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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
2 r: l; z) F* D2 ?3 {: N
; r' u& ]7 U2 y$ N  v  I  ]poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 B2 @0 H+ M7 ~& B6 j( p大部分是要match
( E4 H( n2 _, U; |; H! KMetal poly  density  不夠7 [0 l4 i5 z& w, H' q: i4 ?
加ㄉ那些也較 DUMMY 7 P8 q* W2 G4 n  i  y& h1 i- V
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: E6 |7 l& ?( v5 d' u* o/ X2 d6 q) H6 a9 j4 R' S) J. R

) R+ b" S4 Y3 h( ^! k  x+ c5 S% U    感謝樓上的大大# M$ |  e1 g% Z5 [
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 O4 P  I2 I- M6 k2 F  y
" F( h; n5 a2 w$ p$ r5 l& h

9 N; f8 l) w/ E2 w* A    感謝您回覆的這麼的詳細
) Q7 _8 c' F) W# d您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
, X. ^% m  Y4 G6 Q
$ B" Y; F" |( u3 L& e( `不過簡單來說1 i$ k) O6 t: t: K' ]& ~& F* U
在製程時食刻會破壞掉你的元件. p0 {7 V: e5 _9 @
而特性就被損壞
! Y# U: B  U7 x1 F( Q& X3 _$ Y$ U. _5 L( u& i& M
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; C$ {- ]" V3 _" ^& ~所以蝕刻吃他最多
0 K& A4 ~  s# T) K主要部份特性就不會被破壞
, b, b- K) A' u4 o3 Q$ Y! X) v# y4 R8 z# m6 [; M
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># |, G. b& q0 V6 {) P
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 H' ?. K7 _0 t0 h8 ?3 Y7 e. `! T' Q7 e9 @) N/ Y
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加( I( V6 o, y% z: Y, s% F  P- m
還有電容也要加
3 Z1 E5 K, n# @- C若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
, p0 W! g- Y1 B
/ @6 z( i' O  k9 Z4 y) D- gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  W; q# C; z; U# N
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* B$ C  q# Q% e5 t
8 ]1 x5 u0 E- t" E

% D5 u1 B  F9 }5 ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 O9 v. g. _( U; m) N; o3 T

9 C# V8 Q& c5 G% `如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??: t3 F* A! @! |( _( B3 u

! B+ {, F8 {- E8 T. P- X# V數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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