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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias  h  f( S3 p1 s0 E' b6 E" `" [- a' w
5 [  t' T! h3 U3 u9 [. L% B
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" \* O! H9 K8 z2 p8 I5 c. ?( j+ w大部分是要match
0 j5 N7 d8 V7 E4 m; x" z$ OMetal poly  density  不夠' ?5 y; i% o0 p6 t9 P; ]3 ?
加ㄉ那些也較 DUMMY 0 r% t0 T7 r& r, \% o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
. H1 P2 G% j2 R# E4 X$ t) @6 J% K) A
# H7 ?! l" d/ e* Y; w, n; c; j
, H  k4 E8 a4 n/ E8 j    感謝樓上的大大4 u! @  T& V- N; @) f, c
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % p/ s* |' O4 J" m* h
1 Q* w$ U6 R# r
$ \& _4 B, D# r  d4 g- U
    感謝您回覆的這麼的詳細- k, j) v. c: B6 u
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' N# V4 n' c- \$ e/ H: i, Z
: o5 c0 b/ y7 Q0 c不過簡單來說
6 N! o- h0 D4 |. G7 d2 A在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 l( W5 k3 O; G5 K/ p而特性就被損壞
' d' L% O" a" \$ h' i% c- i  R/ n, O& t% `0 |, w( L: J( @
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>% x) z- _. d) y! S6 G
所以蝕刻吃他最多
0 ~; ?) @' F* e. a5 k主要部份特性就不會被破壞: H. X* d- u4 {; U# s

' `8 v8 h0 B. [3 W很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 k  u1 t. B* V1 p3 G4 s7 r+ B- O! D
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享- F# z* M8 y& e! ~/ Z! I: H

: u$ o1 m  t6 b  Y0 T/ L* L. B; U又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" K/ A! f8 t+ w, [/ Q6 [
還有電容也要加" ~. M5 w7 J" p7 @/ Y* x
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
7 l; i. |, W2 W$ r  D' m+ Q3 u6 Y2 _) U# `  a
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
+ y2 K  a# l' u& Q: l) p& w/ {vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 ?; F( r8 ?+ r
. v9 R( k, D- Y- b6 b8 K7 t! _4 J, t+ V- S2 ~( B' c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
$ M9 \. X8 K2 s; l4 l9 q3 l) r
8 A9 P' s( j  F7 h如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, F9 T$ W* W  L5 I1 `4 c
/ y. e$ f5 O+ T; O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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