請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

james65chan

有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
( k. m* d, X+ o/ m
1 |! @+ Z9 [6 @7 r1 q) m9 IP/N MOS 如何達到穩壓的效果

shucai

从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.

james65chan

嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
2 K+ u6 B0 h) d! y6 V+ q是否就應用 pmos 電容，
因其include 在nwell 中，
沒錯DRC RULE會較大，影響size.

  `  `: L* L  l" g$ \& E
9 |( A) d4 H2 |* O) J6 _0 A所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？

duanzy

个人看法，仅供参考：

用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。

. t' m( s( l. ^- Y$ u: d. O但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~

motofatfat

同意樓上的看法
以原理來看
! b( Y) k; _$ @, H5 \& C" aPMOS 的載子 是 電洞
NMOS 的載子 是 電子
, n1 T, ?/ f% P7 M$ n' V6 N電子移動較快
$ c0 Z* n- ?$ B1 [如果無其他考慮
8 m* {/ R( }4 N! o$ N. ]NMOS 似乎 較佳