你可以參考IEEE3 j% ~! k/ h# h, W! f
A. Jerng and C. G. Sodini_The impact of device type and sizing on phase noise mechanisms的文章 . ]. d" u [5 m6 t他有畫一張比較圖在1MHz時$ b$ g4 P6 A, v* U: f
Phase noise:NMOS(20um/0.18um) versus PMOS(60um/0:18um).% V- z) T6 L# r, n
NMOS:看起來約為-115dBc/Hz7 o7 ]! M6 a; q1 m7 u
PMos:看起來約為-120dBc/Hz 較好一點