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[問題求助] PMOS,buck,source,drain接地,gate接正电位,电容?

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1#
發表於 2009-4-16 18:11:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,我在参考以前的项目时,发现有用PMOS当作电容用,30um x30um,M=48。但是buck,source,drain接地,gate接高电位,挺让我费解的,要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人,说这种会引起latch up的问题,而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么,先谢谢啦。
* [, }" Q+ Q" v* A% a8 Y. Y0 Q) N& h" h/ j0 D
PS:我用HSPICE run simulation,发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。( t1 ?  u8 S, A  t
2 H# g& x% d1 Z
[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2009-4-17 13:09:04 | 只看該作者
我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。! b0 F' j# I4 @" C
AMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中,電容值有較佳的線性度。
6 x) Q, W' f+ x, Y: l7 p1 e( }所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  2 u9 q* S- Y2 x8 t
" H3 J( k4 D1 u0 a
事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.

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3#
 樓主| 發表於 2009-4-17 16:14:18 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

谢谢您的回复,不过我有看过layout,是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS,依然谢谢您!
4#
發表於 2009-4-17 18:58:50 | 只看該作者
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
( i; @0 c) U9 s- h4 l! o此PMOS工作在accumulation區域+ u" w- j# u: V3 r6 J2 X, I
一樣有電容& ?3 w+ g. D6 z$ \
( ]/ J5 y6 ~6 i' I, W  P
至於NW接地, 是有可能會Latch-up, # U) n. h& k, a3 n/ [: H% r8 [9 V9 B
就小心一些, 也沒那麼容易啦
& \' p1 e# p* G" u% E: Q
4 ?& w. i2 P" z* R[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]

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5#
發表於 2009-4-20 00:44:14 | 只看該作者
c=k/Tox
. W) @! a- A; [' r3 l: O3 i1 j% T
7 ^) e& x9 |2 {: w& B用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?
1 G4 d5 Z$ N* x" H* k- x不知道為什麼特別選P來做?

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6#
 樓主| 發表於 2009-4-20 14:52:48 | 只看該作者
原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表 ; g" R. H' B: q
如果你有學過MOS CV-Curve就知道
! W& ~4 I! I" N0 j8 V; K1 i& Z6 n此PMOS工作在accumulation區域
9 R0 L/ Z3 b4 I% P一樣有電容" i  e" `& a: o6 i, a: F  H0 V

! M$ s7 Q+ N7 N7 U7 S; i  g至於NW接地, 是有可能會Latch-up,
, J0 ]' z5 a0 X7 K/ R就小心一些, 也沒那麼容易啦

6 o1 H# w3 J0 b7 P/ Y8 o/ E) P; I+ b: B, g: h  E8 Y# E5 o
我对这个不太明白,就我看到的文献来说,A-MOS是NMOS in N-well,对于PMOS,bulk,source,drain已经是最低电位,gate下面会invert?如果不能invert,那么这个能当作电容用的么?我对这块不太清楚,请继续指教,谢谢。
7#
 樓主| 發表於 2009-4-20 14:55:02 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

我想PMOS实现起来有点困难吧,因为gate下面好像不会形成channel啊?如果能形成channel自然一样,但是如果不能形成channel,我就有点担心。
8#
發表於 2009-4-20 16:43:48 | 只看該作者
不知道PMOS這樣接作電容的話,會不會有什麼問題??
, Y9 L# e% b/ n8 ^+ L請各位賜教!!' w" z8 c& O$ I

8 p5 d6 R: n. U8 i1 Z+ a3 `PS. gate 接地,其餘的腳位接在一起,在接至某个正電壓。

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x
9#
發表於 2009-4-21 10:46:26 | 只看該作者
同樣一個公式c=k/Tox
% X+ {2 T- V( X  o7 G  n6 J/ z: oaccumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低8 e- R6 F1 S/ M/ b  b0 w
可以看書中有圖: [$ P" q/ g  r
8 {7 ?& _& j3 r' o2 s. e) q
所以如果給的電壓夠正,雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容
" }; b; h( M5 b8 `( C* I% X$ A9 w! \1 t8 N/ m, x
amos我不知道你說的是不是depletion mode的
; Z: L% a/ y4 g' H9 N5 W就是原本不加電壓時通道已經形成,加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉
- g. A6 F* U  S  v& |% T我不知道這跟他的電容值有關嗎?
: @) m9 M+ Z% {& G! N基本上我猜只會把他的整個cv curve shift,猜是只有Vt的變動
/ ?$ |3 ]4 ~; i* m" \想不到什麼線性度問題,請問有書上有寫嗎,有寫原因嗎 謝謝

