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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, r4 h  ^0 R6 k7 F0 m# U6 s

- X: p. L& f& I8 J, Gpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) G: ^- T$ y2 W% s, \& t6 `  H9 k) w
大部分是要match* q9 d1 D) @7 R, X, _/ t
Metal poly  density  不夠
% g% e% ?1 ?7 `/ ^0 h4 V加ㄉ那些也較 DUMMY ) Z9 }  W3 _; M5 o- K, U: i+ Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 j0 r, E; ~. A7 i

/ ]9 N  g. s: x2 I* N, I
" g' n3 B) \9 N- E, t    感謝樓上的大大
( a% _& s" `& E2 f3 d   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 q# T5 z! ^' ^5 W9 X) M

# Z9 D/ ^9 U5 s  J+ U
6 u" V( g0 t0 {4 A- f    感謝您回覆的這麼的詳細
* a1 f! U' Q8 D您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
, J& ~* C- @# T4 z. C7 b7 \$ a9 p7 F( d; s; E! l( Q! c
不過簡單來說, T  y9 C$ c7 m/ R& {+ C5 ^
在製程時食刻會破壞掉你的元件1 _; {! C! C' f( E1 P8 O& b
而特性就被損壞
7 B# j7 u3 ~2 f$ Y% {1 A; O5 Q+ h! h% O; t5 _' }1 ^3 a: S7 [7 \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
& I+ I) A! E% _所以蝕刻吃他最多
) t1 s$ _* \/ G' c  l主要部份特性就不會被破壞
5 n5 i* W/ M% Q- I2 e6 X5 F
8 h% s& r/ ^9 @- W, B* ^很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, n0 ~  |! P2 B( Z9 X8 `所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
& m# o5 c# c0 h. \" j+ O  d: s2 [2 |3 X# h
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- X" _4 S$ z8 b1 u% O  h還有電容也要加
# ?& J2 l% c4 _. i5 |若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. H9 t4 z9 H2 B

) M. C6 Z  ^) V3 O0 Xand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...' k0 `- ^  W3 G; w& ^
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
0 M1 q# I6 g& s
4 x/ Q. A% b3 O3 n) B! `. ^+ v7 r, o

' ?$ C# F$ v+ Z8 k    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% X8 {% u* p" [; C' {$ E
7 j7 J; j+ o( Z9 E. H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
3 r7 P$ S/ t7 O  b" L2 ^* x/ I) I" s+ ?4 J( a
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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