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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& p$ Q! _+ v  S; v
' y3 V9 w7 @2 G! \0 j+ @( _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) ?% s; W$ F- g2 E$ y
大部分是要match. E, v0 V3 h0 E5 v
Metal poly  density  不夠5 l3 V/ u: k# H  C  |5 r7 x
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 T' J6 I0 j$ ?1 x把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # h* C3 T0 h; {2 W( ?6 X6 V" i
1 b2 [0 r  }% e/ a* w

  w2 n4 i. R8 i  X. M  u7 O    感謝樓上的大大
6 |! p  F/ d8 _& W   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , T' B( Q5 E% D+ O2 F6 @+ k
' z* [( h/ F3 y. v* h9 v

! ]' G( G" f  }  u( H1 K  J    感謝您回覆的這麼的詳細
, f9 Q+ l( ~9 `# [8 F您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 J* d( w5 i( z7 j' ~; U$ Z( N/ P5 m
不過簡單來說
4 {# c& |. c1 ^7 o' p1 B' e  Z在製程時食刻會破壞掉你的元件
! c2 f1 S  h8 `而特性就被損壞
6 d9 y+ M) ~7 {! k# h# `- s" g; l% t, ?4 M6 I, D* ?
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 Y- w4 T6 B# }6 o* s! n所以蝕刻吃他最多
0 I6 ]* `4 O/ t2 l' P& C# k9 j" y主要部份特性就不會被破壞
; P" ^& j, C' J# i, A+ ]" Q9 s- H$ ?, P
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; z3 e" M6 W% M" g; J所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; A$ \9 J- ^9 v1 c4 m- @! M) {: a
; j5 t3 M+ A1 _又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 R# s& J4 \* o* e, ~% O
還有電容也要加
1 n/ b4 O; M: h' y4 R若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ @7 }& E# o- M3 y: D1 I
. C6 x+ h$ N/ H3 A7 D3 n
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* b4 t1 y( [2 E! t+ \2 y8 u) o. @6 jvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* x2 X, Z1 [( M4 ?( @8 N
% \. c7 A$ m! v, |+ O3 S4 \
) X7 n- Z$ F4 ~0 p    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, j0 ~( o! K6 e0 Z6 j' b- m9 b2 Z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
- Z1 Q* ~9 w: L& D9 ~3 Q- A, L6 Z9 p- O- x) c0 n( p
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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