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[問題求助] body端輸入,gain的算法?

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1#
發表於 2009-4-1 15:23:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下,如果輸入訊號是由body端灌進去的,他的Gain的算法是怎麼求的?
. r" [4 B8 L# N9 X. ]例如:如果正常從gate灌的話,gain就是gm*(ron//rop)

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2#
發表於 2009-4-2 11:17:02 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

body电压从一阶效应看将会控制阈值电压vth
* m/ Z: a& ?1 Z1 j( E9 G4 l5 a; Nvth=vth0+gamma*(sqrt(2*phi+vsb)-sqrt(2*phi))
, i) s) ?. X! H7 q' y而Id=bata*(vgs-vth)^2*(1+lambda*vds)
  Q4 S8 T* V; R' Sgm'=d(Id)/d(vsb)
+ h; _. E* Q4 F4 a3 g8 K# X因此gain=gm'*(ron//rop)
3#
發表於 2009-4-13 18:45:18 | 只看該作者

body端輸入,gain的算法?

找出gmb.
- h' T3 x3 @" ?( Y1 igmb=id/vbs, gm=id/vgs ; L4 b5 M4 Y3 n4 U% L+ [5 ^6 i; L
但不太懂為什麼要這麼做?
4#
發表於 2009-5-2 18:58:46 | 只看該作者
g大是正確的
# g) U# a8 o9 ]  h9 ^; n去Hspice的output file找gmb值* ^0 q% F# Q- B; @; L4 Q
但是這樣的schematic基本上是亂搞" L1 A( ?6 \- X3 Y" z' ~0 S
沒有人會從body灌信號' ^  v/ O% h$ w  q/ o
(gain很小  又有substrate noise   還要擔心會不會latchup  沒人會這樣做吧 )
5#
發表於 2009-5-2 21:20:16 | 只看該作者
IEEE有很多篇關於從bulk端灌訊號的OPAMP4 |# Z6 R( ~9 H9 Z; D3 B1 r8 W9 Z+ S  P1 E
可以到IEEE搜尋鍵字多看幾篇paper- L) ~$ f4 ~8 c9 |- ?3 u
應該可以找相關公式推導
6#
發表於 2009-6-10 01:17:16 | 只看該作者
關鍵字應該是要找bulk driven
5 O& E. v0 Y! }$ {8 K通常是使用在low power的design
7#
發表於 2009-6-17 16:35:12 | 只看該作者
從bulk灌電壓,主要是想在low VDD時,又想ICMR大,偷input pair的Vth。
" e; `8 J. n0 Y3 V' G) Y假設VDD=1v,ICMR又想rail to rail,假設N、PMOS的Vth又降不下來,: Z. q4 b% [" }
foundry又沒提供low Vth的device,用bulk driven是一種偷Vth的方法;: c$ i- J$ `/ {
但也是有缺點,印象中好像是gain變小,從gm變為gmb去推導,也會有接面漏電流出現...5 S, }- ?9 x$ Z. s& e
至於Vth能掉多少,大約是你偷Vbs的1/10。/ l: H: ^, r% y
請各位指教了~
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