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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias& d. W* _- Z, d5 j$ E

9 a4 U! o  Z3 f3 l" Ppoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密. d+ g; a. E  q& q4 g9 g# p
大部分是要match
4 o) p) }" g# N3 T5 I9 OMetal poly  density  不夠4 j. D& m" k& e
加ㄉ那些也較 DUMMY
% S' q" Z9 V  U: ^, Q; c把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 9 ?- s; |8 @$ e
( y0 ~# U! |1 }. B5 R! F
8 y$ a2 S0 D9 B+ Q/ e6 u! y) B6 o
    感謝樓上的大大2 x4 I. i; A; Q: _* \' ^7 [
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
% b9 A2 n. d: t5 P1 G. H( G. }" n# p( Z2 W) w3 M& d8 \4 }4 B

  r+ D$ G* j0 V0 @    感謝您回覆的這麼的詳細
+ l/ C5 b7 r9 p; \' [2 _您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ K  R* q  s9 z+ L% q* X' _8 `$ |
  M: z; G9 @8 d. {9 M- G1 o; S
不過簡單來說
2 ~7 g7 A- x( ^% }, }5 c# r8 I在製程時食刻會破壞掉你的元件
. n+ P- D: n- k6 A# X* x$ |而特性就被損壞1 V9 O6 g0 H5 Q4 z  q& ]6 H% u

' B$ p, @: ]7 p3 o6 x1 ]+ P8 U若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>7 {4 ~, g- o; n: e; f7 ]! y, m& q6 B
所以蝕刻吃他最多
* ?  a& v  p% J主要部份特性就不會被破壞+ s9 n- e# B) I5 j" ^
; Q% Z' T  a+ U' N# ?# E# _
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>! r' k/ r& F$ ]4 z
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 y& r, ?- [  Z# h: ^% _% j) }  z2 K0 ^# }# W1 \
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 x1 J: g' a4 c3 O6 f' F
還有電容也要加7 p0 ?1 D' Z* O0 X* b
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 M$ Q( Q2 z5 |4 p7 N: q
$ ]5 J9 A" C2 K/ V" e7 q
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
( W* ~" T" {) J/ @vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* T5 J1 C$ p. q; c* Z2 [6 o
/ {+ ]4 v6 E6 i1 A% i# [& _
: ~5 D, O: f; m+ }* ]6 d) I$ A8 G    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: ~  T4 W2 @/ d2 v
- c( }$ X8 _9 J如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
% ]0 `: w" @' J( l; i
5 ~- c( U  ?( J* }. O數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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