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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=
& F& e% {0 A9 U* k" R. B' V/ c) G然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了 0 I4 Z% n) L4 u9 ~$ b
所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫
- O& ]* ~  d: c, J6 l話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
$ L! n& w; w% j! u5 e0 |: j9 f: r0 A# a: \9 U5 B
我附上我最後的布局圖 請各位多指教
. C% E; T$ a' e5 A; V. Y

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...
6 w1 U7 [3 x/ Y在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容
2 v5 ?, m8 I. B+ B否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)" k% n" x1 S  H7 m/ [; ]
不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)$ B. x- f9 t+ s% Q+ w) a! e9 e
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積
9 m  ?; _/ A" B' F& Z6 ^不過我沒看到電路# G) z# L+ F: s6 w# G- d% G* M
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a); S' m% i" _, d
8 g1 t( B- g0 U3 M" l8 O/ j
若你用平行板的電容外圍要加保護環!!
9 r% s* y. \5 H9 H2 Z" \* {/ s0 y+ j+ C) w" A5 E( L
我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層4 ?# S8 c6 M. n* o0 I6 E; N
金屬層四邊要去角避免電荷積聚: k$ l4 A+ x( o" Q) K$ L% r" Y5 M
然後想像一下電容的樣子
& H3 i; e* r: ~4 d* h一定會有接點接出去
9 O; q9 M/ T; N所以或用via 或contact接出去$ C+ E- x/ E! u4 O" m! B
但最大問題一定是w/l 要去算一下
  c* p5 j9 U. S$ n: ]1 v2 p9 u+ c
5 h0 x4 m" a& F你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值
. @& {: N5 z# q9 _+ k$ Y通常會有一些些些誤差!(很難完全準)
5 g9 u$ I9 w( U+ J3 s' ?$ y4 w1 _% ]3 W9 q
打的好累= =zzz
9 o7 f* Y1 d! A% T) k6 o3 A多去網路上看看吧~( m& |# h7 N* Z6 p
製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他* q* @, I+ W$ r8 O+ e4 B" x% a# h# Y0 P
2 I. e$ i( m& h' ]" @! ]; Q
爬一下文 應該有相關資料
7 V5 f& E4 x4 W/ f
; ~5 f9 T4 K" D面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM9 k; s  h; q" _0 q. D) U
所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣# [9 u! m- @% s" e) L# u4 ^
可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西4 W9 W: F0 ]: F2 b3 w
這是RULE給的電容值算法
- P7 h) Y; J' D# NCa = 1e-3         // F/M^2# r% _7 R  _$ o5 r
Cf = 7.5e-11      // F/M" b/ [, Y1 B! n  r( ~+ q
C = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C) " [: w- W$ ]+ A) n9 l

' n; Q1 M9 J7 t1 L  v8 f論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!9 @* {5 R9 j" X; q; u+ M
! O, n$ U7 u2 ^% T( C. E8 q, {* `
我大概有看過題目但我不是參賽者!( c( p$ k6 H+ g/ O& ?
8 [9 H. d$ y# r1 W7 a- i3 J, l
電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)( l7 P2 l) ^% w- [
0 S1 o  g& G2 f% ~! g: h" P" {
數位積體電路可以用mos來等效一顆電容5 |& |1 g* j6 s( p0 B5 @

+ C! x$ t$ C8 h3 `( c$ ^4 |7 n# h也就是將s和d極短路而g極連接出去2 {4 h- d* ?1 r+ M# r$ k4 L6 W  k
; ]  T; p" Q* B* k( y$ Z3 O
這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容( d3 r, C) _7 o3 l! s/ c. Z/ S

! [) c# M/ ?% s' a! L! I* y( o0 hw/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值
4 G; J& G( ?: R$ ]: W4 H
. o& _. m$ w* ~- S不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!0 s8 `/ u2 ?' Q4 q: D1 S- Q

