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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
* ?- A- c+ n4 m2 }5 f: y1 C
3 ~$ H9 @, m5 p8 F7 ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# ]7 `' z" P- q5 m! ^. ?
大部分是要match
( O% d) x: I& Q& m( d4 r8 bMetal poly  density  不夠
' O4 V( K3 @, f* _2 s加ㄉ那些也較 DUMMY
0 n/ H4 ]& l6 f/ [" l: L把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 n! j' X8 G2 F) I9 L$ x/ W1 Q
, |$ B* I2 H; {/ g

9 e* Q+ a4 T) F3 u# }& s) G) d    感謝樓上的大大, G" X, N5 a# K9 w
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
* d& V. R: _8 u- k' D
& W. {; x5 t. q2 F! a! Q2 T
( a+ x$ X8 \$ `7 C+ R# @    感謝您回覆的這麼的詳細6 M( `6 w& R/ T+ r* N5 V/ Q0 E
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!0 F/ U* v3 {3 @! a, e) d

4 R5 Q. M- ^4 ?0 n不過簡單來說& _2 w' t$ \4 i8 R0 ~* S
在製程時食刻會破壞掉你的元件
! z5 t# S& J  z0 M" i8 A; `而特性就被損壞" S3 Z* B' g0 p7 A7 [
2 x2 t% z# Y0 P) ?
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) k. i0 o9 y! T! V) B所以蝕刻吃他最多# o: P: Y! y- @& }( C$ I! S9 _
主要部份特性就不會被破壞; b; E$ o, S! A$ t$ n
/ n/ w0 O8 D, ]' Q! D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>  F: E7 l0 K2 ]  i
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. I2 U* @+ K; n8 C$ c( L/ s3 [& W! q& S% H" y+ W! X6 ?0 V
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( ~9 R8 S: J$ Y2 A還有電容也要加
0 S( k/ U; @0 i; }; W0 Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ V+ p5 Y- M/ ?* \) x
- a  {2 Z' ~! T: S& f8 U3 n" R. O
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... V! z, R) _0 C; W' X# ^& G3 L
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ [0 w: W3 K! r- M, v( n
: x- c( m3 U) J( N2 x( R; Z
. O' r/ x( l9 K; T8 C+ O# x
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! F% G1 s8 e& t
4 N# `7 O1 M2 |# @" m4 P5 R1 o! @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" Y$ e6 ^2 J* @9 V. F( U: P

: S5 M! u5 M1 o- J5 r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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