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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 @1 `+ K, ~2 H

" ]( J% O$ s& ]4 i2 A8 T% s0 R% opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
' s& c8 h4 ?) G' d+ G9 A大部分是要match
7 [0 c; s4 {9 H- h1 `Metal poly  density  不夠
6 J& N* g$ J; z+ I, X  w5 `( t加ㄉ那些也較 DUMMY
( e( ~  e+ S5 z( s# R把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 N2 Z% D, M: {2 Z+ Y+ E! c+ A# ~" D' }9 L
# X( m) D. v% t
    感謝樓上的大大
$ b4 m/ m  B; W' b  [   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 2 ^' Q$ m7 l* B0 k

0 W2 B7 Y4 r! A: S! L- P$ j6 I
" x$ D/ f1 m4 z/ `    感謝您回覆的這麼的詳細1 h, y5 V7 F1 U! O, d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
5 `' C# Y# U# o- X3 b- b2 g
/ L% {2 p1 s( A. S' o! R7 U6 L# E不過簡單來說
) o( i! m$ ~8 b( ~6 a4 v在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 w3 w' ?) C" v而特性就被損壞
# \: I# u# C* _. _
" c+ K2 P" K0 o% b: O: ^3 f若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- Y% c0 S! g, T. M6 I/ }1 W5 U# G" N
所以蝕刻吃他最多" n+ m) F) v  F' f, }9 ^) S
主要部份特性就不會被破壞
; V# q6 Q+ V$ w& u6 v" H; X8 M% L( ?
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( H4 }5 Y% S& R: m# e' S1 Q# s8 R* o
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( I& W: W7 \* c2 A, Q

, s' u# z8 _) n# \& h' s3 h9 r) E又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 Y. `; @8 Q$ V* M# i* ?- A! i還有電容也要加& x& k8 C3 X* ^( q
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: r& W0 V7 F( e" o8 l
/ Y' B) N  x% w2 b! v+ e, Cand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
8 O; t' _9 [( o6 V' Nvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ k# R7 ~& T3 \0 Z& I! h1 e" V

1 W  _/ W) t3 a! z" p6 h- l% C9 N" g+ [! Q
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, h* |6 ~; r( Q( f: ?
9 P+ w% G4 y1 h& d3 V如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
  \; u! `1 b9 v3 A3 v! U( _. I/ |$ s0 I# T3 ?4 D$ _8 H
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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