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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 N; [/ K2 @, d) S# u' J% G- C2 l+ F# r% J7 g
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% j) Q; F+ |6 j+ v  r8 [' B# }
大部分是要match3 |$ e! S+ o4 N7 R1 {
Metal poly  density  不夠
: l+ u3 O5 L; P/ |0 F. ]& r8 r! ]2 n加ㄉ那些也較 DUMMY ) J- X$ Z' A2 w- M
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
) I7 d3 Z- N$ ]  K" O& R3 p$ e# `1 N
8 O9 ?; @+ U9 R9 Q# q1 D. `7 O6 `( f5 z  ], P9 l5 U
    感謝樓上的大大) W/ |' n1 C+ I$ @2 R
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ! B6 o4 }) l, L2 q
3 P" g- V$ @) g- v$ `  W) i
4 Z% X  b8 ?1 ~" M) Q
    感謝您回覆的這麼的詳細, T9 v  ^7 W$ S0 K- M( G
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ P% M7 C: S  P; J! }2 z* \; i
% ~# x6 B6 c6 H. W/ Y6 M1 Z不過簡單來說
1 ?: k' a. L7 |3 w* p6 i+ B在製程時食刻會破壞掉你的元件
) @1 @& G! Q# D% q而特性就被損壞( U  `% ]. X# ]& Z# c9 g. d2 B# L
: j3 o' e& l( i; a7 A1 S
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, L( V8 K6 J2 w$ @所以蝕刻吃他最多$ h7 L) |. }& M9 Z$ K4 s0 G3 q
主要部份特性就不會被破壞1 U( }- K, W2 M6 q$ W& `

- f2 V  l# j- f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
9 O- B, ^0 {# L4 `3 z4 I7 j: {所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( A. Q! @$ }  Z3 y2 f! K# Q/ j* {1 o1 i
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; q8 r. \1 W, f6 e還有電容也要加
7 L1 V; x9 ]# O! s6 d/ e若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!6 y7 Q8 v) `# }4 {
; B0 `4 q! V9 A/ {
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
' p* X7 i, R. @! @! z1 Yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( Z1 |8 W8 }  x# y
) u: v; t8 N" N/ A5 m; c# q  H) P) \8 D3 G9 u! G' ]
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( b5 d4 U' ~4 @% u6 A) v  ?

6 ~0 l0 @( E- Y" c4 ]9 O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??3 P2 y$ s9 y0 w4 a1 C* X9 j

0 l3 Q+ V9 J# G/ [2 O5 U數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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