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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
: k& e! `* X3 q4 _" ?/ B2 w+ M' q$ M$ R
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 u1 }) n! e2 C7 o% I大部分是要match
, H( u  D, o( c0 V/ I2 @, D$ wMetal poly  density  不夠
, e4 [# l! P  i# y+ q& s加ㄉ那些也較 DUMMY 3 n# O7 O# E! y( P
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
: F' m6 o/ H! _" k1 r
0 p# X: s/ U. ]! J6 J
) }- ~* ~1 K& R0 Q$ Q2 x7 |2 n, e    感謝樓上的大大
- R8 r( d2 |4 n  {   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " K# f6 r1 _9 F( r7 v2 [
: J+ z# @; n* d5 G2 z/ m

6 |( J2 Q) T3 g2 p0 Z0 M  ~: v    感謝您回覆的這麼的詳細) c5 g1 c- F# U/ c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 _( j7 A) F4 G* b6 z  T! _
7 z$ D- R5 x7 ~! p, g/ @不過簡單來說
! }: m" p8 j! ?9 Z+ T. n& j  P在製程時食刻會破壞掉你的元件$ F" R3 r) D. y! ]
而特性就被損壞
9 q7 ?- C5 y  \" i9 v/ m- f) ~( O1 Y& ]- U8 `2 Q" |
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' [. H7 S# |/ [) v0 X
所以蝕刻吃他最多
, _5 r/ b% @2 r' I5 T% u主要部份特性就不會被破壞
" \. ]3 L) B! d, t$ n! X. G+ w* @: K5 y6 S# K
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 r' N, u& n9 U0 n, x
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
4 d; s) R# n9 Y1 ~. `7 P& z$ f  I! E2 k& a. Q0 _
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
1 m3 U6 H3 }$ G+ i還有電容也要加: U7 L/ U$ E, J- P
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- H2 |+ g5 ?+ ^8 J3 ~( g9 z9 ?9 w( `: q4 d
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% t: _  w. [# i" m" U3 wvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" s0 D1 [- \# n( t0 ]
" z. L4 s' v7 b  x' B5 m1 d3 A' s* j4 a% J. ~! f. g# [3 ]  b
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
! b7 [6 h( K6 U& E2 ^7 S, d9 @' [- A0 v2 U2 S) ~4 U6 Q, L$ r
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??+ Z3 j2 t# H) E9 S2 W( U5 l1 s
4 X/ \( F& n6 z+ v" P- m+ j3 k. b
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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