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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 v' t& z4 `8 I0 U
( L# b  I' c4 c+ p; v
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 L" |4 I% H  [. G4 }/ @: P# V3 v大部分是要match& B! x. S4 X5 }' w
Metal poly  density  不夠
7 d! i- S9 G. e7 v加ㄉ那些也較 DUMMY
  V- I/ j" |2 T2 S把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 7 m' u( u7 N/ X" B

5 C4 W' s3 b/ H1 A! T2 P: D8 C# {- w7 r0 _
    感謝樓上的大大
1 a" Y) C0 p3 C  ?- z! _! a4 Z   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) [, @* o& {( M$ d8 c2 f) P0 |1 P; ~
& R/ |" e/ d3 S4 y$ J6 j0 ^, m9 w2 i9 X$ ~2 `% U' R
    感謝您回覆的這麼的詳細
- U3 l- D3 k  T8 {3 |3 l您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
7 K4 b' [* p' R
# G0 b* m$ W* y6 ]+ x1 k7 g不過簡單來說
2 w/ s$ Z' O* k3 g在製程時食刻會破壞掉你的元件" x! z  o0 M8 e+ i9 @4 F
而特性就被損壞3 ~# o# g' M4 C! u

+ `+ ]6 Z. x6 ?% B* m. A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
, [1 Q! U% S4 e( u% e: C所以蝕刻吃他最多
; n* i$ c7 X3 A; ^主要部份特性就不會被破壞
+ C2 j" }6 m# \; ~. t
' q" t; x, r2 M$ }* D3 H! R% f很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
) ~2 p0 |$ v# K5 z* q) q- _" @, }+ _所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享; \3 Q3 o# t5 D3 z" _! K. x1 E
  ]0 c1 ?2 c0 C9 }. F5 f8 L4 e
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加1 o. e, V2 D* W
還有電容也要加
6 t) X& ~5 P- A若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!# a' l2 }+ ?) B" R- s/ D& X" Z

5 _# i3 z% A! ]4 J" gand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! g6 F! Y* h" P/ b" \vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
$ _/ w- H% f  y& ~, J
* N) V$ [* _! V* U5 J% _4 \* m
* Y3 o! P2 f8 F! {7 I
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
3 N0 D' {$ {$ y* P9 ]
1 M& ]8 J1 U7 a7 m% w如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
! C, q9 E7 B" s; O" L% ?
( z) b. d( N2 K  g( r數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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