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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 _3 Z. @+ V6 Z0 S' }
- g. o% F& U* j. \
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
0 `5 [% s9 m; z大部分是要match
% u  A, `- f! s+ s# _Metal poly  density  不夠! `4 `  W7 Q( v2 U$ K
加ㄉ那些也較 DUMMY
2 L  {) Y: O  c4 W1 f把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ C7 @" ?7 X' L+ h5 p

9 i  x! S2 u3 _3 T. o
, N/ j* y" @& u0 }5 o5 ?    感謝樓上的大大
( U  ?- H  i; q5 ~   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 T: w0 X3 q6 i1 u7 X9 ~/ N8 z
* }  [$ o( s# A/ c% d" i
0 o$ v+ r; N2 x$ _( b
    感謝您回覆的這麼的詳細
- a! d# \6 ^+ p2 L: T1 d  ]8 j您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!; V) B& W7 x! x: |& M
  l* n% t# g$ |- s* r% Y6 K
不過簡單來說! S8 O4 o' v7 P2 ]% {) E3 S$ N& p% ]6 [
在製程時食刻會破壞掉你的元件6 T6 I( {$ f; a
而特性就被損壞$ U1 s  t  Q: @# }0 P5 m
' z% i2 s  y. y' k. X, z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>- u: w1 A6 l) g
所以蝕刻吃他最多+ X5 d. C, m" ?$ Z- P
主要部份特性就不會被破壞* Q- h' O7 _2 ]
9 Y% }2 S2 U5 f
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- P/ q: K1 M8 a3 @
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 i7 @, J4 }% M% h  ]+ r, k# B3 \4 _9 B7 a, F
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: ~! i& d& K9 P4 K" M; \
還有電容也要加
* V; @; K1 n; K6 N: Q  Z- ~8 O若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 e- ^7 u4 j3 i' o# f  B* z2 o& W3 I. o  c% }
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! j( B& R# L2 _7 ^( o* A$ s" H6 mvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 B4 Y+ u" h7 h( W. W3 F7 i
" [, B7 G0 k) v' O4 m6 B, O5 v$ f9 W+ L4 t! o; Y2 A
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
" j- J7 x0 K! e1 [" l* i5 b, ^8 j( i* I
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??" ~8 L. g5 ?7 [# {: Y9 S
8 z  S+ c! k$ Y/ H* J3 K
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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