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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ Y" y2 _8 B% R! r
0 K% S2 m% `. X" t, ?$ a  ~, ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! v* }2 C' c+ o% A: W4 [
大部分是要match
/ ]3 j. m, Y, g5 JMetal poly  density  不夠
8 j; ]) [4 o; u4 L4 ^加ㄉ那些也較 DUMMY
5 |: \, m: f; y. Z2 m把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! n, G3 _: ]' {6 f! v, h
( ~& S4 m9 k9 [
% n6 Q! V! k$ V' V- N" C  u% h+ }/ T  j    感謝樓上的大大7 h% @2 D, }* \$ p
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 @% e* D+ ?' s, Z

  h0 Q0 P% a; K( X( S3 ?2 `/ b, ^- E/ d4 @+ ?( S4 L* ~
    感謝您回覆的這麼的詳細- v6 g  i: g7 j: b7 V  ~  @6 J3 T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!9 F3 q( {' Y) S  l/ Q
# O0 U  M' @0 Q* a" U' O
不過簡單來說) {6 }. V- m* C9 Q- S* w
在製程時食刻會破壞掉你的元件- `9 x9 r! p) I8 [5 [; `% k( s
而特性就被損壞
; A6 w! z- v3 O+ U& U. B( |+ E% v, M2 ]5 f% ]2 S0 _4 d  g
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 r) u+ F7 l+ e6 y( M! H7 n所以蝕刻吃他最多
* n8 {9 `: `8 F8 y主要部份特性就不會被破壞$ q# o0 ~6 P2 o% k$ t
" n% A) w( d+ P
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* j# C  O4 ^5 h( k; o, w所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 |$ X+ ]5 m- k# F, o

! E, |# X8 i: M( D. _- k0 O又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% K' |& P% Q  s3 m
還有電容也要加
! K4 n# ^+ m, A2 V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* y# Z: J( _5 o1 J" T/ s
: ^: F. z( }! G$ Y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 e: e% u- P. C+ d
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" q% ]: c+ `3 e4 u2 _
3 O0 p5 V! g& R3 |5 k0 u/ Q: T
* y- y! {& m2 K& g& R6 N$ J    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 h! d- o) U4 ^; F2 [
' c/ ^, m3 z9 \# B2 F# L
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# ?& Y* y$ S; j& |  n$ K9 l6 l
1 ?1 P* H! F) A) }: A! d6 y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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