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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
- @" @7 t9 L' t) i3 N8 H, ]% Y9 B$ X( k7 ], R; q% I
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
" b6 n* i7 o8 t大部分是要match
2 D6 v1 K  `9 m9 |Metal poly  density  不夠0 n8 [! b8 N, t5 O7 m- @. M
加ㄉ那些也較 DUMMY ) k6 t) o6 v$ p* N" M* v' T
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
' d9 u2 |7 v8 `) U4 t; ~+ f7 K( M$ B* H- M1 n: P; |$ p9 K
- e/ E- Q! w" v4 N& R0 A6 @. X
    感謝樓上的大大6 O& X- P5 f3 y) S0 b4 x; N
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 3 X3 b$ t2 D9 C# Y

, u% N: y9 B3 v; w' u- S5 u# B$ c
    感謝您回覆的這麼的詳細( A" m. d( \7 o
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!7 P. r! c% K6 B5 C; |. }

! O  ?) p+ h$ u3 q* B不過簡單來說% \$ A1 }* ]# x: V# K1 W# s) a$ K
在製程時食刻會破壞掉你的元件8 C7 ~' [# p+ z! Q! z( M" w
而特性就被損壞0 ?: G, L+ r' D- C8 a+ Q

8 a; B+ Y6 |. x0 X若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
+ P) Z8 x  B( x* w5 ~所以蝕刻吃他最多7 D" A. }, z/ m2 ]1 a4 ?
主要部份特性就不會被破壞
) ^  u" C8 k* c. h: V& F& `" t& Y$ l  x; P; L, I9 O& o, ^: a
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! y2 P& Z. Q  k# z# _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
, y; Q: G& W/ ?  A
5 `1 Y0 s: E9 W% S' K又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加) ?6 r. ~* X; H" L' c
還有電容也要加
7 [  \# k1 S7 y( M# F若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 a4 p$ D9 I& A- t$ F  W1 }" r+ q# n: @1 A: r
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
% B5 v$ b' }( Q, A  Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

5 Z3 f1 F6 _0 m' P, o& ~8 c1 b) `6 W! r, e* J& }

' G) j% F5 Z0 {3 i: B4 w  b3 b4 o    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??( @( x0 A$ ]& {
0 @2 c. H0 Q' ^* P
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 }+ r8 b% a4 N& u5 _8 T
" @' N+ E4 L' N/ |) Q. \數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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