Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54503|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ T8 P: e" {+ S" v0 R

6 q1 n' p$ @6 |( T8 D/ `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! Y0 `. O2 M0 P+ J& v% N! U大部分是要match4 A* K7 Z: @% ^6 S
Metal poly  density  不夠* ?) u6 Y1 i! I
加ㄉ那些也較 DUMMY
$ X$ F3 _. o- D9 W: @% Y: [! P5 m把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - d! H. m/ O7 l/ _, t+ U

! k( M1 H- M4 W
  r. S0 o$ `' U7 i, B' o% G    感謝樓上的大大
( q4 u/ C' N7 x! }7 b   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
- p# a: q* Q# j1 d' }
- Y5 \+ o# y* {2 `" l5 |. Z# S2 u; K+ b( r8 d8 V" m% C
    感謝您回覆的這麼的詳細
9 f; F0 q5 s6 \5 Q6 z/ M; V您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
5 ^$ u' z9 m" Z" T9 {& }$ }
# B5 _. f2 I  f1 g不過簡單來說
% K6 h  m4 `" A/ t! D* o在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 a3 b0 f& b- w5 b8 C: n/ Y/ V. m而特性就被損壞- d  L/ a# Q' o6 `( D" n, g& D! ~

, Z- p& K+ ?" G: B! q8 ~- N若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 H' z# u/ c) ]所以蝕刻吃他最多
* g& S% p8 T: X主要部份特性就不會被破壞$ `& K" N; a5 V1 {0 v: {* K; l* T
& t. b) L5 {3 H9 H6 A1 i
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 `5 a/ f( a" |. P; B
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
: _+ a; ?5 e+ f2 V: F
) M( P& j, d- N9 w& ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 P+ I5 u0 }+ b7 H0 f還有電容也要加9 f. T; \: P# q+ T5 h0 E" m
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 D! ^5 f# Y: J2 a1 H0 |4 s" O5 [5 I
+ a) ^1 V# {! m. M  Q# j+ {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." l/ H; u' o8 i3 u# ~) n
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 m$ K! ~/ B; L
3 \& o8 T3 ?, U; M7 _5 f

8 p& `& K5 }: `5 p    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
) M9 K$ ~4 y. r# |3 G
- O2 S4 _5 |" E如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. t0 f% Z8 M, Q+ a: m0 R/ z- ?' U( r3 J  S( b% W+ r1 @2 p
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-5 08:53 PM , Processed in 0.180011 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表