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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 j) H! R* b' u) F' U8 l
1 K$ S% l4 [; y- p3 H, ]) X0 l
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% T+ E8 G" g4 d6 z& Y
大部分是要match2 K' o8 w5 w# O1 l/ j
Metal poly  density  不夠
4 f- b# D' z% Z; D3 ?加ㄉ那些也較 DUMMY . K1 @; _% ]& h, G/ X5 u
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( S' m2 R6 ?  N/ E& s5 s5 ]0 F2 R
" n" V" o4 n( A

; v0 A0 T0 a1 U, [6 n2 \) S    感謝樓上的大大! \$ I5 G* `* J) C, _: g: ~7 q1 d& y
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  U0 u8 a# s5 o3 m$ n2 H* ?# F! i
' J. p( i) [9 A5 m$ A* W. @- A9 v
    感謝您回覆的這麼的詳細
6 j- P; z' l& Q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' \6 ]2 L3 A6 g  Z4 y5 S5 l6 F( O9 ?* n& J; T
不過簡單來說
; o9 `. f6 r' I2 b在製程時食刻會破壞掉你的元件
  [. J" T" }! k/ Z而特性就被損壞6 p- h1 C" N0 o0 w) h: a, p( I  W
1 |1 O5 z) r& n. q0 h
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
3 ?$ K9 I0 ^- O+ w$ U$ c. ?所以蝕刻吃他最多$ o- u6 J, |* u% F9 `+ Q) }/ ^
主要部份特性就不會被破壞/ Q& Y5 m* Z2 G5 b! a! P2 D

, b, ^  U1 R5 P/ m2 \$ m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>9 g( t; D  P( ^4 F  M
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 V* C& L  j. x/ j3 I1 ]

  p" o, ^( n; t& M4 u( H/ W又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 Z7 i3 ?9 P+ h( f還有電容也要加0 c6 h6 k1 M1 |+ Y3 ^
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!2 d8 x8 W; l0 P) r( l

6 w/ J6 b  O. `; C1 y; t6 i8 rand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...: ~/ u3 {  a. d  h6 p
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 q4 x4 X# N4 J- R& X+ ~

0 w2 f( G1 Y  J! z/ j* g
6 n. F* K/ |& {9 M& A    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 b2 J! [$ [( a6 W
3 P+ V" N. d$ n" q( f* H: ^
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
4 y4 h3 t' @, H$ \7 n4 M) M1 G3 X: J7 Q7 e3 ?7 R7 k; W% C, b
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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