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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 b- J% S' Q* p+ K4 ~! j1 N4 X5 _
7 X3 q) a; _3 I8 e5 v. \' R- S
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
) Y7 _  B$ n" {2 ?6 z* v3 q1 {( ]" J大部分是要match
8 n, |" l6 a! p. q9 A! O- x# TMetal poly  density  不夠! n/ \1 t/ ]+ Y  T! N( d' b( U4 Z
加ㄉ那些也較 DUMMY 5 ^" b% {( a: f$ F, S8 v
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   m2 y7 C0 c' b
+ r4 _1 I) l) C% N  p* s" Y
: n- e  _; v/ t% r- X! L! z6 e
    感謝樓上的大大
+ ?6 g1 a4 N, y. l( X- n, h7 T   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' ^; y. w$ d( H; ?* ]' ~7 ^3 B+ J4 ~8 Q5 \) p

. k6 z/ O# d- J; Z" _* {) _- X" L- X    感謝您回覆的這麼的詳細
  y/ m6 ]1 Z' d  H/ O您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. A) s4 p! i0 j$ {8 Z) d( O9 n) a
不過簡單來說) Z9 F3 L* D4 b1 W( p" c* k; {
在製程時食刻會破壞掉你的元件) h6 u! v! k4 e. ?
而特性就被損壞
" E; P4 q: T4 v# y( T* X/ i  w4 x+ W& G0 t* B8 K
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處># s3 o6 A# K0 ?/ }0 `# v8 }2 W+ D
所以蝕刻吃他最多6 r$ B9 p3 P' ]
主要部份特性就不會被破壞: {4 y4 Z) R; U* P" O- r/ K

$ [/ S8 h" y- \. P2 p很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& K' a+ q. j- l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* a* }8 O  L% [& N5 J0 C& h
( y+ ~* }0 n; W3 @& C0 P6 b! z又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& h4 G% i+ T3 j* Z還有電容也要加
6 s* n3 t+ g* `' I6 Q若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
9 j% z2 L6 I: W) M  G2 o& U0 ~
" Y2 Q: @; L5 p2 T! `2 yand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...3 \; f& P) v6 C# h* I
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 B( d$ o5 u9 j" B8 q( Q9 z5 `# E" o" |! J% C

7 ?; ?% {! n# ~6 M( k. U7 T    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- k; w2 O* S# W5 E/ T: y  ~: [  Z

$ K0 G3 s  N, J% p如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, b! @1 n& h# a; p+ o" v$ f. v/ J

: t+ Y+ l8 J# m2 b4 q2 T- E2 v6 C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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