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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
9 H& p1 _& Q; `, G+ q) J  s5 D: ^( Q- o+ ]8 t* O' F
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( A! I2 n" e* k7 _
大部分是要match
6 d5 ]) _% l/ Q% T* d0 F, O6 Q/ bMetal poly  density  不夠
( v" j( W9 W3 |2 v* D' j; {3 r. J: z加ㄉ那些也較 DUMMY
+ ?# r; |) g7 X; H9 b  V4 f把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; b0 O: |, ^: J! ^$ z$ F  E4 |4 z

4 L! K, I" p) c    感謝樓上的大大' [. V- P# }/ B# W; P6 g, j1 M
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 h$ |! c6 a! {/ o7 u- \% w2 d8 P* ^, c
6 }# `, G1 g9 a* C3 U8 q$ N6 n6 {5 S
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 Y, }6 m/ n3 G+ |6 h& f% p; }0 N您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!5 D  d$ J; C* W/ U/ T" m" a3 l. m: ?
+ x2 ~4 q* l8 J0 d$ \. J
不過簡單來說( e" A$ {1 i$ |+ Z9 V* g
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* T! U/ ]- S1 @; V  F# ^而特性就被損壞
, {& |8 J5 W6 t7 a" [7 U* d/ d! E: \0 X7 \4 c  ]! t
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>) B# _8 x0 A( V9 _  @' s
所以蝕刻吃他最多
" K' V; X5 t( j# Z2 F主要部份特性就不會被破壞- [( ^9 Q2 ^8 F: [. F3 k; `& |
4 c/ Y+ [% N, \  H
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 e7 H2 p1 i4 h3 s所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: q$ Z# m9 ^) U5 _( f0 y) n& M$ b( g5 Q$ t2 H4 Q& N, R
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ |7 e1 b% h5 X1 V8 h
還有電容也要加
& Y  T$ N/ L# C* F5 ^若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 f* o, ^% t" e' e/ Y) ^6 a" N. t. u# v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...3 V% A) ]( C7 _) M* D* P& v
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# D$ E6 O. v+ F" q7 O$ |8 `0 |3 S- M6 F  ]  F
% s. N# q+ _8 q4 o; j) @5 a' H
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 c  N% a! r- k0 c( |
0 U* ^# v7 l7 T0 D$ F. I3 j. _如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 N" r, S8 P  b0 h4 x! U) R! z, W  n/ V- r) e
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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