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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 a- B, H8 B# \2 ?

) T$ i  q8 \+ \% R: cpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 m8 h6 W. W, \" E. }  A6 O大部分是要match
( h! g. U4 J; Z/ B0 _Metal poly  density  不夠
1 h# V5 c, {" i7 ^% X5 F$ ?加ㄉ那些也較 DUMMY
& r* y. N+ c, ?9 Y1 O把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 6 y0 Y* a2 `# y6 M) T# W9 b
0 w" q5 K  t" U# o+ T

0 [# \  t9 b; o9 P$ A    感謝樓上的大大
& c/ `* m; {1 B) Q. ]! B) t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, f& M1 ?2 T1 d1 I2 ?' O' }2 K; O$ f# b4 H4 z2 Q' g
: k/ [/ ?! e  @8 Z$ B1 p, _' T; L
    感謝您回覆的這麼的詳細) b+ {) Q9 v, A3 G+ c
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ Z  o0 J$ D" v5 N" Z
0 C7 X* L$ I3 Y% N: W不過簡單來說1 Q# S0 i. ~0 m* z
在製程時食刻會破壞掉你的元件2 n/ |4 c3 p! [6 d& n  _
而特性就被損壞
8 S: N5 D7 n% J* `( n2 ], Z7 h% P& h) u; k9 }: G1 i; K9 [
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# n  M7 e- C6 D- \所以蝕刻吃他最多( ~0 S. F- e/ _1 w6 m
主要部份特性就不會被破壞
2 r/ h% a7 @6 D5 X9 r
9 h  {  q5 W! S+ Z  Z很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ ~7 q/ ^9 N' T* o5 x所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享! k6 w2 m& Q! `

, E/ _2 A2 e2 R3 M又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 {( [4 ^2 ]9 A' R7 q. V. Z還有電容也要加& R2 I* L; N1 K
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 t6 R* ~* m. D- k8 X% n' M3 J6 b1 K' J* ]
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" j. t2 Y# B; T, ~( B- qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
2 ?" ?" v! r$ m- D/ k1 o2 P

9 U) i" K3 D7 {: |) `" e
+ A8 ]7 \4 t7 }& k    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* q0 w$ d7 V# T9 v9 K3 F

, H+ Z$ }" e' k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! c1 J7 ^, y, `, |; a
" e' o8 c5 Q6 Z% v數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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