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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, P3 T: W! X/ _8 @& P+ [

* i3 a4 Z# i2 Q( mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  d9 }' R5 O% E* t0 X
大部分是要match
0 b  l4 X( C( C( y' \4 oMetal poly  density  不夠
6 N3 X  g6 n# e& _6 u0 [$ z& i3 x加ㄉ那些也較 DUMMY * r$ V7 x, _9 V, m0 g  |( z5 ~' s. E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 Y3 r2 v4 K7 P" h4 U/ S

' j* c/ g2 N; u! L* x5 {# q/ p* G% Y  y
    感謝樓上的大大
6 O6 R. Y" C7 ]8 c* R1 K, [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & o- V( m6 s( k9 ]3 c
/ o  _9 r) T" \2 T4 T9 t9 I

* a6 u' i/ L" ?& j    感謝您回覆的這麼的詳細
+ u* h0 r$ E7 B* c7 Z8 |您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; s! V+ J: C# T$ s* L9 Y+ z

5 e3 R' U3 i3 ]% L; c, U8 t不過簡單來說
6 |0 o- z6 _! u- e' \) _在製程時食刻會破壞掉你的元件
% w0 R! E1 w# p而特性就被損壞- B  q! A8 V' K& i

( _: ?& _+ q: R4 B$ N3 U, o9 M若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. t/ k2 y- ~; h4 R6 Q4 p# ~5 g所以蝕刻吃他最多
5 ?0 o& D. J  h5 A9 p主要部份特性就不會被破壞- I2 j8 R. u7 z. a3 K: a- O
* ~* U0 ~+ }# W# |/ W* f% h& K
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# D7 P% {! d' u" t! \9 X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 Q3 M" i" L0 C/ W+ k, j+ \$ R5 _$ F, o0 `# C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加' z" l4 v/ S8 A2 U# U. ^9 M
還有電容也要加7 u- g& m& L: x8 z' J9 u. B( w( ]
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 E6 D* r* f! J- {, b7 F, V  E5 a$ S& i- x. {
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* J- C- ~- D# Wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 X6 Q  o. M+ S0 B; ?
1 S! C4 }9 n; H0 J3 @( M2 {
/ ], \4 y, r+ I( u% k; ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 g' m# P! x/ v+ c! f# B+ f) _' ?- L: ~5 a5 t% V
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: o. C6 w3 O! S& @8 s& z( |! T7 Y' M# Z6 E
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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