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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: Q$ u& ~* r2 H% V* D* Q6 d. f. C/ l* N+ M$ g0 |
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密& ~5 p$ r; ?. }) J
大部分是要match5 H: M1 d6 C: a" d6 c) V
Metal poly  density  不夠3 C5 K* }" M& I) w
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 H) f' A5 K* _+ x/ s把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
4 s( a$ A  i( R0 p
" ^4 B/ b! e1 L  N# @" m
. I: s7 G5 {  ^. z; W; J# n    感謝樓上的大大
, z4 I5 W/ C9 r! ]  V   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) R: }( Z+ G% |
3 e. F2 q: u; ^; n5 r
8 A" C# Y# {9 A6 X& h, W    感謝您回覆的這麼的詳細
/ i  {/ h4 G+ F* u4 C; M& v- g: a: [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! w# t; h. k! T" _
1 T' D$ [5 k3 E2 ~
不過簡單來說/ C8 o, r, {+ f$ i  L
在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ p8 ?" @. j- ?; P4 G: R而特性就被損壞/ H7 M' y, ~% o9 u" I
( j- J5 ]3 ^' |- y2 D/ M' h2 V
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 _5 {* b  I6 s  r% w
所以蝕刻吃他最多
; L% z* j1 x, T7 [' X6 [+ p: I4 L9 p主要部份特性就不會被破壞
0 X3 b4 t) H! v' A) o4 p3 Z- W2 S+ K6 N) m3 J: m' a( r# I
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; w* S2 u) W5 W3 _2 k所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
) y' d- R3 K; u$ v0 a" A3 d
, p3 p4 {5 y/ P2 H6 U8 ~3 f又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 o: W1 N& x( v! ?6 n4 V( B! g% O還有電容也要加+ T3 G$ N* G  K  `3 i
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 v) @5 O5 I# R  f0 H
1 l( N' I$ ~; tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 n( q5 L. }4 }# F5 t* cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

' X6 ?6 i$ c1 e1 t$ ~3 k6 [) W1 j3 i, J* H, `9 `0 Y  w- u3 e
: h0 {" F" u! |/ l6 F" c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 L4 n9 F  S2 g6 ]! g
  t. h. d, S2 j( @0 A: t如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; T$ m: _6 F) L' o8 z

* {4 q3 n! G; O: N6 D" x; n  a4 [數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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