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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 h; P9 I' i, P& s6 m, ^
+ u% V. Y$ G3 F$ |2 @! b
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" _. n! N' E& V. ~大部分是要match
7 A8 m! f: _8 G1 v- fMetal poly  density  不夠
* b/ o  X/ B7 W7 k5 P4 r( E2 g加ㄉ那些也較 DUMMY
0 W" D- p: e1 N把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( R& `& k' N5 y0 |5 Z! ?! c
& ?7 ?0 Z  Z, k; V# _" b/ r  I9 V1 |+ q' P
    感謝樓上的大大
7 O2 }) m  T4 S* k9 ]' ^   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 / P. ^) L6 O2 v& C$ g) @# k* M7 I( {+ J

7 @! u1 {2 A# r$ l# e
. _3 }" w! g* h4 o; p& N, ]    感謝您回覆的這麼的詳細- ~; [! C- U. y( w
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!+ d& ~! Y+ \) }, g  |
. e$ \7 e* i; c2 T
不過簡單來說
2 c2 ^1 p& e% @% Q5 i) C在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 s) S, k6 w' w' u( m而特性就被損壞, B8 @* s# M; v4 X  K5 L; b6 [+ h; ~
. l/ R" S- p+ J3 K. J/ M
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>+ C* |/ N- t) y9 h: Z
所以蝕刻吃他最多- _9 X" N6 B& O9 j! d# ~
主要部份特性就不會被破壞
* I, `5 j. G! G) H3 H6 X, a4 f' \+ [  \! `. G6 J
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
2 G* b* n/ o, a! D# _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 O- j/ f" F& m: ]# ?5 p* T* w9 l4 e
/ `; h" {' @' D! ?" B+ w1 i: m
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 l  l7 J1 f  {* b! Y2 u還有電容也要加/ ~6 Q  q; K( B- U8 G5 W4 D0 ~
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  y* ]; h* e$ e1 h/ t. @# A7 u4 g% b

  W! S4 b) ^/ t; i! Xand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ S5 B% h. h! Y' l; G
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 X+ a4 h6 q9 a( {
6 m, u& n! l+ X% O, b6 a
; p! p# k* R  y' l! X+ J0 x    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* O3 r- x; t( w1 g7 c+ s

1 w! V" s" Q0 `$ r- i6 V- F" [6 e/ P如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 |: \# U. R0 s/ }! Y% n0 e

' w2 r" T% m, X+ B數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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