bjt 的 layout

ben13949

請問 PDK 中的 BJT 射極的部份
+ l2 G$ V. Y4 F6 g2 T! l- R; a
) q1 w* z. J% j) kCT 和 OD有一段距離
. [3 c0 ]" x5 H: V, Q2 K
留那段距離目的是為甚麼?

ben13949

我再補充一下問題
' \1 q2 V, K5 d5 I) P) C8 r
我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿
+ j% M/ I5 j+ M. Z3 s
" R+ G4 _9 g7 I/ a) D1 A$ {. p離邊緣還可以打上3個左右

m851055

CT是哪一層layer?
NPN or PNP?

CHIP321

% Y9 U- J  E# _8 u
Cont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多，因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话，cont的位置，cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule，不能随意更改，另外你这里提到的估计应当是纵向管，接触位于射极中心，会减少射极的横向（侧边）注入，在不变更三层结结构，尺寸下，能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响，可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的，供LZ参考，不当处请批判指正。