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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 T# N: W6 V" r" _
$ X! T) B7 @' h) x. G/ l1 y* O
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% ^; _% [/ s, l- e) O7 ]
大部分是要match
& W2 \! S+ H. w" A' wMetal poly  density  不夠
( A0 v, R& S  E2 I( L2 c4 [' x加ㄉ那些也較 DUMMY # F/ O9 G9 S/ ^; c+ ?5 v
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) J+ X$ Y# \4 m! z9 t, Y1 A

, @% O- M( s% o, Z' y; `9 @2 s: u+ Y; Z0 x' s0 y
    感謝樓上的大大; Z, l" ]" F0 t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* o+ V3 I) r: |1 ~8 D: Q# P* d  d4 i7 e0 f8 o! P

8 \$ J0 ]- q& X$ ^* g+ Y    感謝您回覆的這麼的詳細
8 V0 |* x/ o$ c3 ^$ H9 q, r" S1 Q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* l- o+ z# z1 I5 o4 D4 n

: Q. J1 ~+ a6 s6 i6 u: @不過簡單來說+ ^* X# i8 |) F
在製程時食刻會破壞掉你的元件
+ z0 z; N- w; P. T* K而特性就被損壞
8 W. D' }1 U8 U% p4 t2 g( k7 r* I
3 q3 {5 ?3 s3 L7 A0 h* L若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ J) s% h. o4 i4 q/ P; C+ _
所以蝕刻吃他最多9 b3 h) h! F+ }
主要部份特性就不會被破壞
) L# N, Z, [9 v) G, w/ u+ [- I3 k9 c0 F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>/ ~6 v, h) P: F( V& G
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; N9 y3 c6 m6 j+ n( g, @
2 ?, q, D$ @  D( H
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加* d% A9 p, p& \5 b; `4 v% m$ J% [
還有電容也要加
4 ~3 U/ o+ J% q. A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. c6 ~- m6 _; l1 w& \' P

1 c6 J7 B8 \1 f* zand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ O, i3 [. ^. U8 ^vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 t! O% w5 n/ R( f0 `! I1 W

" q6 {% A* [) ~+ `$ K( u( A% Y- _  _( T; l8 \: P
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ f& w6 p1 U9 A. N- e7 }+ V

* m" j2 g0 D1 c5 z+ N! o6 @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, s3 p: i8 }5 n
/ N7 ]- T# @8 u4 b8 {, h數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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