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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:0 G( G" Y/ }; R
1. 請問製程為何?
' s. f( q) L3 ?$ J. [* `2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
. k4 W& O1 v, [% |0 pklim 發表於 2011-1-18 14:32
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( n4 }8 d- s" d7 s1), 請問製程為何?
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3 U# s0 u0 F' r' u2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...' S4 @" J) h9 Q2 u
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打8 j$ A% `- d% e1 K7 G/ J4 `* E
) l) T9 C* P% Y2 [- a8 E3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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