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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias1 P# z9 R1 l# d, v6 P  a7 @
, `; }5 d" t4 j# j. v. l/ m; {* \
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密0 U: h( k9 V1 `* S
大部分是要match
* m, t+ U" N5 q- B. PMetal poly  density  不夠5 [* v" g0 v  c5 q$ [
加ㄉ那些也較 DUMMY ' N1 G2 x/ c0 M' m# P8 H
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
# Y! K/ r3 ^/ F6 l+ x6 O% I& d+ k" T3 H$ d

& J( a+ r" X" k& ^* j    感謝樓上的大大$ |. o8 O- t* z7 F
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 r( c. c# S: Y0 N! w
9 {1 N, p9 c$ H5 B) T
2 L1 I, T6 E, k% B' B; G6 }7 W
    感謝您回覆的這麼的詳細
' e+ F' l- C% O' W3 j您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 Q% {! x# k$ t$ L3 e1 S% e  R

, W7 }: P: f% ^* Z$ r, F6 M不過簡單來說# z5 {! h: \% {* S' V, g% g
在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 o2 H: b) g- {# h* B& s. B* z而特性就被損壞' z. N% _+ X, H9 }" g* m% n
7 p/ U- t9 t) N8 v' R& @
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 K) c" r7 r9 N( h0 j7 E1 {9 T
所以蝕刻吃他最多
" ^- B. L& {3 ]! P! b主要部份特性就不會被破壞
  K2 Y7 I2 t5 H  j9 N7 b, t% V8 w/ J- u6 C! R+ m8 O+ r
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
. r5 y7 z/ Y9 l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
0 o1 |7 Z) ~; A8 [( z- [3 w2 s7 G0 y- @6 x: \' N! d
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
, O3 B: t# w# ^' J) J/ ]1 S還有電容也要加' Y, _! u: e! }( o. l5 p8 i
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- l1 Z% ~  E& x" V; \

+ F9 ^* K/ T  \! E8 v# O; Wand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
# n9 D% g' x8 B9 ^7 @vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

* C5 ~( b0 P/ j1 M& z& }6 `6 P
2 v- l) Z1 ^8 r% u4 w3 e% p+ D. q# l: P& Y
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
, ^: _, m5 G; k- k5 C% T) N! Q) |3 {8 o! d; q5 V: B0 F4 Q. n& w
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( j4 \. V1 Q$ x& G) |5 b0 w* X* c/ N
& G- r; t1 k' h& o( v( h/ G
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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