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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 @2 F* \5 X6 Q( U% N
+ A+ _1 g8 o3 ^: y3 d
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 E8 t1 q2 C! z  i: q大部分是要match
0 o; P! z% I8 t0 j2 iMetal poly  density  不夠9 W! g/ D9 k# r+ i+ L" p3 }( b% J
加ㄉ那些也較 DUMMY
# t! H* W4 k* u7 _- |' i9 q5 N把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; |7 J6 R0 p7 ~- Z
3 A* `( T2 ]9 \5 s& ^
, }( F4 }: g) O4 z: Y
    感謝樓上的大大7 g. C& g, v! [& i8 d
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % L( Q  q6 j; Q) j8 a

9 J- d7 I) \; N% h& U  v  a
, ^) V4 _+ c1 U( J3 j    感謝您回覆的這麼的詳細5 d4 N. K+ H: C" D9 U
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! e  k7 T" q( A, K. N; C$ O5 |! {, t/ |+ [8 a: i- ]
不過簡單來說7 I/ O+ A4 t5 R$ ^) L. e: b9 C
在製程時食刻會破壞掉你的元件* K/ ^% q, |" L7 H
而特性就被損壞9 ^* c. o- }# I$ ~4 g* M
) W0 O$ l. P7 c8 ?4 g& N5 G
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' Y5 ?& m9 H# O: ?
所以蝕刻吃他最多
. ?1 r$ v+ e# D9 ~  G! I主要部份特性就不會被破壞
" E4 M& E4 @) ~4 a# x: H7 o% A4 H: v& ^6 Z: |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* M# \4 C" v3 W% C$ K6 C$ k所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
' h; ^1 K# F+ C  O9 V" E3 @7 T0 Z& V
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 e( `* g5 d! g% `6 Z- W還有電容也要加
, V9 o* S$ W# M* B4 L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
* n( g% U9 B  W* n4 r# A4 U9 c6 a- I, L8 j  \2 C4 J% A8 N- T
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ X: C3 j) O, I9 A; u
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) k4 s- {: A1 x8 I

* B* L" E) W/ X4 ~3 e
1 g( y- U; m5 s# T4 i    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 z0 `+ [8 R% Q
4 O0 q' u; {/ W如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
7 T5 [' ~* I& V  Q
0 w" g2 Q) Z/ z" R數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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