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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* q# n: N6 D; }  N( T  F1 P2 p
& U% C# s4 x5 W# ?9 j& P
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
& b; s4 y0 s6 Y  i; s$ c大部分是要match
3 O( \; E. K5 d' z$ lMetal poly  density  不夠8 ~/ @5 _* {. z
加ㄉ那些也較 DUMMY
3 f* L+ |, D' E: F2 O把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 t: C& N9 b! j: L  A. l! R; m' a# A- b! }* n

: [9 Q$ U/ ]% M* b$ n) k    感謝樓上的大大* }0 M5 q0 l0 f0 c5 }% V* `
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 N  {+ S- p, E5 u
, ~9 |4 B# N- }0 ]# s9 q8 g' y
& Z: Y# q! z2 \
    感謝您回覆的這麼的詳細1 i2 m! O! x- r0 C9 G! J
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ D0 Z  g$ F( Y
* M5 b: t; Z" X" C- T, U不過簡單來說
5 p; C+ {+ j- f+ k$ E3 z在製程時食刻會破壞掉你的元件/ [4 s) E8 M; y
而特性就被損壞9 m0 m  _- J* B, P

6 F0 Q! f1 ~" ]+ t4 Q9 A. t7 }1 i. s若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 Y; p4 V  i: b" l5 R7 B) e4 }# R所以蝕刻吃他最多
9 I( k- _: {' e$ {2 p4 V0 P& {主要部份特性就不會被破壞* b+ I$ J. m0 O

% `1 C1 A6 f5 w! r很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
" c  E& ~" N+ x1 [: p& c所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
" y0 H) B( Y& a" n8 l) g& R9 u7 f: J2 D1 L- G# t
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; p! M6 }7 D8 E0 a- @( D還有電容也要加" g- m9 L3 _" d/ j$ a& s
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  N2 N$ C8 d* k0 ~) C- b

$ o/ K: X( g& {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...! \% }, t0 d5 c$ s" z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: V, W  B* A* y/ `8 Q
6 J4 l) J4 g1 r
+ z# I7 r# B& p1 b) K6 g7 `& \    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
- h& ^0 @0 X, K0 a8 K- x0 ~" Y( m% `/ J- `1 ]9 |* a( b  I- u, `/ w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??' X& j. P& N# h, o- \1 L

! R2 R6 j: l+ a0 e9 G# |! a! j" |數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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