HSPICE問題

raw1012

*******NMOS***********************
5 w, Z: T/ ^6 ?. H2 j************ *****************************************
# R! X! L! E2 [+ m# g% Z5 k' _.protect
; u2 N7 d8 ?7 I/ G2 G, t.lib 'c018lp.l' TT_3V
- I( ?8 U( N  M.unprotect
1 L0 ?$ r6 w/ }, O8 d*************************************************

, |' p" ~; M3 qv_vdd  vdd     0      dc  3v

v_vss  vss     0     dc  0v
; X( A1 R/ O  b
8 R( z/ C7 E! m  d& N# r
$ U) E2 X& `* U; \/ N1 T+ F****************************************************
$ x' w7 q- V7 N2 ~m1 1 2 vss vss    nch3    w=3.5u  l=0.35u
8 e/ Y: D/ P% d& f+ V
- P2 I9 r8 }% [. A. U* F3 jvgs 2 vss dc 2v
vds 1 vss dc 0v
  `! n* m6 _) s" [
****************************************************
.op
+ v* H5 h6 {  l1 i4 Z1 O) d.dc  vds 0  3v 0.05v
( G* R9 F" Z- r* B( g9 N.temp60
2 s* v5 C$ h1 ~. x3 I/ ]1 @3 d.probe id(m1)
. H: f/ T0 c' k1 X.end
8 h1 |$ @2 H5 a; x, L**********************************************

- z9 H* I( I* f; U% b這個是我所寫得NMOS飽和區的程式那寫出來的圖形要怎樣才可以求得(UNCOX)
/ d+ j6 m- l- h! I" ?是要找飽和的其中一個點來判斷嗎?
. q6 v: M2 t7 z; n# B請大大幫我解答一下

minijasmine

你是指un*Cox吗？
5 a6 G  C4 H3 d4 z# T$ f  F  run可以在NMOS管的spice model文件中找到U0；而Cox=Epislon0*EpislonSiO2/tox;其中Epislon0是真空的导电率，EpislonSiO2是SiO2的相对导电率，tox是栅氧厚度，tox也要在NMOS管的spice model 中找。

layes2

ucox.  is  outof date now.
you can not use it in deep submicron design.

markb

不同channel,參數值就都不一樣,提醒你要注意一下！

stevenbest

不好意思想請問一下為什麼會想知道UnCox呢
一般不是都直接從Hspice中知道gm就ok了