Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54685|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, r6 ~6 g! i: T  f
! D% a: S& V  N( F: a6 C* Ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密, c0 z/ U  [: A) {4 G
大部分是要match
9 r0 ~3 V. R+ {+ `+ S  N- T2 i* g8 \) hMetal poly  density  不夠' K* N! q: p. ?3 l1 Q2 M. E8 p
加ㄉ那些也較 DUMMY ! @& O( m+ u; _
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * w9 _& n9 ]8 G* ^
+ G) o% F* P7 h3 m

/ ]3 N% g% y9 v( N  b, F    感謝樓上的大大6 a/ {& z3 u& m/ k) S
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593   L2 i0 W% ]4 e: g4 [# _' @
2 i0 Q4 [& d" z" i
2 P7 F. O* s/ p. y  w3 T4 b& ]
    感謝您回覆的這麼的詳細
8 y! y/ h' v9 ?5 q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
( w. x( \' k( I5 E: y2 ]7 I, j
0 x6 ?5 F; e; H0 y" [0 ]. ~3 S7 J不過簡單來說  u: d/ N/ D; t; r4 `
在製程時食刻會破壞掉你的元件$ N: s" N2 l2 }3 |7 |+ z9 h0 G8 z8 L$ k
而特性就被損壞
0 w9 |1 H: p6 Q' p( n# K- i, u0 R2 g4 M$ \( ?
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 C4 c) X2 R) f所以蝕刻吃他最多
* o6 |& q# }! u主要部份特性就不會被破壞: J# C6 R0 n# @5 t  M# c
) ]* D( I. w! [1 v
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! N" x- q/ m3 s+ q2 O+ [9 |所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ ^* N5 O5 P  \; m3 L
: G5 X5 U) T* i! |% h
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
' n4 N, f9 _' S  M. e9 k還有電容也要加3 K  y9 _0 B  F" b. ?/ F( V
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' r5 B* L' S8 w& r4 E/ l( C# R
1 i7 [1 W# d9 E4 kand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 \3 }' P8 U4 ~0 J' m' Xvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ B! I( {7 O+ V! W
* q8 @5 h, `1 [* A5 D8 f
9 [0 Z% l/ i% ?8 @1 {. r
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; U* P. _  l5 `! g& S
2 y6 ]* r' M# a. g如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
7 L* n2 V! M3 S* O; `1 a
5 L; X4 V1 t. W1 ?* X數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 11:11 PM , Processed in 0.197012 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表