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10#
發表於 2009-4-21 10:50:24 | 只看該作者
我再說一次
  J0 |* J' a2 {5 K$ I" L# D. C. B7 K當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候7 K, q  D8 x. ~0 k& Y
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
) g9 ?9 S1 r6 S! b1 z(如在NW累積正電, 稱做invertion)
7 a6 u. ^& C9 E3 V( M% q8 |8 H' L# O! F2 u  Q- P
只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

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11#
 樓主| 發表於 2009-4-21 11:48:47 | 只看該作者

回復 9# 的帖子

感谢您的回复。至于AMOS,我是根据一篇paper来看的,他所说的AMOS是指NMOS in N-Well,不是指pmos了。我贴上这个paper吧,供参考。
0 s# u7 u  S6 n% O  Q& N4 O9 r& {( i- Z$ Y) S; K
[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

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12#
發表於 2009-4-21 12:46:07 | 只看該作者
我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,7 B- j6 [& U% B5 q" q$ V, N
不過沒差, 原理差不多* x2 q6 a' \. C. W
唯一有差的是A-MOS無法inversion,
" }3 i, n5 @$ l- }, |, M! t所以偏壓在accumulation區域電容才比較大
  k( L3 f* I: n/ b8 T% X
1 U# D8 q# U9 K" s7 p4 P3 `" NPMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容
13#
發表於 2009-4-21 13:08:54 | 只看該作者
AMOS 一樣可分N跟P
3 K. ^6 E! @# v0 G
) T7 O- i7 V( t- B) ]: k不同的WELL只是調他的Vt而已/ P1 L2 h  y- q0 F7 Q% L
照你的說法5 l# Z& t) c% Q1 b# s% o& Z
NMOS ON NWELL; v1 m; C1 Y: h9 e) I
PMOS ON PWELL就可以了) D  o3 X: j; w: Z% t$ a9 T( n
% V$ V' t* C% u3 A, W/ w
也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了
14#
發表於 2009-4-22 17:33:04 | 只看該作者
NMOS作到N WELL 上面 我覺得
9 [: A' K  I. Z' E不就是一個多晶- 襯底電容吧?
15#
發表於 2009-4-23 17:10:25 | 只看該作者
其实mos做电容的时候,电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的,NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化,最终稳定。。。9 M) h' L1 c3 {! R- Y
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小,但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。3 b# ?2 p: k6 p# s% g4 |: S( F
也可以把NMOS的栅接负压(好像不太常用。。。)这样会改善mos电容的线性度
16#
發表於 2009-4-24 09:04:48 | 只看該作者
如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区
17#
發表於 2009-5-19 22:09:33 | 只看該作者
15樓說得不錯,我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫,尋找一個結合點,來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊,希望哪位高手能指點一二。
18#
發表於 2009-5-21 09:07:05 | 只看該作者
PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???$ W; D& L$ \3 G1 |0 z# k
其它接法沒有做過ㄝ??????% B( e& s& t' X5 F1 p  ]
thanks!!!
19#
發表於 2009-5-22 21:28:32 | 只看該作者
pmos的gate接正电位,bulk、source、drain接地,这样pmos工作在积累区,电容几乎就是栅电容的全部,有什么觉得奇怪,从来就是这么用的啊。如果换nmos,反而效果会变差,因为当VGS=VT的时候,mos总电容会突然变得极小,电容值不稳定。
9 U" L/ e# h# h! ]' X还有,为什么说pmos电容这么接回容易latch-up?我没看出来?谁能画个等效电路。相反,我觉得所谓了AMOS,就是nmos做在nwell里,我到觉得他出latch-up的可能性极大,对照书上的latch-up示意图,一画就能画出来。
20#
發表於 2009-6-25 17:00:33 | 只看該作者
can somebody explain how to latch up ?
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