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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
7 i- R; p2 o( I" [7 B! `7 Y# X% ~) v9 L4 T+ \( f2 E( V) [$ Z! t
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
; Y" S1 J( q3 r: ^- M大部分是要match
& P3 \  y- p4 I2 @" K& EMetal poly  density  不夠- b+ X9 `: U1 ]% L
加ㄉ那些也較 DUMMY 6 W" I# u0 I) r9 w
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat $ `3 |+ w, c, j

) k; H# |% y; ?5 u& O( _" X$ r7 u- _8 @4 {
    感謝樓上的大大, e& Q/ y# p" k  ?7 T3 a$ w' p) C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
/ [/ j& l+ C/ Y6 L0 h6 \+ K0 V2 u
0 L5 f) c7 y* T# E+ F: P# r2 u8 s$ g5 i% f, ^% T
    感謝您回覆的這麼的詳細  U7 Y+ ^4 V: \; l; x4 P
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!  I* G2 `5 f: z* s4 l' H

, Z& N4 i: l: g6 S2 u+ l2 i/ X8 a不過簡單來說$ g2 R/ A, G% q2 A" V; H/ G' U
在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 v3 F: ^  i( r: q而特性就被損壞& \: o; ?9 B; J- R
! p1 o- y9 Z4 N+ O, V; C- ?) r* {
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' H0 c7 p0 {& m8 b7 a所以蝕刻吃他最多
* o  v; ]6 o6 u1 p# K0 H7 R主要部份特性就不會被破壞8 O3 }! `) f/ O  b- z
" t' b% B5 k- A( Z* C2 S0 a; V5 Z3 s
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>. X7 n5 l6 ~6 J. S
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享( ?1 p9 l: y7 S) Z% t

7 M; L# C: `0 D/ S' D* r6 v又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
8 }# l5 B1 ?% a. B1 k  i還有電容也要加
; A, M3 X% f1 w7 i若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 T2 J& F9 i$ Z; Y3 j
0 P0 W" ^: [5 r% B8 Nand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
4 G2 C4 A1 r7 `  ivincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# {5 i- E+ z) i/ E' S: d
( F/ B, u! [  H* q. d( I1 e' ]: g  G4 Z9 `. ?& ]# S
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 L8 Q) z2 N  Y3 C6 T) u  T( Y
" T' R) Z0 V. ?& E. `! V如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 g4 L0 b( A. s/ }6 g
$ h& t7 N& n8 ]0 P! F! M
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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