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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
) |  H) U/ u6 A" P6 P3 A4 U* o0 j. @& j4 n3 _
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
8 A9 E" o+ P1 y6 N3 R# P' t大部分是要match, j$ g3 o4 Z! G
Metal poly  density  不夠% X# [1 G" H, u% H- L, w- k/ q
加ㄉ那些也較 DUMMY
4 s: f! `& k, D' O: k! R6 I把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat : k2 T2 I6 |) e4 G+ H. H, y, {$ C
2 y% n3 ~$ y+ H) q& r6 Z! l
1 b$ g& I4 n  L* F0 ?
    感謝樓上的大大% g& v. X  Q( ~) V  T; ?4 @
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
4 m/ z. _5 n+ F. `( @8 c  H$ e) W( M$ R5 ~
$ q& _: Y! Q7 |# F1 b) d
    感謝您回覆的這麼的詳細
; ]$ ~- ~& V8 B  E! U您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!* d( ^0 ?, ], a; a5 b- v5 C3 }2 K) j

; S1 b4 |( L6 @3 t不過簡單來說8 K8 w2 P, v2 E
在製程時食刻會破壞掉你的元件  C! T9 v& b7 z1 Z: {$ Q
而特性就被損壞/ m9 g$ E; q! ]( x) r  T0 V
0 f$ @( Y5 X( ]+ z/ C1 O8 Y* n
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
- X0 e; O& a* [3 k& e7 z  w所以蝕刻吃他最多" Y6 P  @# e1 y& q6 A/ M+ N
主要部份特性就不會被破壞+ a& w& `! |" y- Y9 A1 h
' h. @5 W, F2 g( n: k% M
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>4 ~/ k# E7 G( F
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. q4 [5 L, d; v
# U* f2 b. U( x+ M6 w
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" y* O3 {6 l! H9 B# \* Z
還有電容也要加
( J" C# _, h: y4 m5 Y: E若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!8 B+ R5 I2 M/ v' o( `1 K
) ~1 J2 h* c" l
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
6 ^) h, p1 l% P. J7 I, T5 N+ Kvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

& F$ [5 p9 A8 |# c" |$ L/ Q: O$ n3 H, k+ s$ n8 v% Z3 ]* `# J5 Q
4 n+ I3 L7 a3 j+ m9 U1 Z& ~
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??1 S6 v2 Z+ D$ u6 _4 e1 ]+ o

% ^/ M" y: Y+ P9 r8 T$ O: F如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
& C! o; z( f2 a, y1 q7 C
: G; U0 o$ s7 _$ d( f數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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