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[問題求助] LC-VCO MOS選用問題

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1#
發表於 2009-3-21 23:46:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問大家8 n  j- |3 R6 f$ E4 }
一般做LC tank VCO時  : r. m6 Z! ]% m& j% r7 O, r
通常大家偏好以NMOS為主  還是PMOS呢???5 ?+ C9 m, C7 u" R+ b
$ z- O( V& C9 A7 l" y
雖然PMOS擋雜訊 比NMOS好
. V4 j" ]: f" K3 i) _想問phase noise真有改善很多嗎(假設都在同一條件下)8 j' Q/ t. f5 C" C$ b

$ ^  n# I' ^+ n想問有經驗的人
  A8 F9 a# Z. X% a5 P( d8 d: l在各方面trade off  後  ( i7 G( a. O" C4 P0 J! S3 o
喜好PMOS  還是NMOS當主要架構??   (小弟最近在研究QVCO)
' Y9 D  Q* C8 J+ }                                                   謝謝指教~  Orz
/ E! \$ r" h6 G$ t# i1 l' W! K0 p
[ 本帖最後由 apiapia 於 2009-3-21 11:54 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2009-3-24 14:57:39 | 只看該作者
为什么不用NMOS+PMOS交叉耦合的呢?
3#
發表於 2009-5-9 10:55:53 | 只看該作者
你可以參考IEEE3 j% ~! k/ h# h, W! f
A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章
. ]. d" u  [5 m6 t他有畫一張比較圖在1MHz時$ b$ g4 P6 A, v* U: f
Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).% V- z) T6 L# r, n
NMOS:看起來約為-115dBc/Hz7 o7 ]! M6 a; q1 m7 u
PMos:看起來約為-120dBc/Hz 較好一點
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