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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 [3 ~! x" m7 l' J0 r

* t* Q  M9 [. a9 P9 ~poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密8 b* N) _2 T8 @2 X( E
大部分是要match
- n: [: I' i( Z$ z" X# D! xMetal poly  density  不夠! m0 i: F) u( D0 u0 j1 j
加ㄉ那些也較 DUMMY
! S& [* @0 n; X: _+ e2 F% y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, n4 W: F' j7 r, O2 x9 F5 K/ W. ]0 u/ _8 ~/ Y' Q

! I) P* J9 U+ c0 A    感謝樓上的大大4 E" K- ], M: H! s( u) x5 R
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
) `0 W* n  h/ Y( q, I: M, v& F9 m8 U# ?% Q1 j" {

. m" d2 V) @- x; F9 I) _4 [! W    感謝您回覆的這麼的詳細( ?: }1 k) }8 c; Z9 q
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!$ C9 H2 S) c" V# G2 _4 t
' b% S8 D' M& f. l4 K) ^
不過簡單來說/ l, F1 h( w; Q4 D; F3 e1 G/ g
在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 O9 v: ]8 [4 l- |3 {而特性就被損壞
7 P  b" h) C5 f. \4 L4 E4 p2 k6 a- j. B9 E& O6 Q
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>* \* m; Y) t3 s6 e$ s; P' Z1 h
所以蝕刻吃他最多7 x, z/ b, b# O5 ]1 e( ?0 c
主要部份特性就不會被破壞
3 o3 _# |& r( D5 p4 i* T- ^
! d+ \3 ^$ r7 V* G很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
4 t( U- t9 k/ p1 H. j所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享2 d3 l  c& E2 F) t" @9 u

9 D% V' ], z- L$ ~6 J& H, y: J& i$ ?又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加& w/ n3 ]8 ?$ O% I
還有電容也要加
" D7 D/ t: n4 G7 b5 t若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
- m7 `: P+ r0 S8 F
* o: h$ K6 N2 i9 I- v5 c( Tand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...1 Y4 t- W" n' i" Y" E5 a
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
* E' |5 G2 }0 i8 b$ F! e# t
/ Y! `& q/ @. Q0 E; T
$ n- b3 @5 T( W& J, s; f
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
* W- k0 K) s/ h  [7 }7 p8 Z* w7 R* U9 a" _; M) r7 H
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
: c+ z0 r2 G, e5 ?# @  A: i0 e0 _# T8 O6 t+ F
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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