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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 }- Q3 \) p( b; Y1 c) U6 i9 N# E4 t9 R0 l5 g
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- ?, l' J" i1 r0 q1 t
大部分是要match) I, `# n; ^: K8 L% {1 {6 S9 H- q
Metal poly  density  不夠
0 D& W* o% K9 x. e% b) n( |+ q加ㄉ那些也較 DUMMY - o3 |: z4 J# Z0 D1 s4 p
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat + N# k) P  h& ?' X" T/ M
( p3 A3 v  t# Z& K4 s; W

' I0 ?) U6 P& O    感謝樓上的大大, ]& T' z6 l) d) s$ m7 l7 W
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: f* i: a  r8 N% G9 \& }7 [- E& B4 r* T$ V4 x

) N7 [/ I- P5 L7 l( z    感謝您回覆的這麼的詳細2 |, C* X+ u( Y  _, G
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ Z* L1 i+ P. a4 l3 d% H. K' L4 d
% j3 V5 W6 T3 _6 [5 N* ?/ c, S
不過簡單來說& X6 c- n* n7 t1 p' M/ T0 |
在製程時食刻會破壞掉你的元件
% y& C) n. X( z而特性就被損壞
0 J2 @; n5 Z3 Y( S& B+ C4 ^' {' G# c2 z$ f' W
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( l3 N( \; X6 I& [, r6 U所以蝕刻吃他最多
/ m4 t+ F( }" j6 q1 J3 h2 A主要部份特性就不會被破壞5 L8 b7 E0 p! W0 V
, ^4 A/ h7 D+ J1 S
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>3 K1 l/ S8 M$ s  V
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( |( e* |3 ]6 R, d: h5 J
; Q/ p; [3 |; e又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) X/ B# [1 f4 v  p6 I$ x: N還有電容也要加
. a( M/ R( c; K* C# {若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!3 `2 _2 J' ^  R: ?& U

# N0 B( K' o2 }8 pand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
2 L3 b* m9 {6 t0 xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ N' F' l7 ]8 G9 r4 g. C- f% j! R: `4 e8 y
# G1 q+ i4 K8 j6 b2 d6 k+ i
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 x, f+ d5 c. Y& S1 o

; j7 c% z& r8 D如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  G! u. M; N- \3 i0 Z8 ]* U# O

6 l' K, E& V" u0 ]數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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