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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=
# Y# T2 N  b" s  k7 g然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了
' l) i+ ~/ q; g2 H. {2 j8 Q所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫
  L. |$ C6 R9 E7 ?6 }3 L' x# k話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
5 Y; l6 X* @" {) ~$ h! u3 _, M, ^% V" n
我附上我最後的布局圖 請各位多指教 " D) d! q4 |8 g6 `+ X

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...
& Z" ~2 i9 N3 Q2 @: M在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容+ @* s" G: E$ \
否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)& Z0 o/ K- s" t" s) D
不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦). E2 C( T; I" [& E* w8 J
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積
; X& K+ N8 O) s+ [% _不過我沒看到電路3 v: H7 e: z: S- @
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a)1 e9 ~% O7 ]2 ~4 p

" B4 W" l3 O4 T若你用平行板的電容外圍要加保護環!!$ ]& l# K( ^% z1 d5 V

* a) r( k6 x) _. K4 u  G我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層
& S. b$ @4 w: `" `1 c金屬層四邊要去角避免電荷積聚
* H1 C! q3 R/ r2 L5 `  P: r2 w然後想像一下電容的樣子! j. {/ \' j) M/ C7 ]% z( l  q5 Z$ S
一定會有接點接出去; b$ w+ k. E( G& ?8 ^& W6 i8 J
所以或用via 或contact接出去4 M$ d3 L! s1 T
但最大問題一定是w/l 要去算一下
) Q' k) r( K  `3 |9 Q, L
; B; `7 m& z/ O+ F: A( d你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值
) v; @9 F  j' N6 d! q通常會有一些些些誤差!(很難完全準)
1 A8 M% \" M. w) x/ k% v" M
7 {* I0 H; L+ _7 I6 q% a打的好累= =zzz
7 f% f7 W: Q9 z/ D# M* V# M$ q多去網路上看看吧~. H( U- m1 a2 B; S5 `4 u
製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
( I2 T3 k' P3 f. w' ]$ p' H' h/ d7 H6 w6 r2 ?4 V
爬一下文 應該有相關資料- Y. L6 N" P7 \- z5 @
% k  o4 j, |& [+ L# @. M0 W, y& s
面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM  H8 Q' G1 u9 {6 e
所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣
) d. l  D  `3 K4 g3 n8 A可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西
% E5 V( Y8 y5 A. H7 L/ j這是RULE給的電容值算法
, A/ K" }3 A2 S) aCa = 1e-3         // F/M^2' b9 w+ F; C. ^1 O' ?! g3 o" V
Cf = 7.5e-11      // F/M
4 P6 D- P6 C0 u3 VC = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C)
6 [% ]8 D3 v$ h& z
7 R5 M8 h- _# f. z  O9 y論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!
- l) v" u! H3 W- C2 ]% Q1 E4 T( Z" L: [3 m+ L9 L& P+ x
我大概有看過題目但我不是參賽者!
0 g; H) H( |! E3 j
, p. P0 P8 r5 a* F6 B& b. p8 h% T電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)& S* |' C; b& g2 A' p; i( r4 j* c- N
. l% _+ s' T1 \( i9 f" y- w
數位積體電路可以用mos來等效一顆電容
4 p. s2 W/ H: |4 U2 d
* I. g4 o. n8 u也就是將s和d極短路而g極連接出去
* Q+ L3 t" }' I5 r( U2 l+ @+ ~2 v
+ i& @. u4 M) W) E& z這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容5 ]: B7 V- O: S4 K- @

0 ~2 N8 E5 Y: ~. E* f  ~% Q: Lw/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值4 Y3 d" T0 p+ b/ Z* r: d2 Z3 c% \
' p# M! [8 b7 H0 |; E0 P/ |
不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!( i/ m  \1 \( Z% N) ?# w( f. V

