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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& P1 [; q2 {) Q" K
* ~; K4 X- o. X9 V( u5 [
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
9 ^2 w3 Y4 C4 k! _  X/ i8 n( ~大部分是要match
6 S  q* |* \. t; _1 gMetal poly  density  不夠- }1 c& }8 J7 ]9 E
加ㄉ那些也較 DUMMY / ^( {2 Q: l: Y: w3 j$ D
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 t7 f; N$ p$ E# Q* r* S* O6 c7 l4 c

5 m( W, F, S! |6 d% c9 @2 C) ~9 K* q' n" x5 g5 Z2 t
    感謝樓上的大大
% @  o- j8 |! n0 R/ N   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( o4 D: k  Y, t2 z5 @3 v* w
6 q! H+ n( Z) F$ @

1 p& ]3 C% f: R4 I    感謝您回覆的這麼的詳細
6 {7 Y, a- Y$ A3 ?' A您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
5 ?+ f0 T; Z% J& t* K3 ~. c# m. K
. C' x. L: e' D# X% x$ s- D) \) }不過簡單來說
4 m1 @/ \# Z# d在製程時食刻會破壞掉你的元件! j5 O  i0 E  M" x# z2 k% ?) k
而特性就被損壞4 n; |1 W0 k, X8 Z* [6 _

- x( Y! g  s# n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 b. C6 D: x) f% \1 R
所以蝕刻吃他最多0 s( |# ^% u9 E5 Z
主要部份特性就不會被破壞
7 K! S1 q; Z" I' o5 t+ e. \7 ~; G  a0 {" |
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 q. Y8 |" {7 r$ c& }3 @所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) c# Y/ I1 B2 ~0 o+ t# V5 n/ j* {$ F9 j- _: a! N" a
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
9 ]! g% h6 O8 M2 _3 C% y還有電容也要加6 [& P6 R+ m" Q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ ]8 m1 ~" a9 J" W1 u8 F0 ?

0 b2 j. |; ^" t5 x/ I% W( w6 Nand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# I4 Z4 T: r9 a) Q6 {: n- Q1 z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, d) e- ]6 z8 A2 M* T7 v0 ]: t0 x
: I5 T4 }. o, i$ n, B
5 \3 W- b0 {" z7 f5 @' v' v
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* c8 R4 E1 G5 f& h/ c% m' W
8 h( Y; M, f: g. V
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) u3 |8 e- @+ P

& Y$ C( C( D$ M1 e; A4 j數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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