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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
1 C8 O6 O8 e6 [0 U5 K9 |- e% l% U6 ^# n9 W8 ]
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
$ Q* j/ g. i+ X) A# ]) ^$ A( n, |大部分是要match1 I; P7 X- M0 E7 V. Z1 K) V
Metal poly  density  不夠0 |$ _/ B: m% o2 t, W( \
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ n6 c9 d. j0 ^- n3 W' Q4 N4 F- H把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 L+ F5 H4 ]  ], I5 R  S6 D( d$ W; g

2 r- _* y# M- [7 ?    感謝樓上的大大
8 P4 i  d3 C6 j- Q' P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
  K, U0 E# f3 S6 a* |4 g
8 U; z: @  k2 p: N& k3 w6 N: j& \% ?6 v; |9 |, C
    感謝您回覆的這麼的詳細
" l7 l6 {! H. e1 s' \9 u您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!8 ?9 ~  b! n3 X% _7 ?- T
; M3 p% n* W# K' j
不過簡單來說
, s& S; s5 v+ @! E- m在製程時食刻會破壞掉你的元件
( u+ A5 S. S0 u3 A6 W! H  w( P而特性就被損壞+ ~: p4 @! b9 q: L7 o. [# X- R6 f
% H! }  g3 d  l2 b4 U% F
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
  F3 P# \6 \: s/ p4 `所以蝕刻吃他最多
. s& v% p1 k) @" a, ~1 V5 s( ]主要部份特性就不會被破壞9 C; R! p: H: u& P: W+ _' A

$ z0 e$ A5 X4 V' ]很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
1 z& G) B7 Y4 w/ M8 X8 ^所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享/ Q% {% s" t7 |& R
8 D" Q' A/ C' p1 B6 f) P# ]
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
7 W* }; \% z- Q' w& [還有電容也要加- u/ j* h( }) _2 r2 k6 @1 }2 J
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
8 b$ P; w7 X, \& J  G' n# o9 K( v: e; m  u) s5 G
and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! [& z; y8 z1 D- b3 s5 y( a6 Rvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ V# c$ Q/ e! h2 t5 v2 F* x! F) I. }. R  c- J7 j1 s- `4 W
2 [+ [# y9 A! D; \0 Q  a1 W4 _$ J+ K
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??* j) `6 {! J% |1 G4 M, T
2 V: y& ?  e; m+ x5 i. y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ ^. A7 s7 D9 D# ~: v) j
9 ?1 |4 R4 p) r& S
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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