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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 X5 P) |8 l4 N: [9 }7 k0 Q5 @- d$ D; d2 c( J4 O& w
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
4 t$ \# _- p9 G( U* L  i& H大部分是要match1 S: X0 M& L. j7 B  \, w
Metal poly  density  不夠
1 [) q5 E2 }  \9 d+ H加ㄉ那些也較 DUMMY
2 |8 \' ^% ^7 L7 [把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 l. A8 ]8 ^- R

4 N: |5 l0 k( b. y' C- y2 N" H  X5 k3 f; o% u* C/ y- i7 O# W7 ?0 k
    感謝樓上的大大
+ m5 J! m4 n5 I0 s4 O   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, c- n; g7 v2 _; |$ r- w; k* Z% D: |9 G4 t! @% r& |
/ W4 L+ J* c7 x! L
    感謝您回覆的這麼的詳細0 N0 \$ Z2 ~" b' T9 e8 I& I6 r
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!- y' j( p0 e+ g" W9 G

2 {0 a5 \" `. ~  v不過簡單來說
- n, I% O2 Y# m$ k# W; h5 J2 J在製程時食刻會破壞掉你的元件
" R6 ^1 q' e6 o5 S而特性就被損壞
, r6 }' L5 ^+ _  R: a2 T* o9 Y  _4 _' x0 R- T2 O7 E  J- N+ R; w
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* O- o: K# N& C0 }
所以蝕刻吃他最多6 x: `* |% `6 p+ ^. F2 b
主要部份特性就不會被破壞$ a; {! }' q6 V( f8 ?# J! f7 f4 A( J
  b  X' \: O" M$ i( x
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 O* J" H5 }! @9 D$ o
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" z+ U9 W- C. U9 J$ l0 r
) M3 s3 u. X6 s+ {, f  Q& }又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加- u( G* N3 ~7 e0 E+ H; ]
還有電容也要加+ k  m4 V( c4 M4 o
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ I1 w9 }8 A; K) Y& i3 I/ i
) t: G: S: `4 K; k# |
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  s1 X$ Q/ K0 `1 h
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 T1 |6 V0 J& g6 {( Z" C0 J, j1 v( ~7 \0 [0 u/ J) |7 a1 s4 u8 {9 i

( B% }; i/ n: b/ l. ^, s- u0 T    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 k6 y% i$ u+ O: G( t7 T6 q( n

. c3 Y$ Z8 b7 O+ _: @3 I如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& N" r# ^, h; h1 B  p- [! |/ i- w( `! N$ A, `5 d& G. V
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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