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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ O2 w) R5 y* {" f: b
% S' ~( k# {, S' ~/ K- j% G' D( q( s
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密* I8 e" b) g; t
大部分是要match
1 Q* l0 C: D/ H3 v" T( sMetal poly  density  不夠
& R9 T8 g* I2 q3 Y# w0 e加ㄉ那些也較 DUMMY ) o2 Y" Z# M- _! D
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
& _1 |& \) q% O$ Z! b4 u) W8 s; N7 I
; o# r9 }5 P) U- |! @0 H
    感謝樓上的大大
; v' k8 E0 l  v& W+ j5 @& b   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 . I  u/ m' m% ^' ?0 |1 x( n' s

, _1 ?/ d0 ]$ |# R7 n; F
) \) Z, \3 V9 |    感謝您回覆的這麼的詳細9 d9 V' X* v% ?3 x# c) P" y/ C0 s4 t
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. W# L$ e0 T' R* R0 U& _* r- m, O

! z9 c9 }5 C$ c/ N5 p* o不過簡單來說& c' J" X  A  Z4 [
在製程時食刻會破壞掉你的元件
9 T9 v) }2 ^, }. N而特性就被損壞
) [( X" r9 l# `. s' q7 U* g5 ~6 O8 G8 h/ u
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 V* o8 M$ K- w1 [- Q! @* ^
所以蝕刻吃他最多
9 g9 a5 _5 E' I2 g) N主要部份特性就不會被破壞1 ]% i3 s/ Y. d! y
; E, H' G9 ~9 A' W, j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! I' ~3 q. L' d# M3 g" p' D
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 O# f2 f2 N9 o5 G* p1 i! S4 O8 d: @: Z- q
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- ]/ p4 V  W9 M2 e% V1 i還有電容也要加
5 P4 [+ N! K% A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 K7 e* X) y( K  X4 [
8 W  E/ S  y, ^* Z: e* }3 D
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ o4 O0 x. m% _  `( Cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 G9 s  ~! G; [7 t

/ L* f( _8 T$ U, a2 J3 U0 y7 q8 `! a
& B- ~5 u! |" C) t' f% O: l    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ Q$ n1 P! ]1 V: J  h3 g

! d0 b9 T$ l9 o$ X) \如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??1 j7 w$ F# L1 P" M4 ~

3 \6 M  h1 q6 ?6 C& z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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