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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
5 v1 L, j1 |; J" y! ^( v一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:4 L! S. t- Q2 A7 E& Y4 r2 U
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
5 @  `& w2 a2 P! C1 k! m2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
, ?: l& t4 B  z& e6 p3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧: h* n: V- e2 Y/ V0 T3 r
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
$ [8 R1 Y% J" y& z6 A1 d9 a2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~9 R) v  i1 [( I1 C; n: Z
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~0 N/ b9 g. [# |, \
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
9 ~1 ?: P: O& f# G0 G8 c' F) C; G& [8 y" _. o9 \# [/ Q
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
7 E0 V3 K2 [7 Y非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
2 w) ~- I6 g- Q: ~7 O1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
7 R* R% j) r7 p5 x2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸) d8 y3 @% {: f' F2 f7 @# Q1 X4 D
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意9 {$ w- X9 v0 v1 K
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 : `8 p1 B# u. J1 N% X
$ B$ @5 c$ i! I! K; O/ ?  u0 U) [
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。; w. S6 b- C8 y' d$ P. m0 C/ I
2。一般會比pad稍為小一點。
( c* o1 h% g: n' C1 q3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
; S4 b. E; i; y% \# S1 v! b: {& k4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;) }& e; J9 w8 e7 z* T  F
|||||; G8 C% _1 Z( O2 U
|||||
5 r" m3 M1 z- u( y* b|||||→普通( I( J7 d( c9 |, h+ e9 P) [
" ]% _6 v  r; F
|||||! F5 q' S  i* J' C8 t: f
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包 ' ?7 q- E; `; O& C
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
& e  s2 X9 Y0 z! m( h: M這些專業知識- L; }6 L; N3 H
對我來說4 W' _. \" `% g& L
是非常有幫助的5 t' k* h- N" z( p4 }
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
  ?) W# n5 _, o; B2 H這些專業知識
, x3 ^8 s3 Q! N# i2 r1 q* }5 G對我來說+ H+ W/ X2 m. w+ L0 N( |
是非常有幫助的
9 X4 k: ^! t/ z) H7 }7 i- o感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING  e/ L* E+ B( t  y3 b
先學下來以備不時之需囉4 W" y4 w1 @4 A3 H3 S: s
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下+ t* z: \$ H. i- b9 H; u7 z
哈哈哈
) \: s: U7 D' o7 y1 J7 m) B" x2 `谢谢分享
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