Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54986|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias5 Z1 U$ p% W- _" o2 @7 y8 ?* |' W$ Y
% T9 T4 G5 K) ?* H5 u
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
7 b# _; `" n9 \" A大部分是要match7 U/ P  Z; ?2 X. Z, I% \
Metal poly  density  不夠) ?8 v7 K, u3 \
加ㄉ那些也較 DUMMY 3 ^  i4 N* d2 }- T
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( W# ^& t. V6 |+ i% n8 {& o' u
  c1 M( u, ]7 B' {$ W7 O  {
$ J9 t/ A+ [% F, _0 m9 A    感謝樓上的大大
$ ^% m; V4 p) b  I9 [; E   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 m( l* L, ?( `( i
6 ?' m, _0 N( @% E9 r
$ x: p2 F5 [/ d0 [! {& Q
    感謝您回覆的這麼的詳細% r; \( o0 M1 H5 D7 m
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
- ]: K* H- I9 s/ m
( ]7 K  h$ b% O* m* W, M不過簡單來說- y5 H7 H, f0 n" k; a5 m+ l
在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 X! y8 X: z+ I2 [而特性就被損壞- q/ O' I, i4 a' d$ m

7 u: l& E5 r6 A: x( F$ h& i若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 @* ~  z6 j( f" B
所以蝕刻吃他最多
+ ~: E( h7 ]& D$ |" q7 c主要部份特性就不會被破壞. h5 e' P) g4 X" v1 i

  [# ^) Y2 u3 @& L& x% Z很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- f; C3 S  x. V& j2 @  ^( M- H所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ A; k$ k9 w& t+ h

, E9 z! z5 L. p又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
* U4 k" h6 [6 M% b1 S0 n+ N還有電容也要加
1 A- t8 l" G, u( l若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- H# }0 L$ q% Q/ W" d- {
/ b/ w8 Z8 @9 U3 A
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
  w3 M( V, K; |/ Y/ N0 Lvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 l2 v7 B6 a# J* @: c7 M8 v, a/ G6 ~& {( D
9 s/ W# P( \, z) o
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* f) ~( A, @# A
' Q6 @# i6 ^8 v& p+ T8 k0 Z
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??9 x! m$ d4 Q" ?, v

/ h+ A5 M: L3 _! Z( x8 o2 |數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-8 04:48 PM , Processed in 0.185010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表