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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 q" `# V0 i! p! ^
) y9 p! ~7 Q+ Y& e! mpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 b: _. @: H: P' j/ |大部分是要match; c. E- N3 V8 F+ a
Metal poly  density  不夠
0 D/ F2 b3 u; `3 J0 m加ㄉ那些也較 DUMMY
* v# q0 x9 h7 W$ w6 t% Q8 w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& c$ ^/ n$ H; h0 p  H5 s5 |
+ J0 H1 y: G, q" l( C# p% v$ G0 W6 |3 u; i. m
    感謝樓上的大大+ k' j" k8 m$ Y6 C- `& z7 t
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; N: S% v) z& s. n! j$ a
! f. j, R* [% O8 z0 B/ n; ?+ X: M$ \  f% m
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 E( c- Z7 l* t2 c/ |* e7 g+ d您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
5 K9 g' L* |2 G4 m" _: r/ u: j, \4 _1 F( R( u) U  n. [+ Z: g
不過簡單來說, y8 `% A5 ?8 f& P& M  t
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 p9 R( w' B) e而特性就被損壞
, a# r3 I: n2 d/ i) h6 D. P$ u4 Y! m: D5 p' I
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! m% s: F. _7 n  Q所以蝕刻吃他最多8 s" @  ]: _, [& g3 ~2 ]
主要部份特性就不會被破壞
8 H0 @" f$ g6 x% h1 b
" i) H5 u' x5 E; F( p, I" a) ~+ x很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 m9 c. {3 ]: P  G; O7 r所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( l' k1 i# f; O! q" u. N7 d$ v& |. n! T" W
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! w; @4 v# F" `3 N3 E/ b9 G) ?, I+ H
還有電容也要加5 R" c" |: `  K0 k+ H7 y. N
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) t0 w, Y( z+ j' ~
- S" U" }: E1 Uand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...8 _8 a& z6 w7 s1 z' I, a" ?7 V
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ ~3 y3 g( o' R# v" H+ [8 Z6 U' Z5 B4 L
9 c2 p( n0 V8 x$ a1 w
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??8 R* A3 s1 ]5 r% h& v$ g+ @- {
, \1 ]- j5 \3 M" ^  P2 k: |
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 z1 v9 e$ [* w; `. {
& }. H7 \6 w) {4 M+ o' F; ]  E數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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