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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
' |* I+ U. N' V/ N+ s2 u& b( ?. U% I& S* b8 q: z
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 a) e5 R, g7 w7 ]大部分是要match
8 {9 g7 X& I9 uMetal poly  density  不夠+ P2 `! E, F& M2 n
加ㄉ那些也較 DUMMY ' j( Q6 Y7 r9 Q2 @$ O6 {
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 @% w! s; P- j/ [4 W( e# L2 O/ s+ J& m+ |7 U2 }
+ n: D9 t; i' D9 Y9 E% Y! l$ K$ G* E" O
    感謝樓上的大大" ?$ j3 h3 |7 _* S* g" ~2 J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
! m# [) h/ |3 h% w  z
! O3 V; W4 K" C. ~/ w/ [) |% u. C6 j  N
7 r) w# `* Q# q5 i6 q" N) d% k    感謝您回覆的這麼的詳細; U! X. C/ ^% l) b! U" c8 D
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
9 C7 @+ `4 b  z! C9 g9 }" ?7 L+ ]7 a; _4 w$ m: G3 f' n7 L
不過簡單來說
$ ^( p' M. L! s' t& \( h* ?8 m在製程時食刻會破壞掉你的元件6 z& C8 P$ N! L. z4 c& B
而特性就被損壞
. f1 |: H4 v, F
  M7 _  C, V9 ]' R. G+ Q若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>! y! I6 U/ p8 |, i& o, u
所以蝕刻吃他最多+ t8 C: r6 L/ t6 L! g
主要部份特性就不會被破壞
# M2 f; F) `& s- h8 a& ~" f& ^% X9 D* @$ u* B
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- P5 M- k4 ?+ j/ U& }  X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ k* m4 f4 Z7 B: ^& ?3 U; C

8 X2 z! B. v( F又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
. V: Q  s( h; F4 n6 `8 p! z) ?, ^還有電容也要加2 K" `- r6 m# d" \7 ^
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!% y  a3 x! t0 G. u  M* D) c

: b0 I/ C2 @' |8 w, V% J: tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
$ v( k) M5 _9 V$ V; k2 `vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ a+ L" T0 e0 F" D% H

8 e1 l0 E% ^: t3 T
) N- N; S# Z1 E3 o) a1 k    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??6 F2 [/ ^8 p- B- h* ~+ G9 L

% Z  _4 S! |, Q如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
" |0 G  Z0 }) I0 e$ O1 {
$ R/ T; \5 T0 L1 k1 l3 A數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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