通過大電流的MOS的畫法

fengxing9999

各位，通過大電流的功率級MOS的layout該如何處理呢?（350mA上下）
7 H* ^4 ~- U4 R8 V! [# Q, e  Y
1 d! H0 i' X# R3 t8 X9 \% l- G哪位有類似的layout可以參考嗎？

scy8080

同问功率管的layout?功率管采用何种版图？waffle or bent-gate? bent-gate版图怎么画？

lin.weite

Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
6 Z, J) w9 t1 |6 z" S4 BMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
# g4 [. O- w- |, }6 U. F如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

fengxing9999

原帖由 lin.weite 於 2009-6-10 11:46 PM 發表
Contact多打一點,一顆Contact大約可流過0.8mA
, c) G1 x+ B& a+ ZMetal加粗,每1um寬度大約1.2mA(以上為參考值,每家FAB不同)
如輸出接至PAD,則將Drain距離加大!

9 m! U! V! M: f8 S5 Z! d
這部分也了解一些，我主要的問題是MOS的結構，

查文章很多功率級的MOS都有什么網格柵，蛇形柵等畫法，這些都是怎么畫的啊？

sheu

大MOS分成多個小MOS, 並聯方式(multi-finger)連接,
3 d& `" E3 I+ B, I注意電流大小, 寄生電阻, Layout力求對稱.

愛情玉手

到底是對稱比較重要?
' t! D- t7 g$ Q' s4 K( ^/ p還是面積比較重要?
% L, f; D7 }; `6 S2 S/ k0 w或是電氣特性重要?
: o) e8 h5 a) ~! V3 N+ i- X: U還是看RD比較重要????????

garyinhk

同問，我也想知道bent-gate和waffle是怎樣的構圖~

daidai

"High Performance Low-Voltage Power MOSFETs with Hybrid Waffle Layout Structure in a 0.25μ Standard CMOS Process"
Yoo, A.; Chang, M.; Trescases, O.; Wai Tung Ng
$ ]% o$ D2 v7 @: N# ]% q+ m, E+ RPower Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International Symposium on
4 Z5 W# b. x( N9 t, _/ KDate: 18-22 May 2008,  Pages: 95 - 98