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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias2 X( i+ z% G, s
/ U6 N, u4 v; B. Z, s% R% f- d
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
: D: D/ c* d* D. \3 M. ^大部分是要match
! G, k; P$ z' y- I' d9 v( K1 JMetal poly  density  不夠
- |# @, z9 I' l, N1 r3 F7 H加ㄉ那些也較 DUMMY # T9 e& V/ z) f( b; Q
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
7 y1 I( T3 z, X; g; J) i1 d, @  Z. z, N
4 E* K, m& x: i/ M
7 k. z' Q  \! X! f' D* b9 _    感謝樓上的大大. P9 @$ h- ^" ?2 J' O, o% V( z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 " X* N- P' q! [- T! t8 p2 q

: d: {3 c/ d' X0 o3 O, B: ~2 z+ u7 S
1 _+ m( F/ c, H- n. `$ G    感謝您回覆的這麼的詳細
: v& E! Q- f9 m您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!/ A5 J' _% j$ n

6 l. [1 V2 I0 N/ e& O7 K不過簡單來說
0 D2 V+ Y" A3 h! v0 {在製程時食刻會破壞掉你的元件
" P+ c, R6 k$ U3 v1 v而特性就被損壞: Y3 c- F9 M# U: z! y& O
' x3 I8 ], ?) {- H5 r7 Y* Z3 h
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>( d# i7 y, K& @. w) v
所以蝕刻吃他最多  Z7 m3 ^8 Q: P+ ]
主要部份特性就不會被破壞. l9 ^1 F1 `) t" i6 s  M# E
0 _+ w' n3 x+ H( a, _; R' o
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 R8 c% a& q9 p0 q6 w所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* |' W6 i8 Q  Y7 [5 u* x! @+ |+ W+ \: L" v3 Z0 J* b
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 w" u# N) K' }$ A* G0 }& k
還有電容也要加2 e5 x" Q7 K+ P% M* x
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 s# K0 w4 ?! T4 n- U5 r/ S
9 ~; j7 C, L1 L1 [- D' [1 E  J
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- Z+ }0 O+ H) _2 z$ g2 ^7 Gvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
- E- s5 k1 i( \
- M$ A. Y& Y. _: J

: L5 O3 T3 G# `! w; K8 w( c2 p    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# @& C* d/ S6 p$ W! |* d
$ K3 Y  k/ V! u如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??* ?, d3 I( `7 T8 b5 O
1 s1 t& Q5 [. V6 i
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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