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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ Z- {* w/ H8 G: j  ~" T5 \

8 y3 O8 C& u# D+ N) x+ c( p- Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) R/ A! ]! }* V; b+ K- W8 S( ^, n
大部分是要match. P$ t, ^+ Z) I' m' n
Metal poly  density  不夠4 J. f0 S% ]. v# V2 _
加ㄉ那些也較 DUMMY
# v2 w$ Z* c9 e- {1 c$ D把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % R/ R# m- F; f  z: y
. P% [- A" B/ B" A8 h, K' C
7 k, s5 O: g8 F& N0 Q
    感謝樓上的大大
% J( Y5 g: Q, |$ \; ~   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* W& |" |, M, d5 I! w8 C# O  m4 N
: N5 G. u% ]" U  W
9 W# D. G/ G1 I# _1 \    感謝您回覆的這麼的詳細% p0 ^( S/ H  L% Q. L' u( k$ R* k
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 ]4 z) R' n3 I4 v
7 T4 T. @! ^2 N5 T' u
不過簡單來說
; r& E) O$ d' H0 C3 v; k在製程時食刻會破壞掉你的元件
. f8 i$ W7 J! F而特性就被損壞
5 P' g$ a2 _& M
* G, b5 q* G4 S  ?若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: t8 w) [( Z9 m* y" m3 R所以蝕刻吃他最多0 j# {; s3 G  V& f, v
主要部份特性就不會被破壞
; d- T% P# @3 {( `+ P; R. h$ j8 e; a( }4 n  B- d$ |1 T
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 b' A$ u- ?( v7 I2 L7 S% N所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 O) U8 f3 j8 q( F% j* k
& E0 e$ w" Y4 p) k又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) I  @* w3 F& s) d: G' B4 ]* M還有電容也要加/ H  x( ~! B( P: P5 v
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" L/ u0 L$ Q/ ^3 X6 }2 d6 B+ ?) B& r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* C8 p/ l  X8 d6 ?% F. svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# o, q# B" r$ f$ S& J) u5 E; ~( y% u

, L1 b4 j* k  G' }& @$ Z    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' k3 i! ^5 N1 ^  W( _7 q
& K* c: y" I9 I& Z" e. P% {- z如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* V! V1 h4 g2 B" w

: o7 \* j" h1 v% ?& N/ P% t1 N數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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