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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
$ r0 u3 K6 D4 k1 U
2 ~7 S; r( G9 \/ b/ @) |4 S& opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! h3 y! k. W6 s6 y7 X# [$ C; k大部分是要match
7 m0 J, `8 j$ Q2 p- d- P+ tMetal poly  density  不夠
! `+ s6 U8 ~. P1 P加ㄉ那些也較 DUMMY - V! A8 u% L) L! h( Z  R
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
0 j/ ?% o7 d. o6 C
+ b4 i) \2 m7 e* R7 X0 M  _/ P2 j8 R7 Z  R
    感謝樓上的大大7 N/ O. H$ _% S% K+ q7 e% |
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 ?& h2 j0 z; B- B9 ^
1 U2 E  o# A/ ^( p$ i; {4 q/ p+ |8 O0 ^! V7 n; @
    感謝您回覆的這麼的詳細
4 _3 c& f1 t4 G6 E( g; G( c' {1 p/ S您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!6 F* k) J! W- i8 f( S- Y+ S, n6 m- I

' c" y0 i. I- z不過簡單來說( ^% Y4 o5 w, }% I
在製程時食刻會破壞掉你的元件
; \# `9 z& H8 V% T1 _4 T7 f' N而特性就被損壞
* D: B8 k' }- N! a1 y+ G  {' c, u- F# Y; o$ ]0 a4 _5 ]9 F
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
( N9 Y6 F  Q  i1 N: c( c所以蝕刻吃他最多
5 {" O* o8 ]" p4 `( X4 v; b- o. G主要部份特性就不會被破壞4 l0 U$ `( Y# ]0 O
$ k+ g. d3 J% x( i2 I. U7 ?2 q
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 ]" l0 w" \- V3 w$ Q; ]- \/ W- P( D5 ^
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
9 E2 v  s7 V2 ~" D/ |6 c4 k0 \2 _+ I7 O* P  _
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
5 }9 D) r; U( v& N, Y5 B' t$ l還有電容也要加1 v0 c, s3 Z" E- c$ w$ C- o
若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!- u* d# H2 }, C5 F& b% t

$ f5 o+ Q0 e. W- S* oand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...7 [3 ?3 c5 m( q# }" A- C1 ]
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
( P" l4 G8 H& T$ z6 R. U! x& E

, ], \* G9 N) v7 F% N3 }. u) V- E- r6 ^
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
1 a4 ~' N8 V& T* v: Z; Y1 `# r
! D) _6 D8 G( P( K8 K) d0 ~5 ~# @如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
+ q: m" H% Z2 z: a0 K; L- b. y) h5 I8 n0 {! g: F5 B
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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