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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
" {/ U! O2 z5 P* I6 K7 A$ s/ V. ?/ ^/ U5 c# f' |
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 L# ]3 c/ L+ H3 [
大部分是要match4 ?5 @' A; t  f" O
Metal poly  density  不夠
. t( u: }2 v6 D4 D加ㄉ那些也較 DUMMY # Y0 {* f  K. f3 r' Z
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ o* L9 ~1 e6 t- T" K: A
- B2 I+ O  k, O* f1 B7 L* R

  x' ~( ~/ F8 q! h: ]% q    感謝樓上的大大
& z4 H# y& t% y2 ^' t   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 + Z' t: s8 J% e" S

. P0 T: Y' D5 p
6 X4 \2 F; L2 p# i8 W: Y    感謝您回覆的這麼的詳細  d  b( r  ~/ ]& u9 I( E8 O# z1 v6 U/ C/ a
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
4 z1 w2 \/ V4 c6 B! R% J3 P
6 h; u1 f# F7 V& [4 k, D% p不過簡單來說
3 |* b! g$ _* h% F) x6 b2 P/ |7 ^+ g: s在製程時食刻會破壞掉你的元件. ^! u% L4 g- P4 z% y
而特性就被損壞8 @: f) W3 m7 H, a: s/ o
2 j7 B; ?6 M; f: Y" N$ L" z, T% Y6 x( r) x
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>9 c! d! `% G3 _: M
所以蝕刻吃他最多  V) R: @/ x6 s3 T8 W' `1 a
主要部份特性就不會被破壞
- i# ]* B# ?+ U% j& v6 ?2 X
( R2 H5 \/ b, w很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>* b. R- H/ p8 v. u
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
+ {1 R8 ^% A1 F
/ U0 k: K- @& @# G' R3 m又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加$ W! N, @( e# l% B9 \1 Z6 c
還有電容也要加# X6 g5 ^3 B+ r$ g% H" j+ q* r/ J
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, m9 q% k* x6 j3 u4 T) |! a  E; ?; h

; O+ F$ m. F- v# l/ ]5 land i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...) a0 z4 U9 Q$ m) j6 }4 q
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ u8 d: T8 d  i) r2 s: _

9 z4 X. l5 h# g9 W( h! M7 @1 }* @
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 _0 m: q/ q6 Z  @: D* i! [3 N6 G9 X# [7 j# c8 O) l7 I' T6 z& y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
7 S2 l0 q# v# \  z5 T- z7 C/ u* O' R2 v2 t
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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