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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › MOS的gate能承受多大的電壓？

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[問題求助] MOS的gate能承受多大的電壓？

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1^#

發表於 2009-6-22 23:59:43 | 只看該作者回帖獎勵

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在multi-power的系統中
在各個不同電壓準位變化時
如果遇到高轉低(ex: 5->3.3)
如何得知這個3.3V的device是否會被5V電壓擊穿gate?
謝謝

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2^#

發表於 2009-6-24 16:21:59 | 只看該作者

應該不會被擊穿,但會有life time 的問題(3.3v崩潰電壓大約6V以)

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3^#

發表於 2009-6-24 17:41:28 | 只看該作者

你必須要詳讀data sheet,裡面會有寫明, 不同的mos會有不同的最大值, 有些雖然是小信號mos但是耐電壓比一般mos大, 不能同理而論

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4^#

發表於 2009-6-24 18:24:32 | 只看該作者

最好不要！万一5V有个波动，到了5.5V，那么Breakdown很有可能

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5^#

發表於 2009-6-25 11:40:47 | 只看該作者

這種Overdrive的操作很多人用
如果您對device不是很了解, 就不要用吧

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6^#

發表於 2009-7-3 16:08:51 | 只看該作者

仔细读data sheet，裡面會有寫明。

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7^#

發表於 2009-7-8 00:00:11 | 只看該作者

MOS管好像耐压比较高吧，晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏，很久没看了，记得不清楚了

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8^#

發表於 2009-7-8 00:00:20 | 只看該作者

MOS管好像耐压比较高吧，晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏，很久没看了，记得不清楚了

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9^#

發表於 2009-7-8 14:32:28 | 只看該作者

最好不要這樣冒險。。。。。但我公司有人喜歡冒險。比如是5V的 VGS，他卻用到了8V。。。。

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10^#

發表於 2009-7-9 08:58:26 | 只看該作者

原帖由 yjcruz 於 2009-7-8 12:00 AM 發表
1 P) U, a. y( c8 I# ]3 ^! S+ EMOS管好像耐压比较高吧，晶体管原理方面的资料好像说击穿电压是30来伏，很久没看了，记得不清楚了

哈哈哈。30V，不是bipolar！！！

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11^#

發表於 2009-7-9 08:59:26 | 只看該作者

3.3V的确实在5.5~6V左右就是容易击穿的区域了，至少不能长时间稳定工作！

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12^#

發表於 2009-7-9 08:59:50 | 只看該作者

5V的一般可以到8V，但是也不安全！

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13^#

發表於 2009-7-15 10:04:38 | 只看該作者

原帖由 semico_ljj 於 2009-7-9 08:59 AM 發表
, N6 O1 j- }. b' _5 n5V的一般可以到8V，但是也不安全！

請問semico_ljj兄，您說的“不安全”是否是說使用一段時間後會壞掉（也就是使用壽命有限），還是管子出廠能達到8V的良率低？謝謝！

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