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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 D, F1 f( t9 N6 q# Z4 S/ x, F6 g9 Y/ K
: n1 R& I8 p+ l
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 Y' T9 j3 ^( k
大部分是要match% g/ a$ z  r0 x1 ?* `" f
Metal poly  density  不夠$ ?6 _2 \/ l' d* J/ U
加ㄉ那些也較 DUMMY ) v) Z% i' w# m% w3 J6 A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ A; \' l+ N, [/ _; k( @0 ?7 Z1 X' D9 m4 g; s  ?
$ G4 B: s$ M% d0 S( P% K" ]
    感謝樓上的大大
" _6 m1 I" T/ y8 f# U   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 E3 ?& k  y! M2 A

: t8 C8 p6 K& o# D# c! ~9 r% K9 K5 E# z
    感謝您回覆的這麼的詳細$ ]# A" E  H' Z
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" M2 ?* S) }4 m9 d- l. G+ D9 |9 v' N' _& {* U' J
不過簡單來說
8 T, ^$ N. ~) f% x在製程時食刻會破壞掉你的元件5 J8 n3 i+ s6 y
而特性就被損壞6 S1 ~$ l: }/ c# v, O( H2 x

/ ]" Q0 k' g$ ]; H- H) N  {6 X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( R& c" {" W* ~# c4 d+ I# u所以蝕刻吃他最多
, v) M. T' i3 u2 H/ p) m% a/ |主要部份特性就不會被破壞
% L; r* W3 ?: E
6 F* N7 g% d( [+ ^8 F# Q1 Q- u很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># L8 ?) _! \2 R) g
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 r# A, A# `' h0 u

) J. m; V' [: e. s/ C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, N9 |2 b5 a3 R0 q4 p5 T4 W$ Z) V還有電容也要加) B* V# S; o- b1 j$ v, n) B; t7 \
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) [1 C) D$ B% R0 I$ _" @( r* I0 C4 t7 _0 d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ M2 G3 s' L( i; W4 o& {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
3 A" S, S: c9 S+ c* Q; a( a7 W
; m2 Z/ [3 d# ^2 ?  k: a- v

* s  d; C& y" O5 d    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. R3 a3 N" F1 k) m0 c
; K9 C: G6 B2 h如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 |9 H6 @& w# U

4 S7 t7 W2 \- n  N數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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