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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › 請問一下mos的臨界電壓vt?
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[問題求助] 請問一下mos的臨界電壓vt?

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andywu
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1#
發表於 2008-3-24 14:25:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve$ Y2 P% B- s3 w$ ?0 c6 z

) P+ ]' A, D# Y( ~但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值# s# S/ w- i# V# g* O9 G0 L
  j. n3 ]' k1 G' l0 J6 R" m+ o4 o
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化# t4 R1 v, |4 r+ n" @- ^* J7 i

+ q6 ~- X; t6 x/ p6 ^- H$ |這樣的話大家是怎決定的
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andywu
2#
 樓主| 發表於 2008-3-24 15:42:50 | 只看該作者
對了尤其是PMOS,飄移更多" B9 y% [0 F8 e
. i9 P- V9 X8 t& M) {
NMOS還在0.75左右: D- G5 I+ F+ f, V
3 g. F2 e  Y* i. h* K
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3#
發表於 2008-3-25 10:22:39 | 只看該作者
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
# Y- N! U8 D2 x) i最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
- Z9 d: {) N8 |. Y  Y& l+ {% }這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同; G# Q) w1 v, T6 R
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
, b# j$ k0 W7 e1 W$ |課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣; i& u  e# d8 j, O- h& D: s& p& x
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
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gimayon
4#
發表於 2008-3-29 02:21:40 | 只看該作者
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
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ssupinma
5#
發表於 2008-3-29 16:02:15 | 只看該作者
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同( @+ A2 Z5 O5 @7 m% `* B1 b, w( M
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
' i5 a& z5 p' A; r從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能$ k3 x; W& n( Y9 B
: q. u3 e, o6 N
查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
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andywu
6#
 樓主| 發表於 2008-4-2 16:07:55 | 只看該作者
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
" T; R* b5 W7 v$ E; S; ]1 O) `. ~: J" U7 _. }! x! Y
model file要看哪一項目呢?
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alab307
7#
發表於 2008-4-3 18:49:10 | 只看該作者
Vt 沒有一定的定義
2 g& Z4 U) r& d而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題. @* w1 z$ k) @- p6 Y% M
2 f; a' D3 H, @  C- ~% ?) ?
"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"5 V4 O% U2 |% J* C+ ]+ K% ^
3.3v 遠大於 0.7V. A' {' D2 S9 K1 w! M
其實不用太Care/ P. q! Y+ E  {

4 O4 {6 F& Q3 y' W) T; xVT對你的電路真的那麼重要嗎?
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8#
發表於 2008-4-8 10:23:34 | 只看該作者

~

所以说模拟电路是感性的~~
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9#
發表於 2008-4-11 15:28:02 | 只看該作者
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
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10#
發表於 2015-12-24 19:46:06 | 只看該作者
4 D+ Y7 N$ ~2 S( i/ c% M& @" c
感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
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11#
發表於 2015-12-24 21:51:41 | 只看該作者
VTH本來就是一個變數，不是嗎？
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