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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
# F9 x8 s& Z9 r% Z* w
+ x( v$ K; h. z  U) b8 Lpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ O. I, ^$ J) i1 G: l( M: X: v" D* {大部分是要match
/ n, }7 d+ o% }+ }/ J$ wMetal poly  density  不夠% e5 V% ]" _6 J* {
加ㄉ那些也較 DUMMY
: f  Q+ b" s3 `. z" q# e8 G0 G把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
8 _6 u. M5 V+ @/ p# u0 c' H$ B+ b0 ~+ h5 I# v* r6 O

4 F/ C' {" Q  N, L2 I  P    感謝樓上的大大8 \1 D$ s" t. Q2 H5 l7 l" T3 j
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 - S5 c- Z) X& p
: Y$ H8 Z9 M  v# T
, ?* v$ V1 ]& A& z
    感謝您回覆的這麼的詳細
) e# v7 o( U/ i: ^您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!! ~2 ^$ g' W( P) v0 p  B' @

: s: i% U0 U/ M* g# n不過簡單來說
' b0 T% g, S# H$ X在製程時食刻會破壞掉你的元件! [, ^) ~1 T5 g. c* ?  s
而特性就被損壞9 \2 |0 ?- Y* |
. M% R5 D+ U' d! u' J9 l
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, v- W6 o/ d3 V& H8 y- ]' k+ L所以蝕刻吃他最多
) s. w( w8 a) X! M主要部份特性就不會被破壞/ _1 C( _3 ~, O# y5 r1 [& }/ o
, C! |% u0 Z2 Q  f5 o
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
- g8 W8 l' V* {+ }) ~; |: @7 y所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享+ {( j+ }' \) x7 j) F0 \; X; b
  `9 K# y4 l; A  i. }' w& \: ^
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
; r( b* ?" E+ P8 q/ q還有電容也要加
1 E" o& ], `1 y0 Z& b- j5 d若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!) k, C$ L) e1 }" V" j" R
% a  `; U: P$ d4 l! i- |
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 .../ z9 `; U3 N) H6 G4 E: r
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 d0 k( r4 U$ v4 s% j- \  a. h/ \$ E
4 w4 O( V& M, z6 m% T9 ~8 h6 I# n' z" o4 y" p/ g, {1 F7 ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??" L4 p! l* Z, R4 J/ Z# D
4 K6 T+ t6 }4 j3 F) b$ ?/ r, y0 k
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
5 {+ x5 I: e; f' J8 ~
# P+ {' V$ ^5 N5 [0 q0 v; W數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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