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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias' y+ d$ O& F3 l9 c) J# h6 L
* }% p; v1 ]/ W% \5 l7 y4 Q
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密3 c' R# r5 h# O/ m& `' F0 `
大部分是要match
, X/ ], G2 J! `0 k. h( H/ c; h6 j2 ^Metal poly  density  不夠
! B$ j+ |" ~- t# A1 T5 b9 P3 p加ㄉ那些也較 DUMMY , I3 T2 R! c! p, k' ?5 X
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 4 e& l( {8 T: T6 n
7 F$ Z1 G9 t; L' ?2 B8 E
$ V. v) Y- c- T  F& W% Q
    感謝樓上的大大
# H/ g# j* w$ c  V. b6 e8 x, x: F   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
# v: K- G; P! m6 ^/ F
- y( Z. M  C; ?) i' U/ I
! _: f% N& {( v8 I6 u! F5 O$ Y8 I    感謝您回覆的這麼的詳細9 ~  Y) Z5 B" A( T+ R* V$ W
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 h1 L) w$ R2 ]1 I9 C$ {
/ y, K& Q. S8 \
不過簡單來說
* v' V3 l% L  [4 ^! e在製程時食刻會破壞掉你的元件
6 a8 r1 t) j' q! m% L& a: Y% o而特性就被損壞
& p# Z' I  l4 G( [4 q: |
" o$ ^6 `% D8 F2 {若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>4 {' C7 {; A! y0 _3 m7 _9 P' Z% b
所以蝕刻吃他最多; S, [/ ^) B$ p2 G& C" @
主要部份特性就不會被破壞) G$ k  M& `3 Z
) l5 m: i! S  s' j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
* w4 y3 U. u$ i/ x7 L所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. b& y1 N3 Z! S( I+ D6 c' @4 C6 c

" k& {" q2 _/ l' T6 D  k又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
- Y% |$ [" w) T- ]; A. o還有電容也要加% n- M6 X9 |: P" {
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!. c% _" b0 l* Y+ w7 [

2 O5 M% ~( O( y4 `- iand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
- H; [6 M& f6 N/ P( Svincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
/ h& T+ @) S1 q0 I4 Z4 O

9 r/ c. a) F( h# U$ C+ X4 D- U
: r. a4 I( C! `7 m    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
; V- O( c4 L2 \8 l: o$ W6 M& c3 O% o2 `1 y, p2 O
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??% @4 Z+ N% Y, V1 w) A
" i- ?, y4 h, q5 c0 f: H4 T2 b$ |
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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