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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' P% X1 Q1 K6 V4 Z
6 i+ b. S: f! t4 v$ `
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 v1 y7 @8 H1 L& e' ?大部分是要match! z6 i3 b1 v4 X. F
Metal poly  density  不夠
9 V7 O7 d1 X: {2 i4 T/ i' Y* X加ㄉ那些也較 DUMMY
7 J; f1 g: S/ v8 _5 w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ! Z) A5 U( P# S' M

, h+ e- L. ?6 o7 E0 j0 P, a4 ^6 V1 x$ z. \6 s
    感謝樓上的大大# n( u) A% D; Z% A3 H
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  W7 r7 ]' |* X! x( f
, f3 Y  ^9 o* x2 }$ m6 `* ^; Z) x2 j& G: D8 ]& Y& `. V9 _
    感謝您回覆的這麼的詳細$ r0 C- J0 H- Y
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 P/ j- I  g: i- G) h8 w
" f3 ^/ ~6 z! P' O. R. w不過簡單來說. W0 }1 `$ m! c& I- s
在製程時食刻會破壞掉你的元件0 g& T0 }& G6 x0 d, n
而特性就被損壞+ w9 n3 j; _: ?! S) T8 F

% H8 A$ c5 T  \5 R+ A2 h  J: Z! t, q$ ~" D若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
  N: ^. _9 Y: D4 z4 i+ Y4 N所以蝕刻吃他最多: ~& h" m& Z' h# P, Q' A  V/ i
主要部份特性就不會被破壞" e4 w9 M; A$ I7 v' I1 g# m
3 S! T% c8 _7 ^( E. R1 G
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. X' F! f# o" U% n) M# {% X所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享1 M- s  G7 J3 c  @

0 B# M! p4 k3 G又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加: f5 w( c% F- ~2 J; s
還有電容也要加
8 W! J! v0 X5 o3 s1 Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 @7 t, I6 _# H, S% ]: w6 Y: I
/ D- B3 i; z# X3 k" q2 `and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 H) `+ P. M% Z% ?6 vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

9 j7 L: n3 [5 j0 H( |6 O! k) k! {  B
- `' j5 B9 n; a( W9 V' U# d) N' q) B0 k/ g0 E) h  m% v) }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??! R  Y& N+ Z' A
5 X$ ^4 T: X7 p, O. ^6 C
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' s( c% {! s( q* d8 l0 }" N
5 p; s: p3 [6 q! T8 P6 x
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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