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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: I7 [+ E# `. `$ [+ C
# c. N' V7 }" x3 U) V
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
# r" ?. u+ m4 B6 R" B# m6 W+ e. ^大部分是要match6 I% r4 P+ G# W* v+ c
Metal poly  density  不夠3 m2 C% F7 ^4 q9 l3 d$ n& w4 \; U
加ㄉ那些也較 DUMMY - X3 L. X+ q. G5 T0 f
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat / B+ x' C+ m  O7 O8 g9 X
8 O* U* A# i0 H" T  X, _

; W+ K( t, @4 n7 B- E9 b) d" s' B    感謝樓上的大大& W# j4 b) M# V$ t9 ~: S- v
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) ~7 h: U$ E9 V7 b0 r8 `/ Q0 U/ d& k" {- a0 W' e0 ~+ L# G/ U
4 `& l. r/ C  B- ]& R( @  ?
    感謝您回覆的這麼的詳細5 y9 Q1 J" D2 V5 q. }
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( E  E2 M7 G* C' S3 t
  O9 d& D$ S- G" }' T5 f% s, l不過簡單來說
; q: A4 {- N) c. q) g/ {在製程時食刻會破壞掉你的元件% c; ^0 P# u+ y
而特性就被損壞" Q/ E9 E, g6 `* `2 U4 q9 ~) B

/ |+ }( f  T% G% C+ z若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! R4 {# @1 ^6 d2 t- q) T' ]所以蝕刻吃他最多3 ^# I  ]. [* M
主要部份特性就不會被破壞
0 ?3 y/ l* }# v" J) ^9 P, X! c7 m) u$ y0 i. y0 r9 n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ v7 d8 {/ p6 ?) `. X5 L  v
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享5 V5 F4 [& l! d0 y7 l% F
3 X$ s( B( S% ?6 O$ j$ s
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 ^! c; E- Y, E$ M3 u) r
還有電容也要加
' G: ]/ O1 g- X* H& h若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  n& U2 i9 k/ c0 U7 y2 Z5 c6 T9 {3 ]$ z% e: w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 t! b! y) B7 N! w0 f# F8 Xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

- a$ N' w7 I, g! R4 l9 \, ]8 p; M/ V8 A

4 ]5 \- j& }2 Z) B5 q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. r! J$ c5 I) y) Q5 e- v" N
7 |/ j# J7 T0 y( Y. \& y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ N! c, Y( z6 T" r" s% I- x4 t

. J$ }: V4 t7 G' M. M1 G) F9 o3 ?數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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