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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias" W8 u- ^9 O/ B% L, h1 ]6 h

; |; O' w  e) z( q. Q$ Gpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 D" S( R/ M- E2 p3 G4 M4 M1 r大部分是要match4 Q9 e& w, B+ L- e
Metal poly  density  不夠
  t/ f  u( ^- Z' c加ㄉ那些也較 DUMMY
2 L6 p% h% b1 O, P) `) d把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, `' t2 O" \  ~& Z* {# G; V
; r. b7 b2 L' G3 S5 n* ]6 W5 W
, e& l: Z( K0 e    感謝樓上的大大/ ^# C2 {  }6 q# C; f/ J
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 6 q' M3 R* x- s' Z5 {' A9 m

9 A5 p3 V: R& ]* n9 Z9 F+ _" m/ |# ]$ g' A2 _- n& O$ c+ Q
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 ~0 n2 t$ D9 _/ h4 t* J# Q您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
6 V2 n3 \! q! r/ r/ L
/ V/ |1 v6 R# s8 o; ]不過簡單來說
3 q6 a4 ?1 @5 z# ]' A( `在製程時食刻會破壞掉你的元件9 K- ]7 V3 m6 _; Q
而特性就被損壞3 Z/ C8 z) X+ Q6 d& Z/ s& F; S4 n
) f) _  ]) @) z! k/ H
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 W& H: Z* \8 A5 n, F( d所以蝕刻吃他最多
) O* v) W2 e" m! ?4 D$ [- E: O主要部份特性就不會被破壞
2 i8 R( K9 u4 G! ?' u, Z% N# ?& j) e6 j% q" Z4 W
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 H" y1 M6 ?- N& g3 s所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. w5 V; p1 R- A$ i4 |  I( Q3 e! }4 S( }
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: a/ \' _/ ~. T! G- Z. v9 J還有電容也要加8 g. V6 S) e. \* r! s
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ M/ V/ f( D$ E* `+ @- o: ?9 E2 J
/ J* X2 y# L; Y$ V3 K) g" Y
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
5 |1 T; F- N7 c" j6 Cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

7 m& L& J  ?2 U) T: k7 |* J7 f5 t/ q2 h
- C9 l# e6 P% U6 ~) n/ M
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??; Q2 `+ L4 y6 u5 i

# b3 ?2 z4 O6 q, `如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??7 k$ }: _, w, z% o7 i# E( @4 }
3 ]9 u! Y9 |, i% y) g) A' M' T  L1 ^
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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