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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
1 J( r9 F' O- @9 W) I- U一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
( _7 v- o  U3 Z: y# n0 A+ J1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些( U2 C4 x- L! k" ^/ j* O
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
% E  H, u- ~7 J$ {3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧7 O. A; n7 }8 U. ]* F& w! b( N
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~1 D; F# p8 u6 q& j4 Z
2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
0 W! j+ J! D4 j" U( b4 f3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~/ g  R' e. I$ g( j1 M
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
. E# h8 |  M0 k- ~
! J! A, N$ s1 ?  O* h# }[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
! g( g; G# w& ?+ I" R1 [非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
7 r: N+ P  M+ P# N3 R1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?: N+ S. Z3 a0 o- P$ T7 w) k
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸
& ~/ O- |+ L0 w1 D! e$ |( V3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意7 s; C  f/ ?/ T. W5 E7 F
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712
+ }, B4 F9 ?! `2 R4 ?% a/ K9 Y9 V; P- {& ?. K9 q" x
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
9 f0 r3 F' {, ?( W2 a! k+ v2。一般會比pad稍為小一點。# `0 w, w5 _  ?7 U* I7 E: h! y
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。! E% Q( B3 U! _# Q9 d2 q, a2 s0 {
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
( N1 Q* E# s" w2 L! C|||||
; T; A  b/ v* G9 Y|||||
9 v! s2 U, f7 }7 W  E6 q, i1 s" o|||||→普通3 v8 N$ n% v4 f. e# t
: ?6 {. t* j+ B9 ?
|||||
! b, i  |) A5 K! r" Y: O≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 " q" g, [! f1 X0 O# T4 o  Z. H
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
% y2 q+ s9 J" }/ {' _; i8 |# p這些專業知識
/ w1 E3 I& z5 J0 x1 A對我來說& Z# f" u6 n; Z3 e1 v+ C
是非常有幫助的
; s9 G8 n9 Y7 O3 H1 R+ m感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手" i, b8 s9 w* T6 @: d$ B
這些專業知識' e  j5 R5 U2 k4 n" z
對我來說
, {# P3 t) J# m) u是非常有幫助的
& n* C# }# {$ I. X感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
  y* [# E% n/ p& z+ X/ M先學下來以備不時之需囉: }3 H; l) \; N$ Q- J- O
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下7 U3 M( W- x; Y7 ~3 k
哈哈哈
8 K8 X5 S+ Z2 i3 e8 M% f谢谢分享
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