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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias% n' d  v8 h7 o
# q! P/ F- [/ g- ~3 K
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密1 |: D/ a' ^; m
大部分是要match+ {. s8 N4 |; E( D& X' [
Metal poly  density  不夠
0 S8 ?6 P# r: {加ㄉ那些也較 DUMMY
3 S7 W7 M0 k/ c6 G! L0 ?把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat - W, k: s  E. j. k/ C
- r1 D, u3 b3 c
, O  ^3 V# U% r1 H
    感謝樓上的大大% o! D- M% q  c. u& }% H
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 9 M6 w7 ?, y# h9 o3 o2 X4 H
4 d* t4 @* d7 Q" F8 R, t, s$ c0 N; `
8 C6 ?0 ]6 M, [% Q6 i9 z1 j
    感謝您回覆的這麼的詳細( W! i7 Q4 l7 v
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 L* D; j) P5 |. y% j  J8 e; H( L2 o

4 c, x4 ^9 ~- T5 x3 Y& T1 t不過簡單來說" o- w  P, d1 Q* Q# u
在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ @# }! u0 G9 y3 M5 q) o6 u而特性就被損壞
* [+ _) a% r4 J) Q9 s0 g8 e5 O
( i8 _( f; w+ N若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>$ N: j" N  G) k2 e6 U
所以蝕刻吃他最多
% v& O) P( }1 J2 |主要部份特性就不會被破壞
, C1 R: G1 A* x  h3 r+ `- h
3 \9 e: S( s; h% M$ D* \: [很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>( f. Z& ~) p& f7 l5 x5 m3 d
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 J  n, j" ^  h8 |9 S/ }& z

5 f9 z3 b' a! ~. C6 g又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加  J+ b6 A- F+ c9 |3 a
還有電容也要加1 C& w, u  |- H" J
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
1 I, ?  q. O# y3 f0 |/ p) V- g; R( ?+ y& c# w  n8 u
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- n4 x' w- W8 k, g" Zvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

" R6 M5 S' p; @. J8 r
4 O6 ]! |  U# }3 Z8 h- A4 a; F# Z: L! \( {
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
% F2 X6 ]9 n/ |2 \2 G: Y1 \9 S5 y: L4 s! C+ s* \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! Y9 ^* F$ O: E. F4 I  c/ P/ h, e& V) i( J; m' f
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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