請問一下BJT的導通電壓?

leaf1989

各位大大我想要請問一下.35製程BJT的VBE導通電壓為多少?我看它裡面的參數值都看不懂哪個是關於它的電壓~
; T" U0 x# O) |# T# l2 p4 Z請麻煩說明一下要怎麼看?我指的是PNP10、5跟NPN10、5的兩種情況。

corsair

可以直接畫出來阿
/ V$ n& H$ m3 dlx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值
另外在p-sub standard process中
PNP不需要額外的mask，但NPN就要喔
10跟5應該是指emitter的邊長吧

shangyi

看不懂問題....
VBE不是跟電流有關???
  E* Y& X; A7 `7 Q0 q印象中 VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)....如果沒記錯的話!!
所以你的導通電壓是指??

leaf1989

VBE=(kT/q)*ln(Is/Io)這個我知道~不過製程裡面有IO嗎?我不知道要帶什麼值進去?
, q$ A' g  Z1 b+ ~大大 lx0(XX)就可以畫出Vbe對電壓or電流得值?可以說明詳細一點嗎?以下是參數值
.MODEL pnp10 PNP (                               LEVEL  = 1                  
1 V9 P, |) }( _0 d' a4 Z3 _5 L+ BF     = 6.35            NF     = 1.01            ISE    = 2.95E-17           
+ NE     = 1.9             IS     = 2.95E-17        RB     = 71                 
+ IRB    = 9.5E-4          RBM    = 0.1             RE     = 2.35               
+ IKF    = 1.95E-3         NKF    = 0.549           VAF    = 300               
! ?( d, ?  I) k! t. ^+ BR     = 0.01116         NR     = 1               ISC    = 2.95E-17           
  o6 @* ^# F% a9 f2 r+ NC     = 1.1             RC     = 21.08           IKR    = 0.087818           
+ VAR    = 7.8             TBF1   = 6.7E-3          TBF2   = 8E-6               
5 M* t+ a, p! }5 r+ TNE1   = 9E-5            TNF1   = 9.5E-5          TRB1   = 3E-5               
+ TIRB1  = 9E-4            TRM1   = 9.44068E-6      TRE1   = 5E-4               
4 S+ f/ ?5 C! i- L5 A+ TIKF1  = -3.5E-3         TVAF1  = -9E-4           TBR1   = -7E-4              
+ TBR2   = 9.5E-6          TNR1   = 9E-5            TNC1   = 1.50731E-3         
+ XTB    = 0               XTI    = 3               TRC1   = 0                  
+ TIKR1  = -3.9E-3         EG     = 1.18            CJE    = 1.55101E-13        
+ VJE    = 1.23623         MJE    = 0.662557        FC     = 0.5               
; \' Q: Y/ {& D6 |; `0 y, n! A+ CJC    = 3.131405E-14    VJC    = 0.552774        MJC    = 0.32993            
+ TLEVC  = 1               CTE    = 4.87874E-4      CTC    = 2.63294E-3         
4 J) C( L2 e$ X! O# s+ TVJE   = 2.16319E-3      TVJC   = 2.955E-3        TREF   = 25                 
+ SUBS   = 1               TLEV   = 0               )
" a' ]: a/ P: O
, x. X% R" G# m2 Z4 Q[ 本帖最後由 leaf1989 於 2009-7-10 12:27 AM 編輯 ]

shangyi

抱歉...我上面的標號用的不清楚...
因為以前BJT都只用在bandgap diode的使用上
/ q- R) K0 ?% f2 S& R正確標示應該是
9 X) B3 E, {$ X2 B* H3 ]5 |Ic=Is*exp(Vbe/Vt)
Ic = collector current , Is = saturation current
怕我講的不清楚(功力不夠) 請詳看Smith bipolar章節
另外model 參數定義 可搜尋關鍵字
"hspice elements and device models manual "
有文件可下載 或上mosis找找
而lx0(node) 為Vbe, lx1(node)為vbc, lx2為Ic  lx3為Ib
& N6 k, s! z6 z' o" b. slv2為initial condition Vbe  lv3為initial condition Vce
想知道其他 lx lv 參數定義 可搜尋關鍵字 "hspice manual"
下載官方release 的文件(只是是舊版的)

leaf1989

我已經解決以上的問題了，謝謝大大。