |4 R: z
$ K) f6 }- _1 M如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 U5 m- @. [( N9 P8 D+ p" O! e
0 J: A- i6 Y* H6 I5 H- o2 D3 Z8 h
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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