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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: S" a0 l* j/ Q6 L9 y; {
6 z4 K. |( p& _  w# U' y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- R5 H' y) {6 ?" g
大部分是要match" ^0 {+ D1 q% B8 h) B
Metal poly  density  不夠/ P! T: E+ j0 B' H5 R7 i2 \
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 Z6 }7 e- ^+ m+ G& \2 l. G把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ S) F/ W) v# t: B3 ~+ S, v' U8 N% u9 x* }, h0 s' }; m

2 x0 t& |% H; q. v    感謝樓上的大大2 S' x! t; q7 x/ S& Z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! W* O  E- q! v! H/ f0 I" n  R) u4 s6 z

' Z5 [2 z$ R' f  u! [( T9 t    感謝您回覆的這麼的詳細5 p0 ^, I0 n  A4 e  T& c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!5 _/ }% h4 Z- s# r
8 u7 g& b; X$ B9 X) j( l) o
不過簡單來說
% r. m: p2 v  V5 H6 x4 y( K在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ q; {+ t8 X6 ?8 `+ C( e! j% q而特性就被損壞& }4 q2 I1 v+ M: K1 H+ p

2 X( }4 P: L) Y8 {0 A) s, G若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. r, l: b6 J8 ?; m所以蝕刻吃他最多( }; n9 O6 r5 [, @! h
主要部份特性就不會被破壞
: h  k, K: @: Z$ c3 Z! T" u" ^! w) }" }; C2 W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 S! h: O* f) d6 j# L7 _4 S% I所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. ^2 |  e8 h$ E  |1 X( U* w
4 e( t, G2 c! R$ s( L5 b' X又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: L  m. N+ V. G; C- {% W& M
還有電容也要加
& N% ~3 u1 }  A2 `7 p- W若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!& ~: j  s  R8 ]: B& o8 c! {- Z
' z$ U& h7 s+ H0 {2 v
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ a& v- A; @& A) nvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# [1 c& O2 B3 k+ W- w% i
7 |, b+ |7 x! G$ r( B5 Y( m9 ^9 h- s! ~, i
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( B- T5 C& J6 t8 j9 a
& {$ t) V) l/ f' Z: y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 }" x; W- ]1 K. @6 y$ t7 w' s' c  M4 C! D
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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