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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' a9 S, v3 B- U& P& v( x  v: a0 ]4 A3 Y
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' v" Z) l* a$ C7 n大部分是要match
% D$ Y! B% l% Z& n0 aMetal poly  density  不夠
: h/ ?5 F1 q/ w! H% t加ㄉ那些也較 DUMMY 0 d& }8 Z/ c$ F9 P/ k# _1 ]9 \
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% @2 u+ I$ t% D' S2 b# E5 t9 k1 y) Q, S: u8 g
9 H1 g8 N; A4 R/ E
    感謝樓上的大大
* O* P! [, e( d3 s$ w   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 j9 p% m& u3 f  r
( v$ y: O. W, I7 y4 _: l
4 [+ }- ?# j/ T/ E) p5 R, U
    感謝您回覆的這麼的詳細
% j' i* t6 S) c) |您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 \+ ?* b5 j& \$ ~, \3 s* `4 S/ `3 G; @
不過簡單來說4 s, {" H' A3 f
在製程時食刻會破壞掉你的元件9 b+ c0 f1 x" j) `5 {
而特性就被損壞, f( f6 W7 G# F5 B% ]

/ y1 q2 j4 i3 X- E8 B* v9 |3 ]若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>3 q! V9 q( k% M9 z
所以蝕刻吃他最多
1 K2 Z* u% X0 A* j主要部份特性就不會被破壞
% T- \  ^# V: f" y, |
4 ^$ M9 E) ~$ V1 g很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
% K% I, {( d) a- j/ C) a3 k$ G所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享8 N6 q: w0 _0 R) |3 w9 m- {( _- @0 _
4 q! z* `5 W% i3 q3 C  z
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* H, x8 m0 k# _. [3 G+ m- M0 J還有電容也要加0 x6 F: o2 b0 U' Q/ g
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 x7 D# ?; U" K8 D+ R, w  p% S" K1 X( ?( U& C
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% \) E$ F- b0 R+ Pvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 j2 @. Z: w) C2 D9 x% k( d. M
4 s* J) V3 Q' I7 z- \2 O0 f$ g0 e. e. U

/ J( X9 f/ q; S7 s    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??) [# a! y  {* K

- A$ z4 f3 E& v% @9 G! t如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 a! Y8 R5 U( |% b* v
' g4 F8 X; {, L) o% S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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