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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- d7 s$ o5 C' s4 V' V$ K& Y8 j* H% L" `, S8 a, ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 C* X6 G: h0 S5 Z4 n大部分是要match
) K' o4 c' k, ^# I- j0 E4 r* e, iMetal poly  density  不夠
) b4 W* W/ B* K0 H- o. X1 g" Z- k% A加ㄉ那些也較 DUMMY
1 ?+ ?# t% r, ^; v# W9 @把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" `/ i. H( u. j  w5 B9 a: Z6 e% q( Z2 X0 V2 U$ G
" e- P6 c; |( A( Y& G
    感謝樓上的大大3 h! H% x' n: q, Y- d9 b
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / `2 F7 l3 A* n8 _/ d( W+ a

2 u7 l' l& Q9 _4 [
, P  z, H) q8 J' R    感謝您回覆的這麼的詳細3 m. b4 |5 V+ v9 c7 t# k
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!) K  ~! J& q' T4 v) K3 n& r1 a

2 j/ l# F; h1 {. f3 E不過簡單來說& h1 f" D6 n8 W) X0 o
在製程時食刻會破壞掉你的元件
( x0 N' i3 _$ y0 P' R而特性就被損壞
+ i+ E1 _& M0 }- k0 k
- m* H4 E( T, I1 y9 }7 P. S若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& a4 _8 s6 g( s* T6 m所以蝕刻吃他最多0 q* V8 \3 _1 \! f
主要部份特性就不會被破壞
1 b7 t) e) V% ?) D- P% j, n. s' S: f3 _) d$ A5 C& E
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- a% S* m/ ?3 }& i/ t所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 \' h, H: P% r, P$ V

' L/ L; n$ y$ }9 h) l又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: w6 `. ]' r. t1 V
還有電容也要加
+ S* l, R* I: _若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
% \- x( u9 Y1 c! Z4 r. I# ]: y$ y: t1 Y; ?! ?4 n+ b$ x1 x3 O6 K) {
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...6 k" ?' Q& @* P7 v
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
' I4 ^, N# ]% A5 F4 }# T
3 L+ B1 m4 K9 e9 w$ h' Q! i( k
" g0 T5 m8 |$ a" n6 A, z, l
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ J9 |5 e4 \4 }* K: L) Q
% g7 t/ Q4 o$ s& @  J- H如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% {: v+ u% v: [+ D/ T( j' J7 L( m9 K( |# ^. E
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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