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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
% C5 P9 I/ O& a4 v- P2 e5 {/ M% S& r1 W% R7 h. z3 X
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
6 S# W' w& q5 T" z7 t. `大部分是要match2 K5 q- K' d* H7 x
Metal poly  density  不夠
) Z- S2 ^, f, n& a  Q3 X, Z加ㄉ那些也較 DUMMY
0 T0 V6 k2 s4 O; C, _" r/ g6 h把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
; o* s+ f) Z. |# v1 Q4 H4 B8 i. Y: m5 }) n9 w  @. g

. ?( d9 M7 f* J0 {% {' E8 M    感謝樓上的大大' T/ X! e+ y: d$ A6 ~1 X4 ]
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' r5 p. E% \/ _% f7 V+ f' Y+ E! v9 l# u7 w& x

& E& a/ \5 j& y- w" K2 ^1 N    感謝您回覆的這麼的詳細# N: H, {, [- q3 o  D, Z4 p
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!: z% z, \! d- M
  Q, j& J# L6 H2 J3 M. Y% \
不過簡單來說
: Y5 q* U  H' E在製程時食刻會破壞掉你的元件7 E  d7 I5 J; s
而特性就被損壞
1 C$ ]! t% H1 T9 K3 C
$ {' V; j0 a4 Y# U2 `4 G. C" D/ `若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ x. }8 |) m9 s* A  S0 r所以蝕刻吃他最多
% F+ _7 \4 n/ z" q! w( u主要部份特性就不會被破壞4 w* W# ]' b# p8 G

* l0 v% N' k8 q很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到># e* K: o9 o. d! f
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享# X: C( B. x3 d7 k+ P
' ?/ M7 V" d3 ^' ~5 G6 G3 J; a6 d
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加3 p* ]; ?, ^" q/ K
還有電容也要加
3 c+ ^7 m6 r0 }9 a' q: J% E若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!, R1 I! |% a0 ]4 x# H* r8 V
" q& D4 _# s- F$ c+ v, s
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...% G, @) I$ ~2 Y
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

1 j  z) t, k! N# s6 {! A  f3 p- o8 X: ^- Y* N% l
% Q! L1 Y7 n* w* r  h7 j& A, e, c0 f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
  z$ L* h# m+ c- G3 V9 L
# W) J: Q2 g/ h$ |, Y如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
) \6 h! H/ O- g  t4 W9 |4 q
& U3 W& s1 S2 s, O, F8 Q數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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