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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, p8 A2 Y8 \, ?9 V9 B* t
  Y- q2 l( ]% r# \. j) Opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# V  \9 z! r! L& ~$ R4 Y* P; m
大部分是要match7 S  ~4 @- L7 N  W
Metal poly  density  不夠
' _( e; \" X7 }0 G加ㄉ那些也較 DUMMY # V2 y" s; n9 _/ i% D
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - S2 G# g& j/ \" x$ k

7 {8 Z1 H( n+ a7 n) O2 {  P9 S* D# L9 h' x" @# T. o% H& u- ^$ @
    感謝樓上的大大9 B4 \- I8 Z: I
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - O* J; t8 s3 Y. D0 r+ A' y

3 {1 F4 ?7 M8 V4 J
9 k8 I+ X2 k9 p) E; W. z    感謝您回覆的這麼的詳細3 [8 N/ m$ ?/ h# P! U
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: x4 W- m7 [$ i8 }: i+ r% I& E

7 W1 x  }. {  ~1 A7 G不過簡單來說
/ D* ^, c# E) Q, e2 v( R在製程時食刻會破壞掉你的元件# W- Y$ L8 `$ D. o/ a; \; T9 Y' u- t
而特性就被損壞
8 P( K" N3 @2 @1 a. a7 P
6 e, {, L5 F7 [7 k若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
8 {1 y" F- I5 K: l4 h3 \& K: E# f; I所以蝕刻吃他最多
8 x) L: e4 k+ w- H5 q主要部份特性就不會被破壞( x  X1 j/ h1 V7 N. D
) ]- l0 b! F4 K: o7 r  C
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>: X2 H3 e6 L* l" }% d( W2 J
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 P7 E' b5 g: X! w0 v9 w

9 @) d+ p" r: ~, S( P  {, g: A& A- y又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 a6 L+ S! x) f8 P
還有電容也要加
1 @# p/ t% {! A9 G( |若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 {" W4 r/ h/ r- R+ Q
2 B! C7 j" @# E( U0 \+ l
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .... @, b  E" U1 P- ^" m) J
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
6 }) }. ]# C/ w: j- R
. |) i# e3 u" _
& W' z9 M- T& _; Z! G
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 h6 p) ~' O2 u
& Z$ S, }* |0 T4 i& O
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??0 c; H  O- t2 n3 n6 j& t! A
5 H* R! m* h  K6 M$ p8 A
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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