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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 f2 I- L" O$ Q, Z. F  E6 X# [9 I* N9 ?& k$ C2 {
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; |' t4 ]7 q! q: P; P
大部分是要match9 b& s/ N8 N6 u& a# N7 U$ e
Metal poly  density  不夠' ]; a+ Y9 d7 S0 L: j- z; m
加ㄉ那些也較 DUMMY
3 G% B' w2 {, ~  Z3 O  j2 z3 k把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 T, C) A5 \# x* N+ k
* K& ]  L# ~* U
# D0 b. A! ~, p; A! R6 m0 `    感謝樓上的大大
7 Z9 B0 v8 t/ h5 c   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: u3 V3 U9 M# h0 }* I: P+ U
7 x) w/ X3 K6 T% ?+ |; ~$ |- z- \
2 p0 l' ?) ~. j( y  `    感謝您回覆的這麼的詳細' X2 ~! ^  K  s% M
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 \  f7 X. m4 {& |5 I) d' v
  ^8 b' g' u: B, k% G0 C不過簡單來說3 z2 o$ l% f! g3 p! B; d
在製程時食刻會破壞掉你的元件* C: f' y9 F' F; O- E
而特性就被損壞& p% `7 ?8 \( r

3 l: C) k9 Y* R4 R; n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& @# e9 _, n3 F5 _4 U9 d
所以蝕刻吃他最多
, c  Q+ U, o7 K6 g主要部份特性就不會被破壞
/ {2 @" B/ a% v% |* P! j' l4 w* w( Q/ a. n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 e9 n" J& A* Z1 k
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 E; G" t  }& c, S" D  s+ P
. W. q& f! C# o- g- V0 Z2 _- [5 k/ U# D又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& y: @1 a' _5 p8 r9 n
還有電容也要加
- s/ H2 N; S+ y- B0 ~3 `$ {% y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  K; ]. u5 Q. T: h! d; u4 Z
; \- \: \& V, m1 Hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...- ^8 K) t' k) }" \/ I5 d0 ?6 w
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- j3 n6 {( v/ x/ R# {2 @+ _2 o& {# @) f( ]3 J; k4 Z& N

$ L) k; _! J5 g' @* V! R    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
4 \) _. f& T' Q6 u: H& v% i/ {: o" n/ X
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! Y) E+ R# x, j: X$ _4 w# n  k& ]" Y* `3 b2 W
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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