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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias0 G- E. {; ?6 N4 r) m* v
2 w$ V& d2 U% l4 j5 Y# O& h8 ?
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
* P5 B2 `0 @/ W2 i2 v大部分是要match# W6 j/ x/ a% e, _3 V3 @* P
Metal poly  density  不夠4 w. _9 q" w, n  @: H$ M
加ㄉ那些也較 DUMMY
; T/ Y/ q& w' o; f5 d把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
+ _, [5 e( v) P9 t, I
% f$ W3 f; K0 _0 j4 W0 K" l1 J" T$ B) `; V! I, N. f! t* k
    感謝樓上的大大
1 T& z. I: u1 p6 }5 T; F- ?   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( C3 y% ~( T/ F' r% O

1 N; g) S3 J: B0 {4 T7 c
$ |8 ]% c; \( G5 ?% b( y    感謝您回覆的這麼的詳細
+ Q4 L6 Q0 `- X, d) |您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
" }6 h2 y9 \8 t1 O5 C8 W0 N2 b! B; l7 T# p/ r7 m; T8 h+ s
不過簡單來說
) P6 f' ]3 }* j. n' Q* G在製程時食刻會破壞掉你的元件
/ V" R' j5 |8 n# x8 e) W* ?5 M& y0 Y而特性就被損壞9 u# L' c" M2 }& _1 k$ L

* ?1 [" E9 G% \4 L若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>& b9 W* p3 E$ ~3 t/ \0 }
所以蝕刻吃他最多& P1 k' p, h8 j2 T3 X: X7 g
主要部份特性就不會被破壞
1 x: e/ O1 s; ^& W3 B3 T: d% |! F8 Z! Q9 _
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, S& C' E( B" {; @  [, S
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享6 A' y4 R: T7 o; `

5 C; s% u" z; P! c; N& ?* F% b# {又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; Q! V+ @% X3 t: q
還有電容也要加
, x7 I2 T; K+ C- Y若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
0 z1 @9 C9 ~+ e; I+ J* u
, \# O- ~; l" v& _, `, v4 I$ ]# t; [and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# ]& }; j! e$ I: L: V$ A! A9 Ovincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
% n* ?) M# X, E% t% Q$ W

. H9 U* ^: \2 Z( _6 G7 p4 ?' V% y/ I+ z- k/ Y2 ?* _' _5 [
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' e7 g: z; i: e& B
* w! U/ h2 u$ G+ }如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! i# l' Y: O+ D- `7 e! \8 R8 c0 d/ Q, r" M( x- m$ F" k/ @
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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