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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 Z. J! l3 v0 N4 V. E8 e

7 k; e9 z+ n* p! Gpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# Y2 b" C3 X" @大部分是要match  O& w# j0 e7 j, @8 q* O: P
Metal poly  density  不夠
1 q: c! u) S, p. U; o9 j! A) l加ㄉ那些也較 DUMMY
5 J& V8 P; Z/ c! F! f! G9 _把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 t8 [8 L  e! R# Z
% H: f& H7 A9 y0 e" ]  y# |' c" @/ N6 x' J
    感謝樓上的大大
) p: @7 u! O: \6 Z, G   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 k0 m4 d, ?1 z7 ?! _: E- a
& s  @2 v4 R" S
* ?1 \" |0 x" h8 \$ z; F& W
    感謝您回覆的這麼的詳細
3 ^! o: N1 k/ v' O8 y您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! i6 x  i" `: T  `
) [7 V: y5 F3 j/ w
不過簡單來說3 b( L# ~) I( i: n
在製程時食刻會破壞掉你的元件
4 F! X3 N' x2 P( z/ z# v而特性就被損壞
- h4 p: E& d, v. A8 Q7 x8 v# n0 E, c8 R) p  H
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 n" d% a0 I, @$ a7 i- ?5 u所以蝕刻吃他最多
2 A* v, c$ Y. n7 E+ C6 o主要部份特性就不會被破壞3 y( ]( u- ?# u6 B1 C
' I) D. Q7 U& p6 x% D: F
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 }+ Y# f% }2 Z& P$ W' t' K
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享' A0 c. m  w7 o7 |' t$ ^

  @9 P/ `2 `, D0 [又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( T+ S1 D4 p$ T8 m# h
還有電容也要加
3 f) C2 A5 E: y7 U) R若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# m) X, j7 t* A# C

" U) B+ b/ G* \# K; iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...7 o2 D) r* |, I7 Z+ e; }+ A2 w
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# [& ]5 w" ]; h8 k( F/ R2 ?, s

9 j- R: l9 ]$ {3 H' n3 p
/ n7 l7 C0 a; O% v5 K9 g    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. o9 k0 H' \. a

" V" `& R! @: u; m7 K3 \如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 {. M# d6 M$ d* w

6 J7 P! `5 O$ m. @: Q$ z$ e+ D) j* G數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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