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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 S8 _4 L3 Y/ `, }9 n3 e
3 E! {# o# X$ l1 n1 u
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; \" `3 a' c) L6 t. h
大部分是要match
* F) i0 O2 j, R8 hMetal poly  density  不夠; P* j6 h- p. L4 P+ |
加ㄉ那些也較 DUMMY 9 @4 E' _4 ]$ [# u" u
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; T" d- `; o' N/ p: }2 |+ ]. K7 X" r4 x

, b) ]! P5 V; f& v    感謝樓上的大大0 l3 R, J7 L0 e
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ w, {! I- o4 L6 s
( H6 \/ J5 z- _! O% N! t, S+ ~3 p" t4 c
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 O4 m3 I# z6 _/ ]您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
) C! _5 r* l. V! X' |! q% }8 E1 X% D$ Z( m& z7 {
不過簡單來說- c! R" w% k2 ^9 s9 E, m% x
在製程時食刻會破壞掉你的元件
- T" r2 l! _8 Y$ c! }2 @( y而特性就被損壞
: Z/ i: l  ~8 {2 |; D
9 r  P# d, M5 [% G若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 t" e% \' t; {所以蝕刻吃他最多
5 S! k; l: B9 ?* T( Z主要部份特性就不會被破壞
  h. m, v* `: z2 L+ H
  z- |4 i4 f* h$ f* d4 v很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
+ A0 Y* R7 ^& }) w( J所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 v7 Q# |7 z9 j  L2 u# Q( C9 Q

; X! c0 I5 H# M* O3 r: X$ r; p1 j又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- X$ n9 y* L; R: w5 X' {4 Q還有電容也要加
4 F% h" y1 s0 C' o6 N9 Z4 `2 q" p若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 S& y7 I6 w# V& |: k( Z+ A. t( h
5 f( L8 Q  h0 K4 z0 A4 oand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) F+ U& W9 \( t7 K! Z3 t4 wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# K+ D( m; y8 ~- d" O  j
9 `  U7 A: ^; s
! \: x0 ^& {  H  U4 @7 e    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??2 y3 v" S( X/ U* f# d) l
$ g. X$ o: r, I* G
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??. J9 M9 B9 I1 z) I- K: n/ ?
( Z5 ?  a) Q" O# N' X; d5 }
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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