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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 y1 P( n4 c8 r! Q0 A2 a; O$ Z, g; G, o, V- [* _# i. }8 c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ n, W, n, \3 A# _, c3 s/ g大部分是要match
1 m$ e& Q! x8 n6 ^, f0 QMetal poly  density  不夠  Q0 M+ J5 C1 ~
加ㄉ那些也較 DUMMY . w; Z2 ?. O& k8 K
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( H- F% x7 t- P+ q

( s. ^: r2 h+ d8 I' @+ Q7 a) O7 j# s% _! z9 k' E/ e5 u
    感謝樓上的大大
; a0 k, E; N  j7 O' O5 b' h   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 A3 K4 p4 T& k7 R% V
  ?9 I) [6 x$ ]# _! V

: D1 w* @- Q8 A- @5 {; N    感謝您回覆的這麼的詳細' ^1 z& d$ E! `
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" ?6 B* p& w! M0 }& f
: a! l9 n* w+ x7 d, N不過簡單來說* w7 `" z8 w, c
在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 s% B: Z: ^2 k1 n& Z4 i而特性就被損壞6 d4 ]5 I% T: l7 b8 p
3 X$ ?1 x% U5 T6 f. W1 @, W
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 r- e; ?3 R3 x# \6 A* l$ `
所以蝕刻吃他最多
; c" @% b: K! h9 X+ j! c主要部份特性就不會被破壞0 K6 U7 q9 ]0 i. O$ b' u

1 j4 n, A0 S$ j- ~( {很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 A3 Q. s7 [4 f* Q0 [( @8 L5 \1 z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# y& w8 f8 x( x& O5 Y1 l' Y
$ T/ v/ X7 p- f' r' C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 r5 Z" v5 ?9 N# g, L
還有電容也要加
! p1 E3 u8 i& D  J, k" P- M若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 H5 k( q3 M. U$ |' y3 @
. M4 b1 U, j) v5 E/ B% x2 q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
/ u' o$ O7 j& }6 ^8 i5 }7 m0 g  N! I6 Svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# _5 \3 J; E8 D) k" P5 e! u3 V. s& w: S0 d  _7 C
$ \5 E- ^% g2 Z( g8 s
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! q5 x- T4 Z! k/ n' l
4 P, m8 n' x8 V7 h0 d3 P6 c
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 f* e( w/ h# x9 s1 {
* G! Q( K3 h: f1 A. x% N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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