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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% a( Y" L( k0 H" n# z
4 [/ S$ x) x* Y0 R  a/ Upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
1 V. }5 L/ B( J# m  ?大部分是要match
: d% o( g% E, P* Q# U* W  a0 KMetal poly  density  不夠. o  U8 {& o1 _* j8 s) A# Y1 S
加ㄉ那些也較 DUMMY ( R) b- Y7 D: R& B. I- N
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ) _7 y: `$ V2 h9 _$ @* h7 r
. N4 v, F1 t/ a# _+ T

/ _3 F! a' ~: S5 N    感謝樓上的大大
4 W3 I! w8 X. H) a   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
- X( O) G% v+ D- R( w2 m1 U) ]
9 O- R0 C! }8 R7 U6 Z: F1 O! g- U' [$ ^$ x* G* n8 N2 `/ x) ]; P
    感謝您回覆的這麼的詳細
/ B1 i. R! Q* z9 u* @" q3 t$ C您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!, G* ]4 M' p9 L, I% U* h

; A4 _. C- l5 {. ~. ^5 }不過簡單來說
9 Q3 e$ Y; y; I/ R: T. ~$ M在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 x' [( z$ i4 P. z8 x而特性就被損壞% S* ?0 T1 b' y, c6 O$ p$ e

  S. m7 _+ C' ]( w) V1 ?6 ], w. z若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; m; Z4 E/ N. H% ^
所以蝕刻吃他最多
! N5 b" d. O1 c) x主要部份特性就不會被破壞3 P7 {' Q: R$ u) [  z

9 d* S8 O' Q+ Z9 C" k9 u. o很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ b; a( w2 `3 N, N2 p% M所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
# `# [. f" l! b
6 P3 K/ Q( x* T% w! P7 U又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ c( R4 x: A) G- K# _
還有電容也要加
+ c% h( ?& f/ V0 m! O若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ N% q, j: ?" [: k  E2 R8 w( Y2 ]6 o( e* E) `0 P
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
) e6 T$ }# B- _6 I7 yvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) Z5 e- V8 W3 J" }5 ^2 y" l! W3 D$ G1 o" B- J; c! k: d4 c

) f* z+ d. U3 L) [* {# A' Q4 w+ ?4 {    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??- B, _/ O5 P8 U9 M
( G# z$ b- E" d# g$ S/ R
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: u8 O1 Z  c% S2 u6 s5 K( ]
5 N# ?1 N$ B5 z/ Z- }數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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