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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias3 a3 e: F3 K- N0 B, ~; e, u
9 |% A. F# Q5 f# S) C  K
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
  o/ T3 @. c* \6 Q1 W5 x大部分是要match
2 v5 A, l$ r6 H, I* BMetal poly  density  不夠" U1 [7 G8 [# i* B7 C0 Z3 T
加ㄉ那些也較 DUMMY
0 o# m% Y, H+ Y+ A3 K$ w把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
! f, ~( K: ~1 x8 Y
) S5 K! Y  p1 J) O
+ U. k# V: @, k3 a7 s3 t    感謝樓上的大大( f: m1 S& B7 W) z
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
; G1 x2 g( d% l: ~0 Y$ n- [# n, ]+ Z
1 K% G  t! I1 |. C- }% e6 s
    感謝您回覆的這麼的詳細
) @* A4 Q, |1 i2 t您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!" `$ T. ^+ Q/ f: `+ e" W8 I

! \- Y- C% O9 Y. r8 C$ M0 \. J不過簡單來說( Q3 ~7 H& x5 h" F4 O$ }
在製程時食刻會破壞掉你的元件
2 A, a* A* P' G而特性就被損壞8 o+ {$ c1 d  D) e. ?

. d+ g  j* E% E5 W  n& _若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>6 L& }+ H5 C0 m6 e: W
所以蝕刻吃他最多
4 i7 U0 C- M+ S5 }. b6 C: `5 N3 O主要部份特性就不會被破壞
% I& A* g9 o  Y* s& _3 q
5 ]+ ~0 k6 }. {+ t: c. o+ G很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>- o2 \& j; L4 ^
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 b5 c/ k8 d1 N' {1 u. W& _) }. `" q: M0 p! `$ ~0 b, K% M
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
# ^0 G" O2 i( u6 s( J, f9 P還有電容也要加1 q6 J4 I" n& v) U: }5 b- ]- ]
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
( X: E& P& O% p& f" j. |  g" }
7 e' c& _" Y, w0 m" A3 {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 t0 [$ ^* v+ \' ~* ^% u1 B% Cvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

: U7 D$ G$ [4 s! I, K
* p8 r& H& R# B3 d
4 K. K4 g: }1 h$ B4 f; v5 B8 M    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 n! V" m2 _3 D5 V( ?. i1 L% G3 Z8 N' v0 e" W
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
, ?0 S7 i) |6 K7 A; q4 b; P. u. m/ ]- x+ K6 G$ ]* v( X$ F
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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