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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias7 r4 K9 _& T+ m  ?

% i4 J. b" O, N( M* a1 s. Rpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密' S2 F3 d7 h/ {; {* |
大部分是要match6 k! @6 g8 g' _7 e1 W
Metal poly  density  不夠
; ~6 ~7 |3 a3 z9 r) K. q# A  i; R加ㄉ那些也較 DUMMY - e; t2 Q4 J8 L, N& k3 s
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! m% T1 a0 W" g8 O6 l- }! S& a  d+ D
8 ], W4 Q4 ^& p- D$ _1 j( T9 [
    感謝樓上的大大; P) L) ~3 ^. R- c# o
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , u- T# a' j  P
: Z$ ]0 F/ n' z! q  P6 I7 A* k
6 [1 x7 U; }) I9 K! j6 J; V
    感謝您回覆的這麼的詳細
% O2 r3 Q& q) w5 _& T5 U2 t; Q. q/ \+ D您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 v6 @  \! y1 s! o3 j: `2 J
" G" {2 D) w3 D2 ]: p% b, W不過簡單來說# l  W' O/ u( I$ W' X" V& F& h
在製程時食刻會破壞掉你的元件
% ~+ w( j; I3 u, ^而特性就被損壞
) J& l3 b! E  r
  j+ j1 T# |2 N; M% M% y8 U  ]$ n若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' I- e7 I2 A( J6 x5 d  y/ }所以蝕刻吃他最多
, L5 G. a- D: M7 Z) c/ n主要部份特性就不會被破壞' {2 R9 l; |9 V1 s

7 a  x  [. T2 ?+ b: l& I% v1 H4 }很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>8 [4 k3 S( {; ^! o$ c
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享" L# n, v+ N" @+ F
% A0 b9 B- ]' ~# Z9 w
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& j' W6 ?/ `8 b
還有電容也要加- b3 V9 c2 `8 D# [6 j
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, ^6 p) b1 {  u- D( w

6 @5 [1 O+ e  {. F! \1 Yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: Z7 _& E  N, e4 Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
# _% _9 u  x2 J+ y% r: t
5 f# L% _; e5 D% V. R$ {# A5 F

5 c/ J: N1 N+ ^& ~3 h3 m    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 N# G& P+ G1 n8 g& o) r6 l0 U, p/ S. x
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 k+ W- j! |0 d* Q5 W4 L
* @  Q# m7 U2 E/ m) x* v
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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