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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& Z* ]5 R2 Z% W) J: y/ W- Z& [' z
! T" i0 ^4 U+ c' g- ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- `% Z/ Z  ?/ Q' m9 I! a3 J
大部分是要match- U. F9 y1 d6 l& Z: H  x$ s) J( s
Metal poly  density  不夠
5 G8 G1 x. c/ N. n) e加ㄉ那些也較 DUMMY ) Z( W& o& h. w0 y# m
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat   R  |- @2 T$ `* B) w  E
+ q$ V6 n# c1 ]5 o3 c' @

4 X! ?* R, n8 c0 ^: V% ]; y* u- r3 m    感謝樓上的大大1 P8 j% f7 M  h: J6 _& [9 O
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 o' S. E1 H/ w
6 t9 U1 |6 J* ]" e8 E  V$ P: D5 X6 H' h. P* P
    感謝您回覆的這麼的詳細
) H+ V0 e, ~1 L* w您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!( X6 k- P+ t: r/ _! ]9 B

  F8 o( Q2 b: v/ f. f) }不過簡單來說2 r+ i- h. _' G& J4 ^8 ~! `
在製程時食刻會破壞掉你的元件/ j# Z2 M3 O2 C% k1 N3 ]; B+ n
而特性就被損壞
% [4 A# l, H" ~6 W9 E% j
8 r2 h: K0 q, O; C) n, E2 ]6 E若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>; n3 F0 r9 r2 t5 `" O& D
所以蝕刻吃他最多
% L7 j- O1 v( m主要部份特性就不會被破壞% s! s& |' B9 l' \" ^0 d" U
4 |7 u' d8 v  I- ?2 `" [$ y5 h
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
( J- E5 y) {5 k! n( V所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 S5 e3 i% N: b" s  [! e$ a! l

. e7 F2 Q! F, C" ^5 n& e( I又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
6 `4 o) M- p, y* Q# `' M還有電容也要加
1 f. E7 n( b- I$ j+ \5 h+ J" E若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# M) I& C8 @/ U. {$ n/ c% F1 d. F) ^/ g7 a3 O5 a$ c5 L
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% o5 D; i/ d  C% `
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

4 G5 Z! p/ m- G8 _3 X" f; K" Y5 ~  z3 @0 F0 r1 X

8 d& M" k- E1 C- @" o    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# ]5 ~5 P8 F, N$ d
; l( W; y7 @) q; {如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 s+ `) T2 P5 O8 U6 e: C) j2 Q
: g  X& ?. |0 C1 g4 a
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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