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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
  I" O' `+ Q* a9 P' J: S1 X
# Y# Y! |; Z4 Mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" s) v$ x, x$ d8 ^1 p# X& e$ l大部分是要match) o, J: m$ m1 Y3 `0 N% {3 Q
Metal poly  density  不夠9 S5 p5 D# a& p) v$ P, N5 y
加ㄉ那些也較 DUMMY 2 ^  ~1 [" m4 [' }: G2 U
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & `, {* G+ y& t- z9 w+ H$ `" F
0 t  x, A* v$ P7 n! q4 I

6 F# S" G+ t7 w4 D8 `# D* g: a    感謝樓上的大大% k9 w3 Y) A% L6 R
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * H* x0 x6 f! U, J5 B: `& s8 o

, v! u1 N! C) r6 h; m6 }3 d5 O* R5 I' k6 Q+ n* p
    感謝您回覆的這麼的詳細1 b" U! b+ Q# y1 u- e
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. d3 U- q, ?* X- V" u$ }
3 G& S1 {5 q6 l4 r' U. u
不過簡單來說
0 U' J) d* ~0 D3 ^" T0 j- C; l4 L在製程時食刻會破壞掉你的元件
& e! v& n- A* e- k8 _" g而特性就被損壞
$ B# J! }: ^' s: N, D' g  a: V1 @4 H7 Z; _
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
" R, o, L- g4 l# y5 D7 Q3 e9 ]& ]( Z所以蝕刻吃他最多, N' L8 P7 m8 D/ F3 a/ g4 n+ V
主要部份特性就不會被破壞
3 P/ s7 D$ ?$ H/ l! ^; e9 C% M& d$ G9 `2 O2 L+ K8 ^
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: Z9 @! |) Z8 t, L( X* e
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, L8 [& g: e6 X; T: S, D5 G2 l) R8 Y$ S0 E5 l3 L+ \8 j) c
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加, r9 d! `3 u$ ~$ S& V+ Y+ M
還有電容也要加% S& A, i3 R5 i9 E: o8 w& ]" }; h4 E
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  o9 W3 y7 W% T3 s2 ]6 \' k; K
& A0 A* F% a+ u  ?9 @( Z% h0 |# f: _
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
3 d; P$ `- d8 }) q/ Q4 Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ A9 t; ~1 l* X5 @$ y. k( F$ e
% J1 W6 S1 f) r- P" M
" x, T. V( F" [9 e# k    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( J, A) U0 Y% t

) J) h9 _9 v; q2 {+ o如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# h0 U0 r8 P. c: ~, w0 j# ]
% }2 s; s6 `$ Z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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