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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias) o$ @* O+ Q" x9 T
9 K' f8 N3 ?. ~
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密+ _: l6 G# b+ ]
大部分是要match9 C* C; b8 K+ o, A
Metal poly  density  不夠
3 M% @7 H# U- V9 x' o/ O4 V4 S加ㄉ那些也較 DUMMY # C; u' v6 ]! c& E
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! J- a2 b& N) r! `! L
, v, U" y0 |' Y# I, w) y' M! L0 a5 [5 E+ `
    感謝樓上的大大
2 H" a7 i4 v) j/ N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) Z1 D# E2 b2 e7 P) j
; Y& ]6 ]. O; h. Z) n  q* ]
) E- U, N" h" f0 L2 U$ j! e" D    感謝您回覆的這麼的詳細
% {7 d9 z& p2 g您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 e8 ~& m& Q/ {- m+ q) j2 L
. m& q+ y" E$ e( U
不過簡單來說
' l* ~; k% p. f4 r- u4 `在製程時食刻會破壞掉你的元件$ h' ?3 ?; u1 C1 h8 O- e
而特性就被損壞$ |  e! Q- P0 g& u* r' D

/ a) o4 \( b7 a7 }* D8 x1 g若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
7 D/ B# y. S0 U/ c6 j所以蝕刻吃他最多
3 H3 }: C: ^  h! [主要部份特性就不會被破壞
/ D4 }, C9 v- s: }/ g2 E$ \. D3 P/ f0 v4 L. k+ ^* L7 ]* x
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 ~: `$ G+ z' M/ m( o) N* b0 z' N
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- N4 [" Q$ g) @* n4 k% i$ N

, a+ v! X& d; g  J又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) S7 i9 y# _2 }) x, X6 k還有電容也要加
( O" H: S# R* d6 P若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!5 n4 }  ^! c4 k5 W0 [1 ]
* ?, V: x7 N6 p0 U  E4 U
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" a& E' z% f8 ]1 O/ Y/ Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" {* A" G. v0 K
- m6 g& K  p% D, _- o  c# b4 F! {6 a6 P% s0 U4 ]/ [; ?0 b
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 E& X& @$ H6 k; p6 \5 w5 o: z0 S
' d( j3 u8 N' y9 S+ z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) S% B  ~. ~/ v+ H9 b! A) Y! i) C% n7 e( s; ~) j
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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