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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' _( v* E) [, ~4 h; N& l/ ~1 _7 D! g* _; R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! c* ^1 B' I# [$ |, V大部分是要match0 @/ p3 z. {9 b6 w8 q. U3 r- S
Metal poly  density  不夠; n" D; b" L( p+ }, X# n
加ㄉ那些也較 DUMMY 1 J% ~+ n4 c  v
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' c9 ~' @7 Q9 ]! `9 g9 \

) O/ ]8 F: K9 ?5 v1 O1 T0 }5 [* ^* g4 z5 n. x
    感謝樓上的大大
7 N: v- d& b2 M- `   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) G! ^+ F+ P0 V4 T( U' M
7 _! R6 M0 p: R" p' j
2 t7 P1 w, T, H/ n
    感謝您回覆的這麼的詳細
, j! u0 V4 I+ f! Q: ~$ h您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 m; j) G0 c& l! S# B; E
5 b% D* i' M$ W9 {4 y3 a; X3 M! _3 [* F不過簡單來說; x+ J& V2 p, S7 ]( j9 N
在製程時食刻會破壞掉你的元件& u( j; r$ `9 |! K( X3 `6 P
而特性就被損壞/ e% k3 U$ `2 ?- p( ~7 D" S) w

0 F: D- Q" C4 Z! k若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% N  e% e, z+ }7 |0 z$ |所以蝕刻吃他最多
; u1 f4 b  `; \3 t主要部份特性就不會被破壞" Z: d8 Z4 O5 [% y  P+ h" V

; d5 l) F: U$ J+ E1 P% v( ]: G0 a很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 b/ K6 J$ h" P8 _2 A4 ]2 C所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享4 {. U# ~" Y- R& f+ R1 m- ^/ n2 D
$ J% t! F  ?6 [3 b& r: v
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加# m$ Y9 g+ \4 K2 @+ T
還有電容也要加
# k# Y0 `1 j$ A  Y: y+ U若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
! K. @" O' p# R+ U
! i( o( I8 _) a/ _3 l; y, V0 Gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  W7 Z* }5 F% d9 n' d/ F) e
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ B/ ]3 A6 I8 I6 {2 d$ ~' p, g* `: s0 s
# |8 q; [" B% @' [; g% j$ ?
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??+ P3 P1 F8 n+ B% x! a; @/ B
# l  X" s6 B- ]6 o8 y6 Q
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??! B: R& m2 u1 d% _" r0 a% M! m

- u; J6 D  o$ g1 x數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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