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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 w9 i2 k4 P( D+ T  h5 c

1 W9 D( W$ {6 H( n" {poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密  b7 S+ n+ D$ s; }- b1 f
大部分是要match
; L% A5 E( \0 _0 z  g6 b$ S  BMetal poly  density  不夠; s  n0 }3 O* m0 B/ ]7 x3 U3 S) w) l
加ㄉ那些也較 DUMMY " ?, Z5 y! Q( h0 \( |7 _, q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ s1 r1 N: p+ f) j6 m6 _: w
: r9 {  Q& X7 X/ T( T" y6 B( b

; v+ g" F) o4 T- a( P    感謝樓上的大大# j# F. N% F* J! F7 X+ D8 y/ b2 ~3 }
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  ~9 U4 B2 [( Z+ h6 p/ y+ R' O6 n
- v/ j0 H1 I) o' [8 U% K
8 _3 b8 q) q# d8 Z  H    感謝您回覆的這麼的詳細0 ]7 i! w- b  c$ L1 P; @
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
  q4 h4 y" g) c! v% U) f/ }8 y. D2 u1 O+ r! g" n  F
不過簡單來說
% N" A5 ]& }" L8 D* o4 ^在製程時食刻會破壞掉你的元件! r1 c" O7 W+ n0 ]! V2 l
而特性就被損壞
9 L* k# O7 k) g: V# S2 m/ H+ f
: |# \4 x- R9 e: a& @9 n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 G8 J# D* \" t/ N. g' D; w: Z% ]所以蝕刻吃他最多
& s/ ~7 w6 Z5 Y: F  w! N: s主要部份特性就不會被破壞
2 l; Z4 G2 Q" A: C0 q5 d  c. f: I; }  D0 Z  r
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 }1 z) Y8 ^& I/ K所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
  O3 H" P9 M% A" D$ t4 v; `4 k. {: N: f
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' \& ~. f5 @6 L! m7 o" q& ^! Y. {還有電容也要加! ?) F" u3 ?. x3 L
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 T* u3 H; Y! m' V6 s6 t5 E' T
/ j8 A" V* D6 ?9 |and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ I; N" [3 h. e0 H1 yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) G& G; Y! V3 g7 s
& c: z3 H( V' t1 p& D6 S% X3 a
1 y' d% X0 M( E  g
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
$ k. h/ s8 _" }2 v. d
+ o; f) b& w0 L- b! l如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" T) T+ Q: i6 R$ E, ~
# A& t- D( q% H9 T. @# [4 q/ A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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