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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
. N9 p6 ?8 J) b2 c
2 h) Y! C1 e) d, K/ H2 Xpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# l9 ?: _2 `9 E6 o
大部分是要match$ u) l: b9 _3 ~3 W
Metal poly  density  不夠
: C8 L5 D0 S+ k3 t/ T/ P& W6 G" l8 x加ㄉ那些也較 DUMMY . P5 p2 R; }! u% E" ~
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
/ Q& F/ H0 G4 g/ D3 l7 V9 T/ }2 v

9 ~; G# S( M2 ?* z& S+ J; |; j    感謝樓上的大大
% C( N! Y1 p3 U* p' B   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / Y5 |4 n. l* }; v

. H( c0 d6 V. ~( j4 {% T& H$ ~3 n, O8 {' C1 [$ p
    感謝您回覆的這麼的詳細
0 E1 P3 G3 c% k' E+ z. U您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
3 n+ O' s2 ?2 b+ L7 E3 x& R9 N1 Y* j. H) ?
不過簡單來說% C8 D; E) u# N0 h, C% _! w, e
在製程時食刻會破壞掉你的元件
, i) S- G3 V" b, F而特性就被損壞
! p  T; F+ E$ ]* x4 Q; t' z2 j# _" F$ q8 Z* f) [- k4 B$ B; `
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 h; S/ X9 z6 K7 O
所以蝕刻吃他最多
& P9 Y9 h* e1 v7 `% Y+ k主要部份特性就不會被破壞
$ w& Y% `9 ]* @4 [/ V6 w9 u$ |
) D- c3 Z. \& o很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>6 }7 Z& Q7 \+ ?4 s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 X' S& _2 P2 T. ^# f3 ~' N! [
( L* p& h# [& s又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 L* e2 O/ T/ q" @. F  Q+ A; ]8 c# a
還有電容也要加
$ i( w8 y& L  Y  n$ ?# G若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( d( P: G2 k' A7 @: g2 V
8 ~) `0 e$ ]2 x) t$ \and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) X  D' A( K+ W' G0 W3 T5 `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ I, L$ ?# [/ h! w( d( @
% |! b3 H8 U8 T
2 @; I3 F7 u' Q5 k6 ?0 t5 K( H    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 h  a- T- Z  v+ l8 h% |4 t0 f
" t. Z. j6 m" K6 H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- O3 H  ^5 J( O( h8 p- ^: R2 |* u9 A0 S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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