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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
+ e  \. d; Q. \3 ]2 {4 @- T0 f, w: Q$ M6 V5 n- E1 P  X
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密! p; o9 Q" L0 Y/ I% F! C7 m$ f
大部分是要match
) k2 Q) F4 l/ BMetal poly  density  不夠
9 k1 u4 U: X  D" z加ㄉ那些也較 DUMMY 6 M& H1 W$ G6 j- ?; n3 q7 d
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" k8 @, l' n& e( [- Y# X
- l# l& q4 `( _- m% Q0 f
9 q# a/ g1 t0 y4 W    感謝樓上的大大, t3 _6 @$ Z6 s2 m8 ^
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
9 i2 i: W5 N' @& e1 E
; r1 k$ l/ n+ }, C4 y  x- m3 A0 U) k& }4 E8 k  C
    感謝您回覆的這麼的詳細' ?( J# _  x; L8 J7 B6 ?
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. S8 J! M+ \1 Q# t! p- _5 b) h* j5 U2 V( _# j8 j1 Q, [7 Z/ u, S4 u
不過簡單來說
7 C" O  e" P8 A1 q& [, I% r在製程時食刻會破壞掉你的元件9 j; G4 U  G: z* a; v
而特性就被損壞
  ^; {  `3 y9 R8 e
2 `  d1 w0 t) y+ j若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 _% l* V9 P. l5 \! G. `: z
所以蝕刻吃他最多
$ P1 C4 L# R+ p) o' ^/ X3 I主要部份特性就不會被破壞: t; e# _* U. E9 ?' p: C3 n

4 s' A0 a5 R' F/ F) J: U很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 C- d( Z# F2 o3 D) Z1 h( `$ d. D所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 A  K6 M5 R" e. \) S0 \
6 Q4 M  y# n( ~5 T" B
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
& T) Y* h% n0 J, `& N/ O還有電容也要加
% `, K9 W7 I0 _: V若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
+ D% M' k& P- B4 s: e' ?& J
& h# H  `  d% T0 m; aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ `2 }! |3 l# n" z6 d: O4 R
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) o* j. y$ c2 T9 R. c
( n/ S5 |/ t% E9 w* O! q! T) P
2 P, Y/ Z' Q8 |% y: Q    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- U+ q3 _& A* J1 h2 {: I/ |: ~* W
3 w$ M2 D& l" o  M' |1 C/ @
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
2 [3 g* s; P7 f/ n0 V0 B4 ?! f
8 Z. J* Y) p5 D* F7 \6 C數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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