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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" w3 r( O( V8 i* ^) {4 p) y
2 g) S' D% k2 s! Q& b6 h- B
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  _9 t* x2 U+ S# ~* P大部分是要match
# e9 W" N: D% G/ H1 dMetal poly  density  不夠& O/ k+ x" r+ T1 Z9 I
加ㄉ那些也較 DUMMY 2 q' T3 z: V% }8 S, S- P# }
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) N4 |% H- S( {5 @% s5 i; ?% g& }

7 U" s$ D2 K% a  C3 L+ F
2 z1 ]6 X& |$ o% o# j    感謝樓上的大大6 H* K7 l# k; ^. ?  ?/ Z' ]" L
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 * u3 H- P6 l& l3 _2 H- a6 \

9 q- l1 u5 K0 w" D
0 W, G4 B* F+ [1 c6 q7 Y    感謝您回覆的這麼的詳細: P; k$ n4 a+ l1 ?1 O0 {* s* n
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 k& O7 P0 j) \, y2 j" V
1 T, \, y1 I( d" Q) h不過簡單來說: Z0 j2 P7 I, g# X; V
在製程時食刻會破壞掉你的元件! Z+ Q% S5 u' R- P3 {. S/ @( ?
而特性就被損壞; N! V! @/ |+ G; _8 N+ \
0 e1 t  p% ^1 R. s' K+ ^" V
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
. b5 g6 K6 `7 {, H  x( t所以蝕刻吃他最多
$ s" i6 _" L4 S主要部份特性就不會被破壞
( [7 V$ \: ?# J5 g7 W" N  ~7 n5 w) E  [; v8 C
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. v0 j& a  e5 D$ G3 |
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) W$ {0 ~) d3 [. [
8 \1 a% V: z2 W* H5 z' a% X
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
! b9 L0 a7 `3 P/ }  N還有電容也要加7 c$ N9 Y: O  G! l" D  s
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 i' m8 M$ O% n$ ]3 S
& Q1 ~# E5 {% z* C. w& f
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 m$ E9 C5 Y) Q6 g) ~
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
7 p0 f! Z; U' i" |/ A/ h
( v5 T! ?9 v0 o; @8 e; f

8 U7 X! z% a' H0 `1 n    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* ]  M6 e' ^$ h1 H2 m# e: T+ j3 o
% q3 }  f0 K2 ~# a( \如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 B0 J9 E: F* O( M: U) W  K1 n
) @$ _+ V) t( V: f$ |
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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