$ k5 z+ f7 G" {' D& }' X2 @" g當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組
- E2 R" Z: `( z+ w+ }& @看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY
8 M( s2 V+ x1 D  V/ W畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容
8 X' e) o5 |% }7 @5 ]6 }. G然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字
2 w+ x# |- Y: K3 U5 c2 \c. MIM Capacitor :0 a; `# v6 q+ n9 `7 h7 c! ?
  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)
' Q$ t1 k2 u* J( S就沒了
; f+ r1 F+ [9 N1 m$ p2 l8 {, W所以好像沒辦法把MOS當電容/ e% U4 Y: H& ]5 q7 u; ~
順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
, I7 U. S+ M/ Z, l' a# R' C) o

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯
# d, v* k9 Q1 ~( r' R$ ?4 O8 b( i& ^. I/ p
清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
7 F6 ]' E6 c& G0 @! y4 o6 S) X星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺
. e( d" o5 E6 G+ T' e8 I星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的 + j* q6 T) ~: f1 G$ c. w$ z4 ~% e
索性做一個試算表好了 也比較好找電容值 # u% K3 ]/ X6 k. y7 P0 i) N
做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法 3 D0 ]2 e+ k7 u
反正DRC/LVS過就好啦 # d, \& @) w: Y- e) B
樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用
8 h. [) L; v4 R+ v* x0 r" @cadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容
, y" w. o- s3 e; U( m# Q1 Q, PMOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向$ H" t, Y8 {& h! O, r% r/ g

' B; L; }7 e" @4 P; ~* \% v  x不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數 ' b6 ]7 N  A& I7 \" g- [
2 c: i4 z; x  _0 I
最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確4 j+ H* ]% e/ h! H% L# F
9 v  Z8 {6 _7 ]; r0 h
順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧
2 X/ l) T( i$ H% ~- y7 B

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^
4 a- H/ R) Z( ^7 b* F5 Z, Y0 i+ h& U8 v* B
不過看你得電路畫法: A5 C7 @3 ^& S

6 E/ D" s+ }  {0 r3 {$ g$ e感覺像是數位電路
- q& \7 v& }/ H) ^& x2 H! W' h. W! ]5 p+ u$ L
p在上n在下& h! q6 U- T- V2 \
" u4 V4 j& ~5 E; ]1 ~
呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
5 r" e: ~4 o" V- d' |" M4 p画两个大的MOS管就好啦 fingers=2
4 W2 t1 B- c# ]: n5 W  I6 M比你那样好看多了$ a$ w* g* O: q* e1 n. A, H! S/ U

/ F( _( B8 B6 Z5 R* d) q( B
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長
, h( x  z6 V$ B8 X/ N他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡
0 C) ~1 L. I0 H8 j7 i1 W; l7 D其他種類電容都沒在design rule裡面: P% b' U, F% h' Y
所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔
8 _" m# g+ d- x, j/ P# f那就很有可能!!!3 m3 r% |" E! [- |

7 u; S# _: u% L$ X你說的design rule 過不了
1 e: [; d4 _, b我想你是說在cadence 中是用MIM電容
! O4 O. H8 Y7 B$ }: S但佈局卻是用MOS等效電容4 I7 B4 m3 Y- G' K
& `0 ~( r' e1 ^$ O  I5 p$ h
這樣是一定沒辦法過的!!- j0 o4 F3 b5 ^/ V4 `6 R! T( @

0 D! A1 ~% g3 [但是...如果在cadence中就用mos等效電容# J9 M$ ^5 B) `7 C) a) r! c
那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....
% z1 ^, c9 J/ B4 R& r+ b5 |+ Z那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...) o( `4 A" q% U% _" _2 J" c
該不會是叫一個NMOS或PMOS
3 R  |2 O7 Q1 V5 v7 ~8 O. j+ l然後再把S端D端相接9 Y* M, `/ D% A5 ~7 K
在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama
& b, v$ q1 u5 q# t- V
  e) C- l& r, l) C1 t
; U$ k9 L6 S0 H# {  _" F6 s& _* O( v    請問您這次比賽所使用的process是...% \5 v5 b  p) b# D9 n, ]5 C; n
如果可能的話可以寄LVS command file給我
( m1 T% Y* W# b, R1 `我幫您看看是哪邊出問題
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