Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 54590|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂31 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
+ ^9 \" D" w9 w" }3 N4 w, d# z& E$ O) G- A" n- J# h7 l/ M
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# C' c$ k2 q; k- K# o/ U
大部分是要match" f- i9 g$ @& q/ z+ A7 J
Metal poly  density  不夠
: Q6 j. t* M8 Z加ㄉ那些也較 DUMMY
0 o4 N& f+ y) ?" g; c! p把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 k  V4 Q8 ~4 p0 p; ~# H8 P1 q5 Z, a' c# H, U4 O4 ~

1 W/ I- n2 D) o" r, `$ x    感謝樓上的大大" `* E" _3 Q- k3 B
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
, i5 O1 i: l$ J5 v$ f9 R2 X# a7 x% L/ @& m% z7 P% n( G2 N" Y' c
2 F: ^2 Z+ |5 ^, g+ Y' [
    感謝您回覆的這麼的詳細! u8 H- `5 W5 h; Q3 r/ Q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!' B2 ^6 X  v: y
" d( j" j# l, G8 \. d. N$ ~2 I+ m
不過簡單來說* F8 Q9 K$ v% r. ]2 s9 R
在製程時食刻會破壞掉你的元件# W7 P" P: o1 }& u  ~: J; d: y6 ]
而特性就被損壞
+ n+ o8 E: @2 `- L
1 L; T2 L  O7 w: ^; S9 A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 i, V6 |8 w4 B  T: n# \; s
所以蝕刻吃他最多4 B0 L% v9 N* ^! o* z: h/ L
主要部份特性就不會被破壞1 x4 Z6 N# q% B( n; O! B, e! D; _# j
5 Z% z. b1 f, l9 z/ a8 M
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
& c# V2 Z1 h& M3 h; o( H所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 M# i7 [+ P2 o
+ i8 J( {" \) {) L! p7 ^又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
/ k3 V7 @7 {7 B5 F" Z還有電容也要加/ U: A. n4 P0 H! A. q, I, |, l+ M
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
# j, e8 A% {9 Q. ?! C$ i7 O- i% o+ H9 U0 T' a$ S$ P0 f8 p
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: ^4 ~! S3 _: {) I; R, gvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* G; a8 t+ f, O* y
: t9 E; y( r' b/ _' J3 K

0 ~4 Q4 _- n- |$ x    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 Y$ B3 B/ E0 n" A. P! p! }/ p* Y, C* f( d  P
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! v. T% b5 Q. q
! m; ?* H1 T3 B% ]! G2 S+ F9 s$ z數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-6 10:20 AM , Processed in 0.181010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表