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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* o4 p0 w/ H$ C9 g# Z3 Z

4 D+ L( S1 r  a- spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 y# h/ C5 a1 h% t+ }  C
大部分是要match
5 V, w' x# K# @( S6 NMetal poly  density  不夠
6 B: K$ V# k0 U8 b加ㄉ那些也較 DUMMY ' c3 L  j* b8 ^/ {
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 Z( g+ Y" p( F

: c! v& z% Z) I+ q4 L, I! s/ D8 K  O+ i( o) n7 k5 @
    感謝樓上的大大# l+ |9 v6 u' {& [  G' h6 D" P
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 : ^8 I# k  \+ ?/ S( L
- ]) E$ @3 x/ [. X- m: B1 ^* i0 T
/ h4 r' U* V% n$ D$ K$ O( E
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 _0 V  T7 a) J, A, ~* B您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 y) x5 n, Q4 F& b: `

* j& J2 k5 A- d) Q! \  x! q不過簡單來說, q8 W) |/ C* O8 l
在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 Z( u" c) c# q4 a! W而特性就被損壞- K8 e. w# W' v
+ v- t' ^9 l, q4 M" ?/ [2 d5 q7 @0 D
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- Y% S  X0 E& D6 B- Y' y所以蝕刻吃他最多/ L( ?$ V2 W1 }: g; N! E- c4 D" F) N
主要部份特性就不會被破壞0 x+ ~) o3 a; N

  s$ _4 X. p5 _) P. b6 N' e. X) G+ n0 {很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
( P+ k1 ^9 n. A7 ~( r8 a0 W0 P) |# J所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享* [& U) f1 M- X5 q/ |, u" @
+ ^7 L& K+ `0 F* \: @! A4 i: C
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加7 r+ x$ ~; [5 g2 Q
還有電容也要加
( C: u9 i; T6 I) S4 ?: [$ B若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, e* M: R! M+ M" O+ Y/ S, v

, ^/ q1 Y( }& L; P1 K, Y7 Xand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- _$ y; [$ C: ]0 j7 y9 M
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 c& z6 k* G* g* s$ V
! I7 ~, t5 }+ ~. b* N# C

# H3 P) O  f' I. ^+ e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% g- [+ i' \6 r/ D
7 `% [% h/ w0 T5 Z' k! }( C
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 P4 }* t$ Y: R0 T
! N* V  N/ B- q/ _2 n8 Y' Y
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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