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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, n( I% \8 H6 v
6 G& F) i  n0 w+ K1 p+ a2 s1 W: T6 i
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! y, Q, ?8 I0 [大部分是要match/ V  N9 @! q+ n5 f8 @! q
Metal poly  density  不夠
# a# p" Y7 a3 g0 b. J) ]" g加ㄉ那些也較 DUMMY
) i  M5 }6 \) A+ k' Z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat * i. }; o7 ~8 b1 \4 g6 U
2 Q# p1 \. M, z6 T; X
- c1 a- M* d# X: m
    感謝樓上的大大& T8 m1 X) u4 S! K" v; R$ f
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
. c# j8 N; ~* w* X6 i0 K$ z: K& u
# q+ _1 `2 P8 F, D* r
5 v7 j$ V1 G8 i$ a0 Z! w    感謝您回覆的這麼的詳細4 ^4 l, m$ @. v# B
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 z1 ?! y4 O5 }" ^- ]
1 W! p. X* D+ [) b: g不過簡單來說% c! M, ^! |( t" T+ f7 R) |
在製程時食刻會破壞掉你的元件$ Q8 A2 V! v8 @/ ?) y
而特性就被損壞
! Z3 m  c9 |0 {% r. T2 X2 n
5 |" F: z- P( v4 P! h+ H' l若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 G. o; e7 B; v0 \: a6 H% p4 X5 }5 D
所以蝕刻吃他最多
, w) [. h, n/ f: F4 a主要部份特性就不會被破壞
) p5 \+ r6 O* L2 m( s
, B' G3 e: q& e) i很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 J& s/ s1 ?; I  r
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
6 ~- `- [7 o+ Q' Z0 Z  c6 l4 t( E
8 Z7 P' N* t1 I又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加! V+ w; p+ E6 y( Z% E4 z& ?
還有電容也要加0 f* \  V, o2 K$ k7 N
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!* ^, x0 T) c- u) z

# d1 m0 U" z2 K" D" ^0 s0 tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 r' c( M1 S! }8 }vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: t1 N, H) ^6 m2 i/ N4 L: p) [- O# y4 v6 l% \$ ~

; n/ E+ B3 H9 S8 i! b5 h    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
: b& ~/ t9 B2 v7 ?
) L4 w4 U% E- ^! {如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) d5 l  G) ]4 w: w! q

- Q9 }* I! h" m6 X5 G3 G數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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