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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- [% O  W% L& C3 J# k. q% {& P- `' |- o6 Q2 P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, _, h) A6 `, {$ W/ `
大部分是要match6 c9 C4 M, D& Y6 D! l
Metal poly  density  不夠- U; [2 z7 G+ V5 I. w
加ㄉ那些也較 DUMMY
5 p- |* e/ \0 o" {" G5 _把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! B/ n! i9 A5 X% n: |  X  {/ K7 S* [5 j  ]% s% }" S  x
" C2 G! h2 y) [2 j
    感謝樓上的大大5 S, k) j- b9 Z; s' M
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' A5 f/ R: T" q0 H' O
- n% s* F6 ~+ `* h, |* \9 C7 r) ?5 v
  V+ ?4 {8 n9 y8 \+ m    感謝您回覆的這麼的詳細% Y9 ^2 ?3 u* `& t
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!& w; P+ M! T, j  ~1 P: r

) W) b) j$ S- f5 [, v( @$ e$ A( {不過簡單來說
9 F" ?8 L6 q- c1 c, S3 w% i& J, ~在製程時食刻會破壞掉你的元件1 V! [6 n6 h7 w/ W' c" d8 M' P5 P
而特性就被損壞, H% T) X$ f5 t+ M+ _
; K4 K" t( f) w" `% J- g- G
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* \$ V) Q. E4 T  ^' b+ r. a
所以蝕刻吃他最多
. m% n' ^# K3 v. R6 _主要部份特性就不會被破壞
/ t: f$ X- n  b$ a" O0 S# n3 [5 f
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>1 v0 D! s8 `; \6 x
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" j9 H$ S; e8 n& T2 g  L$ O$ P! ^5 F7 l% d) Z. P
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加% P2 P3 P! l4 x/ c- s8 Y, ?) v
還有電容也要加
" ^/ P& ]3 L$ ]4 r, A# g1 Q, \0 G若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) Z( J, V+ F2 a3 S7 B1 T  A# v
7 u) c; Y" p! N" y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  ^; G' q% R/ }3 n4 h
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
9 A: j+ i3 ^, q. B( I

- t' i7 D" f) R. R) w& z. T
# y) ~1 c9 T" e. [5 N    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??0 ~& f  H3 O+ l/ b

' K0 }' L1 E+ _2 w) z2 v如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 {# x! T: r- h. o: o& k

4 o) [0 z% d9 }% x數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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