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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- A# c+ c  {: g# V3 Q$ e* ^; w; y/ }
8 i* Q/ O+ q4 ?5 {3 npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' T% j* g# c4 z, E/ M( X
大部分是要match" g& P9 ~  I/ q) b) H* K  C0 @
Metal poly  density  不夠
6 V" U+ a2 J1 g* @1 h9 \  j+ l加ㄉ那些也較 DUMMY
- m% m; E8 S* a1 ^* C4 _8 ]* p把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat % Z6 b% [* o, u& ^) Z! o1 \
9 p) B# g- a$ Q' a( w* X5 Q
/ S6 b( N: z1 |
    感謝樓上的大大% o5 W& }# C( T, R! r1 y* S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % ^/ R2 K) M2 p) A5 T/ B

9 P5 d8 m. H3 I7 q1 Y/ Q
9 C9 f2 r, k% I2 g; r    感謝您回覆的這麼的詳細3 x( s& Q. d2 d' T
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- t& f0 p* a$ ?' I
+ ]' F6 o& `, c不過簡單來說  a( i' R' v: r7 k# D2 R
在製程時食刻會破壞掉你的元件
  ?; d: X9 b8 i8 t( E9 y' {) q1 P而特性就被損壞9 I9 F# p. [8 G4 s

1 |8 S" C9 R* F( w若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
6 ~: P- v' b. S+ e! t所以蝕刻吃他最多
( D8 X* C$ H7 i7 G, Q主要部份特性就不會被破壞, n; G: q% k' f' o2 `& D

7 g- }3 C) _2 q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- A  Z. C' J" ]: }1 j9 M2 S2 R% Z所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 p  `% s# b* ^9 j3 `

, E% T( }3 T& h2 u又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' @+ J' w* r+ G+ c還有電容也要加
% F' i+ c0 O$ x: p- E若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
2 ^* K) Z, C2 r
$ }. d8 e! V- ]- Eand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...# f: O4 {, y% \) t7 s" G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
4 ?( k* F+ B. M$ o
/ \1 F/ k& K. e, m
1 E: f2 h, D/ P  c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# h' e) G& i) _# l7 V
) r; w  q4 U; f" p如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 G5 |, L  N1 H4 a  Q/ L  J, u# u% P1 v5 x7 x4 P
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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