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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias$ w) u) z6 v& q5 S
4 T' ?  L( `' ?5 c* k  H
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, s! N3 m+ k) ^2 s, M. p' I大部分是要match
7 i- U* Y0 c: A( sMetal poly  density  不夠
1 |- d& N& ~: G% L7 B加ㄉ那些也較 DUMMY
% M5 |, h) N( R* L: [8 e把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 1 Z# M: g& i" T% q7 c# F- e

3 o5 ?2 Z7 u! e; k7 v! M/ K/ I1 o9 X) U1 T
    感謝樓上的大大
6 u9 j2 u0 R- `; k& e0 H$ ~   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
( J7 f* R* ^* ?
- D; I# u6 Q& K9 t* }" Q: b6 N: n6 V0 v. C: z% t1 E5 s9 Z
    感謝您回覆的這麼的詳細! _- W* w" i0 d
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
8 P) \  v, `6 H0 d. I( ^0 k$ }. d
不過簡單來說2 w7 p+ y: o% ]& I/ m
在製程時食刻會破壞掉你的元件
1 q7 e; a0 S1 R0 X0 m) C而特性就被損壞2 t5 w+ o% r* m  E2 H% \3 [
) \& _2 h0 s/ K( s5 M8 N' e
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>8 ^! C9 t* p# {
所以蝕刻吃他最多
' y2 X% E/ U) f3 |2 i+ N; T0 M主要部份特性就不會被破壞
; Q5 [( i% I1 P$ z0 Q! N4 D, x) M9 M, ?- D
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
! R- I) {: c) q' `3 r8 l所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
- P2 ~- r! V5 z
, I9 n. o; m5 M8 s又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
2 W, E; L: Q1 |. e3 U2 x+ t還有電容也要加
" U; D& Y. m% ?) [. r: v若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  `/ ?9 {% ^6 p3 e6 B
; a' r! a0 l0 ]9 ~% w
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 |. `. O) m5 h( i, [
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
  Z2 E9 i( T8 o" q$ X
! u8 m4 q* F/ h9 S. W2 k* t
; O4 S0 f9 N: h- a: U' v2 d
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??. Q6 ~. j# f. @: R
% [; }) ?! ?' W! i# B/ F( _
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
* z7 s+ O0 Y9 {' Y6 T9 L$ v
2 X9 ^! |% o% @- {' a數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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