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[問題求助] 關於電阻的設計

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1#
發表於 2009-5-22 12:17:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在CMOS製程中1 z) t7 I9 G; [1 X. ~7 c
大致上可以知道說阻值等於sheet resistance*(L/W)1 M3 t. g2 L8 w! E4 X, |
不過我有個問題就是L跟W值的選取+ G6 S" \3 g5 v) N- X: Z
假設我要讓L/W=2
- t2 ?1 `% i! {0 e我可以有很多種選擇 像是2u/1u 4u/2u ...等
! C# W7 m2 q( u, ?$ g; m那請問一下這幾種選擇除了雜散電容造成的影響之外
5 h& L# u! l7 V9 C- {6 h還會有什麼影響
; ~4 g6 b0 P) X' m7 m, R; L* O謝謝指教
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2#
發表於 2009-5-22 15:30:16 | 只看該作者
Dear squirrel316,
! a" g8 s2 `) HBasicly, the W should big enought and has a low bond(usually 2u for above 0.35um).3 p: ~, h* h5 ~1 \+ D& G6 d
If you using too small scale like 1um, the accuracy will be very poor.3 w7 q3 l/ K9 \: l3 x/ `/ D
And it should be considered the eatch value.% R# n4 B' ?* c* e, B# [
As a reference, the foundry resistor test key, was measured by 10u/10u or larger.
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