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[問題求助] ESD失效分析求助

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1#
發表於 2010-11-20 14:59:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
2颗VDD到地测试( o) p6 Z2 m  B4 U% \" Z
1),第1颗从500V开始测试,大部分在500V时就失效
" f' [. t/ a' D0 D3 t2),第2颗从1000V开始测试,大部分在1500V时失效  k* G; I7 m6 O$ B
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
1 D- o0 b8 c$ P. E' R& E- X. B失效机理是怎么会事,多谢
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2#
發表於 2011-1-18 14:32:02 | 只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
2 N  v+ |0 u' b% @- E% _% x4 L0 H1. 請問製程為何?' ]" I' |- s- U$ f- R
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?, W; o- G; M& n* T  D8 y
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?% z4 ?4 O% \- E$ p' j! c& V6 `/ I% R
要有上述的數據才能做最基本的分析.
3#
 樓主| 發表於 2011-3-27 11:34:00 | 只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:0 G( G" Y/ }; R
1. 請問製程為何?
' s. f( q) L3 ?$ J. [* `2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
. k4 W& O1 v, [% |0 pklim 發表於 2011-1-18 14:32

9 j0 J& |' _3 ?7 B4 ?: M; W2 T/ l: ~- X
( n4 }8 d- s" d7 s1), 請問製程為何?
* ]. ~$ d  H' K2 J! I6 ^ tsmc 0.18um ; c, H: K8 c2 E$ {- P- b

3 U# s0 u0 F' r' u2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...' S4 @" J) h9 Q2 u
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打8 j$ A% `- d% e1 K7 G/ J4 `* E

) l) T9 C* P% Y2 [- a8 E3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
4#
發表於 2012-2-12 13:41:58 | 只看該作者
感兴趣问题的进展,是样品概率问题吗?
5#
 樓主| 發表於 2012-3-13 20:20:27 | 只看該作者
感谢关注,ESD问题已经解决
6#
發表於 2012-7-12 12:21:25 | 只看該作者
how to resolved it????
7#
 樓主| 發表於 2012-8-21 21:40:30 | 只看該作者
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路
8#
發表於 2013-10-13 02:30:06 | 只看該作者
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路 ??2 r: G% j% p0 ~2 F) J
均勻是指什麼
6 x- ?; F. p! ?) }* H( n# [' ^+ @方便貼圖上來嗎
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