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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; ?% ]7 K6 v) t- O! b
4 Z% Y. n7 G7 N0 A, ipoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. \) r: h( |4 G5 M1 x; \
大部分是要match
' Q* q3 o; n1 o9 rMetal poly  density  不夠. [/ w, ~8 G0 `
加ㄉ那些也較 DUMMY
* r4 p- M9 g  A" \1 [! N把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / I. b( \+ J1 M6 U+ g
+ d& |7 e; s3 o* ?1 S

' n, h* D! \4 p5 w; Q3 o    感謝樓上的大大" C1 h6 u7 K/ Z+ I, P5 Q' q; s
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ' a! J8 s5 l4 x9 P/ t9 K8 y6 F
( y1 I( a% }- x: ]

: O# `% p6 j- A' j; s# L6 l6 |* z    感謝您回覆的這麼的詳細8 z# H% a" z* B1 ]
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' I" o0 J  U5 o+ j3 g8 F: V1 g7 }: o" R6 S. k* g
不過簡單來說$ D" t, H5 W3 x; e
在製程時食刻會破壞掉你的元件% t  O8 Z. t- h
而特性就被損壞
! R$ i8 Z" u# H' x4 K/ U6 ~
; T# i% d0 u4 n. B! s7 E: L( O# @若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
: v; O6 R" F0 g所以蝕刻吃他最多
: H/ G( F% b0 a2 r- r% L主要部份特性就不會被破壞2 v; N) a, E1 I( V$ e
7 i2 T, O, p& S" i3 g
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- J# [8 W2 S% w9 N6 R$ x所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
0 A+ r; C+ F/ u. g. e6 l
* T) d6 a7 a! r( y/ f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 [# C4 ^/ S/ Z2 |+ z/ U還有電容也要加
7 i* x6 P$ K2 V1 r若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, H2 h* [4 H0 y7 d0 o7 y: M# ^% W
3 G0 c2 c$ R# S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 n+ f7 v8 s; e+ v+ L
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

  K3 w( e. P: v- x. q$ Z: T
; x0 M8 b4 n  J. R% \: b0 R8 c2 T4 D0 @
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, B+ n8 a' R1 Q+ P8 [0 g" e) v) }) {: h* Z0 C' k2 L
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 c6 v- K2 L, h0 D2 N3 ?
  c7 j7 s" F, c& w0 p4 C+ @數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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