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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 H$ l  ]; j& T! w2 x* S( l
. h' q9 e( c. h+ [) w8 o2 opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( j- S! _6 J1 p7 o' x( ^  Z
大部分是要match
4 U) |% z* [0 E; G  Y9 CMetal poly  density  不夠
% _- {* B, B8 y6 O2 l- J5 Z加ㄉ那些也較 DUMMY
! O$ X( N3 A: H. r9 K+ p把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 {+ m0 }% {# y6 Q* ~$ E, X$ V3 O0 I

' n1 s; [. ^) \% \- S& |    感謝樓上的大大
! k8 @7 K, j- f+ f  u   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. s8 |- G% ^' w& P# o5 R8 ^0 L9 m( H( c

% z3 N0 e( f' N, d5 G$ K' {    感謝您回覆的這麼的詳細
$ I4 c4 M7 u& `5 [您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 W& u2 t% c  U$ k( i- q% |+ `! L/ I% Z6 p
不過簡單來說
# k; W1 ]& `3 M! n# v0 {6 q在製程時食刻會破壞掉你的元件7 b3 Q, B  A7 {6 s9 {0 J
而特性就被損壞
6 W" m/ S5 P  ^2 v) I* B2 D' Y# A# f5 p: Q. s/ _' K2 g
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
5 }0 G/ R# ^" U, s; x7 C所以蝕刻吃他最多, K: s$ u/ Q0 C! b
主要部份特性就不會被破壞5 b+ k; o6 l4 k

: K2 @) u- ^6 m5 N5 G很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# f! A/ {5 N! z7 \$ Y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; t6 o, z0 [* A( b( W8 A5 \
& H! d& S" Y8 L  q7 d8 k; C  b, U
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加# i& n. W" a/ Q. I( _2 _4 x
還有電容也要加
' m. N- O% C! {2 A- `若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 @. R9 P8 H) t" B3 X" g, R+ T: W( B4 h- y6 J( S
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- W2 ]: r$ U! s- x5 a4 T7 w! T6 Ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ a; T' o% d! G) r, V  m' J2 u/ x, n2 u8 L" @  P9 w* M, l$ ~
( H! U/ Q6 l+ t: m- R
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
2 i# W& G: x3 h8 M+ W( G* q  P5 `6 O. j: o) g1 U' x! G. d
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??. A3 ^0 O) p7 a9 F

- {9 q: M+ C% N- ]數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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