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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 l+ L% C3 f) Z- E- o# ~! }
% @- T0 A0 Z9 `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 x$ b3 l0 U9 o大部分是要match7 M! ?0 y) L# L2 _% {& b1 ^5 i; ]
Metal poly  density  不夠
* B; O" X( N# n' Y0 u, y6 y( y加ㄉ那些也較 DUMMY
9 A: B  o/ E+ q把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: \5 R+ Z2 q6 G9 O- S
3 e; Z! M6 M. e: N
6 Z7 l- N3 W- I( G! _( W    感謝樓上的大大
0 N) Z: b- H* r' c$ r   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ F1 k. w7 E+ k7 K2 |) b
4 \8 O% i2 e& e2 |+ j$ b) P8 |$ |5 M) o
    感謝您回覆的這麼的詳細
, r& p  A" l* G2 q# J5 }8 H您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 e4 N- b% T& a0 s1 k4 x1 x% k. h
不過簡單來說* L$ l- B, T8 i. ~+ I
在製程時食刻會破壞掉你的元件7 F, d9 \6 R& C- b
而特性就被損壞
5 _8 b) h% a& V$ G: A# }8 [) A+ B7 R# }
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. ?8 B# h, \+ K) m7 A8 P  E  U所以蝕刻吃他最多: `% F6 x( v, i
主要部份特性就不會被破壞
) Y1 i' W) q2 k6 W5 t1 o
+ ?* u. S" g3 z# |. o0 E很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- q+ d, g0 A; i. X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; A: j- L# V% S8 B$ b4 p- z8 V
  r  C/ C. z% Y6 D, C又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; a8 [/ ]% T/ y9 [: G( s7 C1 m
還有電容也要加
& ^1 y; K+ C% q$ K7 b; u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 `0 v$ B; h# f' q8 N- ^6 o' U7 t. A* P+ `5 m
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# G4 _, n/ Y# E6 Pvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
: Z. V) [" N# i, ^$ w0 g, o" C0 _
& r1 H6 O" R. U6 D9 M

4 n) n% p1 l9 p" B/ @, q" f3 S) O    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
$ Y; c* x$ |# ~# M  o# D5 V" A$ c
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??/ `( t3 T2 |$ x  ]- l1 o
! w0 `1 @1 t7 u% K' y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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