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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias. j( T. W0 G* T* k; [
$ F" N3 w4 n/ J9 Y8 n  e
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密- h6 |* a) I" e7 Z- v+ a) B& S6 ~
大部分是要match
/ ?; y' I9 C: g  x9 \Metal poly  density  不夠
) ~3 a" e: q7 H加ㄉ那些也較 DUMMY : [% x5 B; s7 k' o
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 d& q( q  {' E; X+ A" z6 @1 H& c% L0 Y8 w

+ ]- q/ p' m  g% _- N% ?+ Y" ?    感謝樓上的大大5 w4 v6 \) t. p- O) g
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 _% ^* L/ `& ]  ?

3 i4 }$ S; p9 M- K8 c3 E4 I
0 M3 q- R* `, ~* O/ F' Q    感謝您回覆的這麼的詳細! i* a$ q5 g! V# U. i/ f6 l  p
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!3 l- X2 F7 }* `

7 p" n+ t# i6 _不過簡單來說
4 m7 Q( Y; T5 e$ `' R: o0 [6 K7 }- B在製程時食刻會破壞掉你的元件& X) W1 a0 i/ n# t$ o  ]6 f9 f9 W
而特性就被損壞
& P3 w7 b; A) u+ J, Q: u  ^! q7 J2 |) x: q
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 \. o) ^( C9 J" b! U5 b* j; Z4 H所以蝕刻吃他最多' N4 d7 r& P$ G
主要部份特性就不會被破壞
( e* q" Z+ V+ E' J; E' m% E
4 _. m9 L) \# y. D很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
7 c9 @2 q; a/ f' L  d! Y. I7 X5 f所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享% d' L8 }" @1 M# m

2 i7 C& ]0 g$ L; N& D1 D1 P又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
4 l1 O( W1 O; Y' t  y6 i+ {* E還有電容也要加
  G$ U9 F: e2 v若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
  `4 W. D; h" w6 d' P: X4 c  Y
+ r, l* D$ Z* q' b) i1 a5 U6 \7 fand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...  E$ }1 l. d: y/ P) z
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 C6 R- p$ Q0 G: r& c
3 u; _4 _: K& g1 u0 E2 V# m4 H- k% O
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??3 P4 J0 s  B* c  t+ E0 |
' Q  ^& `* ~$ L* K* `: T
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ C& X$ z# V! \5 W& Z. [2 P: }7 B5 M7 g% U! C0 h; v7 B: R5 Q
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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