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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias# }& |0 x4 R8 R* [# a+ D9 @

% ]$ `) G. c+ c4 Q  xpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 B% ]3 \7 g" Y; m大部分是要match
0 t4 O( Q5 @! |0 pMetal poly  density  不夠" g9 X% I9 F! C' X
加ㄉ那些也較 DUMMY ! g: F9 @! A, s5 H2 h5 Y
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 u, P2 L4 I5 f3 V& v8 C: `; r5 u" x7 i. a& V3 Z

2 ?) D" p( \6 L  H# k! Z    感謝樓上的大大
5 |0 W" a+ A. S   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( i4 b0 k5 K' J- \

0 V  j! b8 a# E4 J1 x3 C$ A9 {! |' D  V
    感謝您回覆的這麼的詳細  V9 z7 z, d+ P9 L
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ P. q2 C9 I) T/ G6 T/ l1 ^  d! L% _
不過簡單來說
$ d; c) u( j- x在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 B/ e6 ^* W% o) n5 _) U' v而特性就被損壞8 [4 I3 ~# o1 ~
, K$ p7 @1 Q- U" _
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 R' r5 |) a) M+ K( S所以蝕刻吃他最多! F5 ]6 [5 @4 w$ q
主要部份特性就不會被破壞' B& T+ O' g0 T# ^9 k
8 O3 r9 t% C) p+ _3 h! d& e
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- Y; ~$ B$ a" v0 @0 v) J" Z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, Y0 I6 _( d& G# x
. w. K6 X+ M. V) R% [+ b
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% D5 \9 O3 K6 ^4 M/ b- ^3 w
還有電容也要加
# p0 _$ C% L4 }3 M' \2 l; J若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 H0 h1 A3 D1 K: p3 T
3 F: s2 W. w' l5 N' @and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) U5 }8 h6 t+ C/ a6 X) \
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
! t' I  Q: ]$ c- V2 f( Y; a2 x

( T9 x& x" i8 z+ u  g! e$ h" q. Q$ L' E. `  u7 r
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??& D' A" L8 K7 z$ q! i
$ U$ H( q; f9 p. v  O+ C
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 e. D" w2 {  ]  J  ?& P5 E- X  U
8 N0 Z5 w- F2 b+ c數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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