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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
3 {, d6 Z0 @3 G# M) I3 w
# }  N9 l6 `7 L8 t! Kpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
5 I7 x' y. K+ D大部分是要match8 |1 y! L6 h; ]. t" ?6 N" R
Metal poly  density  不夠
. z; t4 V/ K( g加ㄉ那些也較 DUMMY
5 g! A( I" o! a3 o% ]8 J% J" `把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
2 `: @5 m1 G9 c0 y$ j- S# |0 o
+ x# o; }( [! ^" U4 t8 O: g  s, Z7 t& B8 V. B* @' I% x6 L: g- A
    感謝樓上的大大  D9 b# X! r& Z9 t2 `& }* ~. z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 7 m2 r3 Z4 I9 b3 O9 L4 e7 ^
$ ~1 H. J; o9 l, {
; f- p3 i  N. x
    感謝您回覆的這麼的詳細
2 A& J) p1 K) p8 c% X您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
2 L9 Q8 O1 T( P/ C
! y: ]( k5 a  o" C2 t' ^不過簡單來說
& w4 E* E* a& H% Y在製程時食刻會破壞掉你的元件2 i- u$ e% Q$ ]8 Y/ Z
而特性就被損壞
* C2 g, D' |+ c$ _
. {% @0 T& \* c, \6 |2 Y若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>" w8 i4 T& V8 d
所以蝕刻吃他最多
- ]  b7 W2 S& ^* B$ y主要部份特性就不會被破壞
! ^& p- L+ V' ]1 v
6 }/ m0 \/ |. t, f6 F很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 Q2 Y6 B: [" p( s所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; c" A: g' p1 d: P$ L& _! O6 G9 L
: ^* x$ ?  z3 ]2 j* ]! M6 D
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 @  _3 I, }; V2 p# x$ d
還有電容也要加
0 ^3 j$ X; m4 j; J& ^若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
: ~0 U' A# {# ^& @
4 ^0 f( _  }" b6 |9 X# U/ band i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# g5 L8 n1 p9 l* `% s! Evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) W1 n- Z7 W  C' W5 H

9 ^* a( ]' O1 |7 ]" U. E( p; n, a5 `! g4 Z+ B+ L0 C
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
/ B+ v, n# y! A) Z+ e" [9 [
! {: e! ^  o' l# s如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
( B) S$ z6 L: N% F9 Z+ L' P
# E8 h  ^( H; f+ g# G! A& p5 O$ ^數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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