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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 @) p$ a, N  H) A$ n; S/ J8 B
& d8 X( h& j& }/ m& r$ jpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) i5 q4 s# j2 J) m2 k大部分是要match
$ O/ V; _5 r" L$ I6 ?* a# @7 _! q2 cMetal poly  density  不夠' H/ u$ l) S& m" B: ?- r
加ㄉ那些也較 DUMMY ) s6 i; k: G1 U. |
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & b! K% W9 ?. M' [+ j

2 s7 Q/ u4 h3 l3 N  j; B# Y' A
9 ~6 A6 f# i. ]: }2 A% C    感謝樓上的大大8 u+ I7 t9 U( Q7 X  E
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
0 V- H( _8 X6 [) F4 w
0 e' ]8 R0 K2 S' c9 @7 D5 [) v6 s  H. {4 \9 B9 |
    感謝您回覆的這麼的詳細0 v8 H" {# X) P: t; M& g4 f8 d# L
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
! I. F0 l. k" `. H
4 l% R% e" C1 S9 T, y不過簡單來說
+ Y; r1 H: O# F/ U. V9 [% }在製程時食刻會破壞掉你的元件
: A  V4 V7 i8 x2 V. S/ C而特性就被損壞
2 }6 O! S! R7 q0 r" _# p: f2 x+ i
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; p' o7 \! h- Z所以蝕刻吃他最多- Z5 J* d0 g0 Z8 g' r7 u% b$ M- C
主要部份特性就不會被破壞4 S6 C/ P  a) g: Z* f* @1 w

: V5 O/ n( I0 s. P1 w7 s很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. @7 N/ @7 o7 M6 d所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ T! }/ i& q6 p' v+ n6 @% b$ J

/ W/ G, |/ s) A& |8 p& Z# Q- l/ a又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" v8 |2 J: n- _" X
還有電容也要加$ l- T$ k1 K; e; I1 h# _' F: e
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 J: {  v8 k1 f( ^* \, m
! g- u( M) R6 T( d# D1 W' a6 T. hand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
* j9 o3 K  U" D) Dvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ F: Z" Z" B# `& `5 m* \- ?  p7 F
1 ]: V  L. ^  x* q( ~5 _
' Y  L8 v- s  ]6 E7 U4 {
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- [5 L! z7 b7 \) h% e& _+ G$ O
: ?1 T) C7 C' f如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
9 G4 F/ a# i( }7 q  g2 t1 E& \) `
9 k4 Y4 k8 A6 m$ q& D2 [數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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