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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, B4 u- h: W) E- f5 ~" o% y' Z; y( n! z& O+ F
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密9 e4 x- y; J& Z6 E' G/ ?" y
大部分是要match
$ ?) c4 \$ H. J0 y& F# M$ j( [, U# kMetal poly  density  不夠
4 Y6 s; {! Z& Y& {加ㄉ那些也較 DUMMY
  @8 ]! e  y0 p1 A, Z, j+ [把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
1 X3 ~, M. C. t( D2 s! J; |( N" v; p& ~- m
3 {0 d, m9 A( S! {: J! P
    感謝樓上的大大3 T8 C  O  t# w0 |5 p
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
$ i3 a/ `# D# N/ T0 t  y+ h% c$ k2 k+ i3 j: a8 e4 p3 s' S" K- N/ J7 s
. J4 h4 e" J( y; J/ T- p' A( n' h
    感謝您回覆的這麼的詳細  ^& N( N, t" Q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" }/ K) N7 G  C# c
% B/ Q1 x5 u6 s  }0 Z/ b+ U9 E9 c
不過簡單來說
  c& D  G1 p- V. c$ A% N4 S! N在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 U3 G+ W8 {$ R% X5 [而特性就被損壞4 M3 o$ ^& m% p; l) D4 b

5 D/ E0 ~3 D. O" ^! F3 ?若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ s. e, [0 W0 n# `& ~3 G+ F! Q
所以蝕刻吃他最多- a* J# o  k0 d) R# {6 F
主要部份特性就不會被破壞
# v5 R. t; E" E. M2 R
& P: b$ ^' y/ k% {8 m很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 s( o- _& W( B! h# L所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
  y" X+ Q6 O: n4 x! p
) a5 h4 C+ V% d又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ [( r9 m2 R* E8 ]6 k. @9 B
還有電容也要加
" F4 p9 V5 Y/ h1 b若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- D) d. ~. u' o2 X5 k- T, D

4 X5 u) F8 K8 w) x' F4 Qand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 {, v" k& |6 f) J. z" u5 u2 ?5 X
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
5 H$ M! @. C6 D7 J1 D7 a* L2 G
4 O1 {; X+ u, U* k
7 m9 M1 P0 u4 L: e- r
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??) O% `" s; C$ x' w& E& s
5 ~2 J* d  F1 p4 U0 T" |. ?
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 n4 j' |4 Q" ?

$ o0 H0 W5 f! @1 H( Y3 H) |# O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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