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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 C* w' U) \" Z2 @  O1 U" h. @+ `2 ?" G5 P" `5 A$ u
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
2 g, ?  h$ `: O( d- T" n3 H大部分是要match
0 i( z3 R' {1 U+ i# p$ p5 r/ d* KMetal poly  density  不夠" U( T1 l! h' z5 D0 e& S6 R
加ㄉ那些也較 DUMMY 6 F  w+ R+ S& I' T* x
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
) @# o% T) @- e2 D7 k
9 }) ], P7 f+ v2 S5 ^
+ |0 x4 H& _* u2 E5 G5 D    感謝樓上的大大
5 ]) ?' \2 j. K2 Y/ Y- h& O/ {   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, r6 I  w: o6 i" ~, A- X5 U
9 n+ N: ~' ?: O" C; v6 [
' c7 b" p0 D& i7 p) M    感謝您回覆的這麼的詳細
& w; R& v5 g; k  \5 n% f+ u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!# A& C3 V9 S+ l+ z
/ g' {$ z& p; b# i) i3 A& h
不過簡單來說
2 R9 Q, f: N6 a, d$ l# f: T" }+ b在製程時食刻會破壞掉你的元件4 Q7 v0 S! T- S4 D, l
而特性就被損壞
4 ^; A+ _4 u9 o4 T2 i) a
) e6 `1 s! z9 l4 r若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% c& W# M5 O7 _+ S9 r) E* j
所以蝕刻吃他最多8 j2 G7 f* @1 g* g& C4 _* T4 e
主要部份特性就不會被破壞4 P4 Z/ y" v* H+ n
) i( S4 B: A. e2 R/ p
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
; z6 I0 s% J  X& }所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 Q% ?; g. ^  P3 ?* {0 v

4 |* `+ F1 `% V$ D; X4 e7 y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
" j. ]2 N( J  M還有電容也要加1 A3 @" H: q. ]' I$ U; B/ {1 C
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 q6 |7 |/ {8 d% A+ L2 t" r1 f) x, V* O2 T! L0 T( `9 z8 w# i
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; E6 f8 J) A& D) a) F2 i  G8 _) H
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 s' l' @( P( m, F" y5 H" w( {4 M
+ T1 w2 {  b8 U8 ?5 s7 T4 F: e( T( c9 [, O2 e
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??% X6 u! l6 [8 p  i* l. ]0 b

) Z# \' I+ P, ]6 W如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 `3 `6 e/ W8 r: Z9 [
# a$ v* @2 v" q6 V5 Q4 ?+ m
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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