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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, i8 t" K) T6 R- F' E
4 v3 u& ^) t) u; e4 Y' `poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; l5 G3 ~* w/ {( M9 N7 q" u
大部分是要match" U8 A9 S) T1 b$ |( n0 ?6 h
Metal poly  density  不夠. L  V6 Z0 r5 a
加ㄉ那些也較 DUMMY
/ }/ J. e5 v, v: |7 [把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & V# m! Z5 U' X' q% I

1 ~1 B  G  P/ R# W8 R/ A6 Z& X$ s: @5 C1 N
    感謝樓上的大大
- W. I& J) |" Y; s, a   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % i, S. c+ }3 Q; x/ k; j) k

$ S5 h& A& T4 b; u/ P$ u
; [: d' r- n' v% Z' K' m1 O$ \9 I    感謝您回覆的這麼的詳細
% T  v8 G. n2 U5 s您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!% r# V7 t1 _7 O9 E+ h  x

- J5 v5 N) ^2 S# X) Q. @不過簡單來說
/ t' m/ [, W* h* N8 j/ U) e8 k/ C在製程時食刻會破壞掉你的元件/ u" D+ ^+ j4 S0 U# t
而特性就被損壞
& s( c( n' x1 E
/ B- [) w- Y& V0 N若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
0 C9 u) M- r. r& j, g8 b所以蝕刻吃他最多
( \3 X2 D7 Z% p9 _* K* y主要部份特性就不會被破壞
" n1 P6 s6 @  M7 h$ u( n, {: K+ X* e1 r6 g, A6 E8 ?- L7 L
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 d8 Q' }' Q9 \9 Y  X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 y& l+ ~) `! G; }7 v
  O9 A3 p, v) {1 g5 c+ K' j又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: O1 Y3 c% W' B% b還有電容也要加
, m% t' E0 x7 l1 X( @7 `& a若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ L6 d; H1 Q: \- P% [' b' k- o
* P7 I% I" c9 g- o3 W
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) P4 X* T9 N- t4 Evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
, t6 z+ V1 G2 V% R1 V$ B

5 b& y# ^* d. p
8 y! D& D. {% P0 @$ D    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
+ }. k5 t! i1 r$ N4 |/ @  V  q+ Z: }! C/ z! y5 i
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( a, `3 W- O( E) U) f
6 @  _% ?9 ~; W& u0 ?
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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