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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ e& k( `* z% r0 e' a7 d
* Y5 Q5 |& a6 r. d8 G
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密) X9 s  X* @2 z) A
大部分是要match; u5 A' `9 L. m; W
Metal poly  density  不夠
7 v' N7 W7 v1 [! v5 I加ㄉ那些也較 DUMMY
9 ~# h: v' u; E& L4 E把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 s# S* M, B* M" @# X& y5 M: `7 `3 {1 T3 S: u
/ Q! `# t  x4 X4 V$ ~
    感謝樓上的大大9 m) j! ]- f% O
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 5 w+ o: p9 R: F$ n1 i( C# X

# _1 F! \1 x7 y; A5 K6 P9 A
1 r4 u1 w+ j/ B. i% B; @$ j  R    感謝您回覆的這麼的詳細
& ^6 l) a; B0 i0 i" @您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
* w  R7 l  E  j- p# `2 B3 F/ `, ?5 G
1 H# ?/ o+ V2 r不過簡單來說
# r0 u% D0 c6 E5 T在製程時食刻會破壞掉你的元件. x5 U8 W4 c7 Y+ p
而特性就被損壞
' w3 p- C2 i5 M6 E
0 d' f( r0 Z  M* V若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! r9 D, n; n6 F# j4 m, I, c% f
所以蝕刻吃他最多
& U. |+ [& C6 K主要部份特性就不會被破壞% Q6 [: K9 E$ i/ B
2 v2 `9 i3 S2 O1 w8 m" k
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" q5 A* C" @8 r0 t  N1 x3 X0 r所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# U. L! \1 l- w- P  E

: ^* D, y4 V0 a* ]' r4 t又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- @  R& O; O2 R: V4 o( k* y還有電容也要加
' m' K  m/ p, h, s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( s* a/ x9 ?, J4 q! b1 ^% n1 A& y8 \  w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# |; h4 X" ~. A/ A3 s) Avincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
" J; j6 H8 M) ~# z  A2 W3 T6 O

8 z$ R  X4 s2 h( D* q8 D- r
. q4 R, ^/ c, y7 X0 j0 P/ s    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. h0 d- J( c. i0 n6 Z) ~% M
. X, P2 H2 g) t
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& K! O3 V0 c5 s/ c4 k% a4 N
% ~" F: k0 p5 V2 N: A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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