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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
8 _" o+ C' M) O6 |" N1 L2 q
5 Y! ?1 _( J" M7 z1 ^# P9 M$ ^: Fpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 c% |1 Q% S4 C7 z! h
大部分是要match
# A" J' j7 t' ^Metal poly  density  不夠
6 M; k) q( N: m6 c( e加ㄉ那些也較 DUMMY
) W) Q( ~2 X1 Y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat # ^3 v2 x$ f& N) B( R2 F2 v
) r0 U* @. K. ^# Q' a
( [$ e2 @+ p' h. G/ L- e
    感謝樓上的大大
6 P* ~  Z, x) E1 g0 g( y) K8 t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) x0 x: |( g7 o3 n( b1 q
8 V) y3 Z3 N2 K5 j/ q3 J

, h0 A; N- g- \4 U    感謝您回覆的這麼的詳細! ~- F8 o) A$ q6 V6 J* p
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% e4 j; V; g1 u$ t, R3 z) i

( S& f- L( o2 H) G4 Q8 C不過簡單來說
) d* a4 u9 d" h7 {8 D/ p在製程時食刻會破壞掉你的元件! ]; _7 {0 L/ b6 v
而特性就被損壞
% D+ W) V4 |$ r9 t% v
7 [5 j1 V  D5 u6 P3 @9 o) u" O, C若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 g5 a2 P* f) C" x
所以蝕刻吃他最多
. s& m1 T5 b! ~主要部份特性就不會被破壞0 B! R& P, U7 S
8 F6 y6 V1 a; I$ N# a6 ?& ]) ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 C) N4 V& U. H" R; `
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  p1 r+ f/ {( e) P! G
+ Q) _! Y; ^9 i8 l; p* r- X
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 n) ~: ^7 k* u還有電容也要加! C5 F. H) {5 [! P% Z  T
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. \& }% _5 ^1 q6 K$ e7 T/ d) F

6 _0 c, }4 t# x/ hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! l4 @1 F1 y1 h+ h. U" `1 H$ p! rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
1 \  A% r1 Q! Q9 O
8 M( S9 G3 B' W, `8 |
- _1 B& b, _. ^1 e/ n& t
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. Y1 }0 a9 G& J: F$ h8 x& N  w7 u/ S' n# y8 A; p9 |( `
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??# R! x. Q2 R! j8 k6 b
2 v2 X  m/ n& e; a# l$ z
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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