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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias, F1 j1 o" f9 a

- R$ s5 ~. @, V1 k% G( f& ypoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密; b( I9 F4 n- H! f' Y( O
大部分是要match7 S  y% f( [' Q' w: E4 J# a
Metal poly  density  不夠5 G0 P8 {/ G1 e0 f
加ㄉ那些也較 DUMMY
) H- i& f+ r* F- k把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
( E' ~2 ^* ^8 i
0 ]. D. W2 I. u7 \. U( l: p: g. F/ w
: M  u+ ~! \7 k5 ]    感謝樓上的大大3 X2 z9 @0 O" @5 H: A9 c
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 % E! Q1 o# C# ?
+ g+ b& W" w" B) z9 H+ n+ P

% O. S/ _  [0 E    感謝您回覆的這麼的詳細
# i4 m. x" F+ A/ N+ X" g$ d您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ o6 ]( p7 p$ H: O* D0 q: K  T$ ?6 E+ a# I3 N9 l0 l  G& X6 I
不過簡單來說$ a4 F) g7 D/ c4 u
在製程時食刻會破壞掉你的元件4 @. I- O" C6 B3 D# |7 V
而特性就被損壞5 V4 }, g0 A% j: `' @
: j6 f6 z  K4 B" z6 x0 U
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ N2 [% u, T6 P6 e/ i8 S所以蝕刻吃他最多  p6 f6 @8 {+ K8 |: J8 S( H4 s
主要部份特性就不會被破壞/ Q0 R  P& k% N
6 t$ Z% Y* h! P/ f
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>, H. {1 z! u6 d. f' b0 G
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享, g  o6 ]. Y# R. K. U

. F# ~3 O1 w" g( e9 X又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加- S9 l2 Y, {+ [0 o" F) ]
還有電容也要加
3 O/ o" D3 X- \若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
$ i; O2 o( _8 R; `& f$ Y" F6 {* |* z: C2 U6 `$ C( S+ t
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
. t; r, k$ O$ I5 s% z1 f6 pvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

) w5 ^3 ^  K! }) |* L( n/ E( R  m) ~% P  {1 X3 O' N

3 B# X- X1 c9 w' ]# o  M- X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' W' R4 _4 m2 d& E7 y; o1 J% E% R9 D
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??6 j" p2 t* n! T  C& m; I
4 `4 E2 L" G; }% G% D
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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