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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
6 t9 j5 T7 I/ j0 G3 K* m/ {- B$ `' d' M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 g! z& D# @5 {% S- z
大部分是要match
& c3 a8 d) @1 p+ T* zMetal poly  density  不夠
- ^9 V: O" C7 [4 Z4 b# S+ U! N8 L加ㄉ那些也較 DUMMY
. e' Q6 Z2 w* \. d0 _% W5 A2 C把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' s6 p8 s- D9 I
) ~5 ?* m0 y! h3 G& K7 w' L% V6 e, W$ q2 H' Z0 V8 l! \
    感謝樓上的大大
' O  a- l8 D( u9 S, v" O   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 & v$ k& D% _) \" T/ C" T
3 r/ L  f, u8 j" Y* P8 I7 F
6 s( K7 g  `9 C) h/ r
    感謝您回覆的這麼的詳細2 Z! |1 M4 G" ?
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 R, j0 x. }, v6 B
5 `% W( ^& e( ?% \7 ^$ o( F5 h不過簡單來說
! H. F2 N% y6 j在製程時食刻會破壞掉你的元件
: Q& U! J9 t2 q, y/ j而特性就被損壞
4 m+ f$ q/ E+ [- Y! C6 A5 v% b
8 g6 [; `( @4 w. C% S若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; V3 e3 X0 A" @! Z5 X! I$ p所以蝕刻吃他最多
. |" E8 M+ s, |! N# p主要部份特性就不會被破壞
# j( E% Y" ]4 X' C) e; r) s& U. o; P# ~
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>" ]1 u+ L- Q9 o: ]* a
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ z* q; _1 X0 e  g( x$ s1 ~
0 E9 d# l3 G0 {8 E' [4 a7 Y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: }$ A. l8 E9 D+ x$ i9 s& f7 }還有電容也要加8 h  g* u! u% b$ E& X! L6 x
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# W' f$ E  Q& j
5 o# X/ C/ k6 w& \7 n. I1 Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' @; j5 Y& t  [/ k6 Y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

, r! p- b5 {$ m" k4 D7 H' y& A/ T. ?4 P/ l6 c3 G, P2 T- A, P

' w8 z3 `, }4 o; G/ M    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. w: G2 i/ Q$ i) T8 [% \

/ h) j0 v; J; o" p  E/ U  ~如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
' A7 G) I8 }/ N) F/ g  [8 ]6 W5 {7 U* H# S, m4 E. u0 `
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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