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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 ^- C* i7 \. H/ k( v6 o- g8 L

1 [- y- J8 w1 J* `) x0 Npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# t) L$ d' d6 f  \% N$ U6 E! n3 B# W大部分是要match
" v. @$ B+ a) [  r, _. k9 U: [Metal poly  density  不夠
; j; `0 f2 h5 t  m加ㄉ那些也較 DUMMY 4 o+ j! i. y* k. H3 w3 X6 v& k
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
- i! b* E' L8 v) p6 t3 S+ F, n5 r6 K: z( |
: I) s# _" e5 V
    感謝樓上的大大
. f) e1 n/ Z. o' o  k' \2 A0 l' J% I# `   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 X3 f2 V5 s& ~0 U: B% K) ?5 I/ t5 I! T8 ~
* x  ^! X  `" x8 O/ c3 o; K3 X
    感謝您回覆的這麼的詳細( ?1 K+ @* ?1 P2 P! E. Q. A
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) }( w2 ?9 g8 s. S& B9 e

: J# @: e; u* y- _0 C( n9 Z不過簡單來說
6 j  ?  q5 `$ _7 v在製程時食刻會破壞掉你的元件* j: X5 ]/ V; y+ X3 _
而特性就被損壞
2 ?5 E1 c) \9 b$ ]* ~' l8 s& B$ s
  i" M2 ~0 A: D( t5 l若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& ~0 w( t' g: n/ a+ D
所以蝕刻吃他最多, }( t9 g9 E- t  V
主要部份特性就不會被破壞9 G: |; `3 j" K

' E; `2 P# T* A2 k7 U0 n2 O很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>; R5 I/ L& X: i4 @7 i- }1 L' P) m7 t
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
5 A4 }8 D$ ^  Y" K! Y% H
! s8 K" u1 l+ g* g2 d- M又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ x  @  L1 d0 c6 d1 f: @, W還有電容也要加1 f' M# v2 M5 I* G* n3 H
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!: X$ M1 ]+ X7 {, K
! S7 T0 ?, \6 ~+ o
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...$ L4 W1 k+ U  m
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

6 a/ ^+ s: z  [) v/ ]) B+ [0 f0 e% j' z7 E
' R; Z1 ]0 T4 ~+ C9 U; W
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. G. [  ]6 `0 ?( G3 d# r, b' w( g4 z- f
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??- l. y4 W* ~+ T& n- }% y  y6 f
. S& A$ K$ \; o1 V( Z
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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