6 I( S- ]: {' E' X+ r0 W' e當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組
, d2 u! B- v* o" i看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY
4 F# i' J/ O) n畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容
: d' r/ o% g3 o# ?- R然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字5 `% \; Y+ x- P  n
c. MIM Capacitor :" f" f0 x- }  L5 W
  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)
( W: b. l; `' K% a. q& }就沒了
, i0 d& v4 M1 C" `+ ~所以好像沒辦法把MOS當電容
+ v$ K3 s5 V  B6 w% \順便附上我看講義上的電容畫法是否正確' |5 ~9 \5 {, I0 o; g) G9 E

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯
% f' n! j, ~6 n# a2 N
3 r2 p' t  Z" V清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
% V0 o6 ]: O0 l$ z1 q; y星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺 ) p: I( e, U+ P3 ]5 T
星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的
' U3 d! p6 Y0 |( P+ H2 Y( E, n索性做一個試算表好了 也比較好找電容值
: b  ?$ u6 J4 c; U0 T) s做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法
" I- k1 ^0 `1 ~& M反正DRC/LVS過就好啦 , W$ \+ }5 h* b2 p% q+ g  a$ `  L4 [
樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用
* _! n6 x4 ^& Zcadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容
5 ^8 T* @# |) b  e% z# w, \  Z- mMOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向$ t7 m5 q; q5 B/ z. w+ Q
: y7 D" X9 K# W  y6 n0 \5 s
不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數 ( w& ]7 d# Y% x9 ]

( y7 N. s' R" q  Y2 k9 q最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
9 C9 X  e0 a9 Q4 [
- d" O% l+ d) @順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧
2 ^$ G3 B" L6 f; T( m* X& ~' f+ w

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^
2 s9 c. ~. Q: D: [& k
( _5 e/ P6 M8 i/ @0 Z2 g, ?不過看你得電路畫法  Z* J3 \) @' z6 I  R
5 V0 }! i1 n6 L: Z2 ^9 ~3 j
感覺像是數位電路
1 H2 g; b& g3 c1 S* S/ o' B$ B1 ~1 g  K/ d( o* w
p在上n在下& i- _. }* s7 l% x2 z

* P8 H+ g: C( S4 J+ c  G( v2 I呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
" ?" a3 V' r" t, B画两个大的MOS管就好啦 fingers=2
- E/ a( b0 k/ ]/ C* d$ f. Q" A比你那样好看多了4 J  h" M/ H& i
( ~" p1 Q! |* t) G. l7 S9 ]1 V  e
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長 / d6 H) J2 g, @8 V7 s
他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡5 p0 F/ d' I, R6 U
其他種類電容都沒在design rule裡面/ g* [4 p) w' k/ ^
所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔1 c5 `8 S" R& J8 n# `- t9 }
那就很有可能!!!
( z% o( r. ?& V& y' A4 o# |
4 T0 E+ A/ Q9 n你說的design rule 過不了3 M2 o5 j1 b% Q/ D# u# {
我想你是說在cadence 中是用MIM電容# h5 V5 T. F/ _  W# E' z9 A
但佈局卻是用MOS等效電容
. A! N" t! o; a1 s0 d5 K, F8 m/ ?* @6 @* M9 H. b7 \
這樣是一定沒辦法過的!!
# s; h; v2 N! c3 U7 Y% E4 z4 A9 e" M& T
但是...如果在cadence中就用mos等效電容
  L6 R- w. m+ c0 ~, c8 b; L( d! F那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....' ~0 q# u9 z3 Y' X. k
那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...
1 e3 k5 J7 f0 v6 ]該不會是叫一個NMOS或PMOS# x- K4 q! ~# E2 _/ c# ~: d
然後再把S端D端相接, O1 G9 O$ `: G1 y/ x1 z
在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama
; v0 I4 K1 t* ]( g/ l# z' E
+ ?9 X: l( C5 H, S4 s0 C" u4 E: P
    請問您這次比賽所使用的process是...
( o3 u% B6 J! ^( c* B: C* F如果可能的話可以寄LVS command file給我+ e$ E3 ]& i" J& ?
我幫您看看是哪邊出問題
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