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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias! Y/ R' [( Z! _$ P, L% c
$ A1 P& i( v; X) t8 f  d+ w$ p
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密( s( u, l( K& s9 e
大部分是要match
2 v3 j5 F' a: Y0 h" d7 `: g- v8 vMetal poly  density  不夠
9 w2 e. T: Q" x/ A' K4 c加ㄉ那些也較 DUMMY - K& h) _5 j; e8 s# D; n. {* F
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
5 k5 B& }3 e! G" T
. i- w( ^/ |7 z6 b; X% `' n$ m% p; M1 p; Z+ i
    感謝樓上的大大
! z1 g3 `; o" L! w0 `7 D   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  V0 u4 @; K, L/ G' ^& y5 O- I' O4 B' N; _0 G  e* \; b1 }
( V' `. f& B9 x% N0 ^9 u0 X
    感謝您回覆的這麼的詳細+ v/ I3 u7 ?5 J3 ^$ B2 A
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
1 Z! @! |9 A7 X) H; a9 v8 c) W( q: }
不過簡單來說
' k( f! Z/ O( T5 U3 ?3 Q7 j" _在製程時食刻會破壞掉你的元件* G1 a5 k( n, z; I2 c6 Q3 U
而特性就被損壞1 Y9 r9 `1 T, x% Q, _6 Y

% B5 M$ O+ g$ b4 }若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
9 b& u* F. M# S- r* [所以蝕刻吃他最多
. F! A1 w, ]! O; {9 n* K6 Z主要部份特性就不會被破壞
2 ]  l7 U7 q2 j- ~# y/ M* r# ]( s( L& o! T  h" c) s
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>5 W  X9 c2 N# T9 ?# D. H% E- ]& j
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 C  A0 ~/ z4 i" y

, E9 x  W3 Z5 V7 Q" d4 r% t又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加; Z( ?' I/ y& x2 A5 Y( A
還有電容也要加; D0 T9 l+ B4 N
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
; |: `5 }" G. q/ @
; q: C2 M& i* z7 W( U; Gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...; J" k  M% P- \
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
) x5 \; B& V" [7 i; Z9 @4 b
0 A  ]- z. E5 W

: j) h* a# z* L$ ]    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??# C2 u$ P- T' I6 I  G1 `3 q
% B2 n$ D; U# V  ^  K
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) P/ Q6 j1 `$ M( N- F
' Q, s3 {) z2 a, M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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