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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias6 K7 k' Y' u# o
: ?0 E& p* e7 \7 ~3 ]- t" `/ W7 D
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密: s$ ]" q; D+ t" q
大部分是要match
1 k- ^& D' t& F* TMetal poly  density  不夠
& k' F3 v2 K2 X# t+ _& o加ㄉ那些也較 DUMMY
( |+ `% }  P0 g- m9 k, ~把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& h8 D2 ^/ X6 x5 J8 A' x0 F5 p! b' F
0 ]2 a; H/ x& [/ f
+ b& H: p# Q# z    感謝樓上的大大% L6 T/ ?0 f3 o+ h0 [- z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + J& {0 d5 j# U, e. A
1 k& E' E' x0 N, {

% h0 I+ D2 _1 g! i9 k    感謝您回覆的這麼的詳細# |7 ], q+ h4 X) S
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( r4 n) i  M2 V# q9 t9 z1 A1 L+ q
不過簡單來說
, ~& H1 S7 N+ z' Y4 w1 K0 s在製程時食刻會破壞掉你的元件3 H8 T: Q) t; t6 L) @
而特性就被損壞
* c: e: a& L+ B9 I) g3 i# \: E4 \. g$ u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 I8 Z/ c0 q* `/ D9 H
所以蝕刻吃他最多
, N) `; Y0 w' r& J! J主要部份特性就不會被破壞
$ ]1 @! f! `% Z+ o7 G" u* m; S' G' f0 p
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 y# Q" @% c3 y2 s
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 f0 F0 I& Z" Z( V. @6 O

8 m( ?" c& o1 [: p; V又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 A# R! {' X7 P7 ~還有電容也要加& {. C5 P* ?; K* P3 y$ {
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
) m: ?+ s3 ?$ I5 x# C- ], }1 o
: R" {/ ^0 X! L2 i- m2 Rand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- S, R3 g& L5 Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 w. p' e) m0 i3 z
6 S! ]! q3 z6 ?" c5 j+ P
* I3 Z* Z$ ^  x    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??4 S1 W, ]3 L4 b# C5 \0 }3 p

/ m' C2 g1 d3 F如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
. M, s$ [2 ^/ ~2 ^" U) f3 v$ b4 u
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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