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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% I7 b: Z5 R6 }
1 F- {3 l0 a; r6 `3 Y/ d% w+ ]
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' u: l# c* e; f; _* I
大部分是要match
, e* b! P/ f5 [+ c! p- HMetal poly  density  不夠
1 N. B3 i0 O( \' t; ~加ㄉ那些也較 DUMMY
: n( x6 Q- ^5 C把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( ~2 b$ S, E$ ~* _8 Z* C
" G! a0 Q; R% D1 Q% v# n) v8 j; l# i
8 q. F8 b/ v/ B3 {8 V$ F1 e% y2 C    感謝樓上的大大: g9 z( v, _* R7 ?
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' Y% p6 \$ ~2 o" c5 c& g8 N# M
. {/ \! R  J- P1 d2 G+ Y
% R4 `# Q# u8 k1 x7 A  s    感謝您回覆的這麼的詳細
  V3 b$ h" @5 }0 d" B3 {/ X7 c您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* [+ [0 b; O7 d9 D$ [, o" @4 e
. s2 j. `4 h+ i9 c& r$ l7 e# D! i不過簡單來說+ |' S8 c' `2 D( \4 ?9 @2 ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 _2 S  e% ~4 o6 V而特性就被損壞
3 X, ^! U  Z9 n; P) e5 V% l* @8 E2 J
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: s( f9 C) f" {1 d, Y2 [所以蝕刻吃他最多$ |. S& \: I! S! F7 m+ _
主要部份特性就不會被破壞
  d& I( j( D0 e* y7 [) q
- x' p7 s1 e; J, f% Y/ ]' G很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 I2 `% v- `/ o7 ^
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 g  e# \5 f5 ]! {- X; ]! Y

1 n& z2 g% J/ e/ B9 ~, Q1 `# E又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% y- x% l; L! p$ b# z
還有電容也要加4 `* h. w7 \( O# k1 G5 o
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 k# z: D% P2 e0 i& Z% n5 h# @6 b9 W) Z) H1 d: }9 D, N2 P2 e  q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 ~& r: J, V/ P( C  t+ J' xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 H4 `7 j: Q- t/ D

; I0 h4 `; z+ X' O& \2 s/ J8 ^9 S$ L. {1 M* c- S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' A- Z; V* I9 p) d6 r) }# U$ C9 V. P. I$ b
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
0 W/ P' Z" V  L8 Q2 D3 o2 _; h" g# U# ]
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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