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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. M; a. K8 g' r+ |
0 P! F/ x5 D8 B' v  L  t
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密7 v4 G& M& R' D2 j
大部分是要match
' R2 `- s& M9 P3 q  Z0 G2 YMetal poly  density  不夠
$ R. _) ~' u4 m  R3 u& Y加ㄉ那些也較 DUMMY 1 e8 }' b4 X- n" f4 n5 ?
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ; U% \/ h; t7 X' ]) J# c
  j: {* D0 u7 c) U* v

$ e( T9 V) b# |" G3 g8 t* g    感謝樓上的大大$ U8 O$ d" z/ O7 l% R2 x
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 }; l( P; C% G. T) j

6 k: d/ y' @  B8 }3 q
4 b9 ?' ]. P/ X/ I$ p" O( I    感謝您回覆的這麼的詳細" H, ^# z- A- k$ ~' G8 V* n
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- N8 p5 `$ F  w0 E# P' q

! B. n% R) X' a8 Y; g5 l不過簡單來說
& C+ D; M) C) n1 A! k8 t在製程時食刻會破壞掉你的元件2 a$ z1 z- Z1 w, h( K: k2 a
而特性就被損壞
- N+ S2 C1 c+ z( h: Y) `6 b3 v0 c1 O
* h$ B; A( }# m6 e- z8 B若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
$ z* E" j' Q* e) n所以蝕刻吃他最多) u5 Q) m, H) x& b0 M6 ]8 ^
主要部份特性就不會被破壞' |. l8 T% T2 C$ [% N& N

6 _9 w3 |) W/ {2 S8 p很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
# _5 X6 \6 A# D4 g; p; e8 A所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; q) h/ T4 \8 n$ {
6 p  L! t# y. I7 ?4 T" h1 t
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' h9 @4 \' w, Y* o$ \/ H. X還有電容也要加
0 M+ e& [0 W, z! Q若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ \1 _" r3 e( s$ V2 I. V9 `# @6 W+ \- v3 N: U* y9 S, C
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ t8 J, q0 e- _
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 K* \# ~" p+ c' E

3 ?* }- J) a0 T( h9 E) i. I
2 G0 U8 v& b5 b9 }7 m' u0 ?, ~    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! a3 L. Q. Z. N8 W8 n& _6 M

6 i% {; O8 F2 s1 G( L; k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 b% }) S# a( `& c6 M: \
- Y- L! B9 _& P- L
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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