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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 J' @0 P9 s  O5 O# c& C) y8 w4 t" }  W3 r
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 q/ k- o. N7 `$ f+ ?' Q2 K
大部分是要match2 P- A% f3 T: x9 p" l
Metal poly  density  不夠
* \2 R& ~  v* }( V/ ]9 O0 n加ㄉ那些也較 DUMMY
+ O6 f8 o; q" l3 h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 F: [( R9 c* }) J  R9 G7 R( d6 d5 D

6 K/ `6 q# q7 B0 t: L+ `" v
. d! K# k7 h6 q% f    感謝樓上的大大
, K& J  H& H; Z4 W2 [0 k( G4 C   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: }$ |; e* u+ P% G  G9 e
6 ^: l" {% `% u1 u5 \/ Q6 |; e! R6 f, K$ h: a7 U3 C  J
    感謝您回覆的這麼的詳細5 N* F! @* b" y4 F  S4 v8 Z
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% y- |; g5 J. h( c$ \+ n6 i6 |# {; f% L: N* V6 [! T
不過簡單來說1 K9 {& z  b( x7 C# B- g% W
在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 @" f1 Q  h" D/ s4 d6 O: C  _( W0 R而特性就被損壞" b  _6 x6 P2 a+ g0 P9 e
, c* v  I1 `' F3 c+ z! c0 X: m
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) S+ ^: f1 ?( Q! e% R' |所以蝕刻吃他最多
, G% |3 U6 e$ O: X% u+ I7 t主要部份特性就不會被破壞
) Y9 e0 S: k2 j0 I# Y3 I% a, w+ b3 m: L
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 m* C5 O- V  p所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享  L) ~0 i  C+ H0 q0 r& C5 P( F2 `" Z0 I8 Y
( p- P; }% Z6 y7 n
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
+ L8 e% G2 t8 J) c* q. s" E/ Y還有電容也要加
. x# Z6 j  S: I% L若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!4 H+ W% D/ v! v6 n+ ?/ g' _
. K! t: [- y5 Z: F3 F
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. F. y" }) q+ {% ]vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ ]* d" b4 j' v0 T0 ~! C/ W) m5 E8 x/ g) Q% U8 l+ c
9 I3 j+ A7 d1 ^, [8 c
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??9 F8 \) _/ F9 u9 |9 J

( L, g' Q% {; y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??; N$ U2 e& t( u; c% E' @% A
) O% ^, M" z( ?& N# t2 Q5 N
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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