請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

因為先前看過幾位畢業學長的layout
$ E( \' B* i+ d2 N7 ^$ U$ F7 \) Q他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
9 Q6 P: {% s* K. F. U2 i不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
3 Z$ \  S- N1 [$ u+ S4 _因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
而是另外一個VDD比較好

# n2 r$ l; L7 j% C# z/ B5 }9 F謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
# z! g% B& T; V: g, K) ~8 xdeep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
6 y2 @% [/ }7 y% @$ h3 y2 N. W但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。
4 z" R  \) \' L8 N- c