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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ y. [, e+ _4 x1 A7 R& H

  q! y1 l, n* e- P6 o* Qpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" P/ U1 @2 d/ z2 F大部分是要match. s" v: o2 w# x- O& r1 `& m/ S
Metal poly  density  不夠' j7 T) z  ~8 c& {& n
加ㄉ那些也較 DUMMY ' n- Y; F4 l# D4 l: w- K( B7 l
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
$ N' z. ]: t& R& H0 z1 ~- d7 x. R8 _& O* E& D- o

5 I; x3 c, s: g  A    感謝樓上的大大
4 y# |, q& L8 m9 E1 B   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
3 D: I8 V7 X7 @* S, F8 V% S5 @5 S% r5 o  u" l2 x: d7 |
( K8 ~; \' _0 j- d5 V* G
    感謝您回覆的這麼的詳細/ \$ B8 k5 }4 O2 d; L, u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% V, W9 M) S8 R) m' _5 @* o3 [9 g; T
: J3 ]9 f' {, ]9 a* s6 w不過簡單來說% }6 e/ V1 R& V' P0 l) N) U
在製程時食刻會破壞掉你的元件4 Y, D" x  a' p3 N0 s2 A% S9 }
而特性就被損壞
4 K( m- \1 {7 o2 v1 @# O" w/ p5 P! d. x& ?+ g2 H+ `# [" Z7 M
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! l: ?: l$ H- Y5 E4 |# y
所以蝕刻吃他最多' }$ N& K8 p# w/ j+ P
主要部份特性就不會被破壞
% z( n- l  {4 z2 |1 W+ A6 E0 x0 E  }! ?- c3 t( N. M
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. S4 K' F( {; F4 e! n, [2 P5 b( [! D所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享) p2 {5 a0 f' h4 o

: V3 l% u+ N, i又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
( C- X7 K/ [$ _0 A% u3 f" x, S還有電容也要加- Q0 c% _2 t  p) x& V' t1 Y) W
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!0 y: t4 C8 |! g; ?5 ?6 N2 ?

+ V" u2 O+ Y' Land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) v& ^8 L8 B2 J2 o0 \0 G# Svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( K* @( B5 `7 L% |$ _3 V. O% U" I# |8 K1 t/ x% l* j5 u
8 x; o+ [7 m/ S1 p7 `8 c0 R: k
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
. }; o. F* s0 q! a! f0 ~. V( E+ x' G% Q7 I+ n! f9 B; ]
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 y# ?9 b: {; |. t  k

3 ]0 q/ @$ v$ ~: X/ C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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