設為首頁收藏本站
開啟輔助訪問 切換到窄版

Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步，快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › how to choose the resistor value of gcnmos
返回列表 發新帖
查看: 6237|回復: 10
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] how to choose the resistor value of gcnmos

[複製鏈接]
scy8080
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-3-20 15:10:15 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.  p$ C3 V9 {6 ^: g/ v; C' p( m7 ]2 Q
5 W8 n7 y4 S4 R5 b0 s0 `
9 |' F+ k& s3 C" j
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
& k# c+ F9 e  J$ w  v$ B4 ]1 R! i8 X7 B# g' L9 M% O0 `
thx6 W( ~' S7 z0 ~8 ]( q6 c4 C

) a+ a. Y- `/ Y5 T0 r9 e* ~[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看，沒有帳號？申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂頂 踩踩 分享分享
回復

使用道具 舉報

2#
發表於 2008-3-20 17:45:04 | 只看該作者
Sorry my engilsh is bad, So i write chinese9 x% W# x& k2 C0 h
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
' O% w3 h( h0 c; ^+ v6 d4 R如果要用精準的話那建議採取poly電阻6 K5 i  l- b0 @5 [

. q2 L  i( b6 G, O8 w$ Q! {以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
" Q0 {; t1 h- T: k4 F% a以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r) Q& ?6 S9 H. s* ]* g
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
& Y4 Y: E" C3 L
4 m* t0 P; K5 r3 x* W. F參考看看囉~~
回復 支持 反對

使用道具 舉報

laurence
3#
發表於 2008-3-21 22:39:19 | 只看該作者
What do you want to know???
. N! e- b# U9 [' @; [GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..' r) z% s8 {  j; ^/ t' z; E8 Y
GCNMOS not look like your picture circuit...
6 F! f& N: i3 b$ kGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...4 `% z3 r* z# `/ Z' J  e0 O* R; Q, E
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.+ Y' ?; q% }+ W+ D( O
! G0 C) z. B' y" M* N
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...& ]( ?' I, ]2 N/ j. m3 d& t9 d" o
/ I8 I! X9 {. \
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.
回復 支持 反對

使用道具 舉報

4#
發表於 2008-4-12 01:01:28 | 只看該作者
How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
4 c( o3 B- C  M- P& ?Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
* B9 F/ F4 A8 _/ u3 _6 q- nWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp. 2 p+ K, @5 [. k5 o* p
Any idea to exchange?
回復 支持 反對

使用道具 舉報

cthsu1
5#
發表於 2008-9-8 23:17:17 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別& G4 c: X2 u7 ]9 D; D
大面積的話  GCNMOS 比較好; n; q( r4 u6 k3 [. v. A8 X! J, A0 r
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電
回復 支持 反對

使用道具 舉報

6#
發表於 2008-9-22 12:58:56 | 只看該作者
請問一下,關於GCNMOS ,4 X2 ^0 F0 [8 D/ d! k6 k
Power 會動的很厲害的話會漏電.* e/ b* Z& Y5 l5 U- I$ `
, o# B% N: a5 y3 B5 b( Z8 d, q! j
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??! d" _# \0 O7 T$ o% c$ g
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
" @1 w6 j+ q  T  F: l1 p6 r麻煩請解惑 ,謝謝
回復 支持 反對

使用道具 舉報

7#
發表於 2008-10-23 10:11:42 | 只看該作者
原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
5 u* @  |1 q7 J3 y, Z' g請問一下,關於GCNMOS ,) D' H) _/ e9 F" K+ ~" ~2 y
Power 會動的很厲害的話會漏電.! E9 W+ q; W2 ?9 I, J
) k2 v5 w: U8 g8 \0 ^3 Y
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
' c! \" t, Q0 a% z, O* t6 T0 E那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
7 T: o3 y4 k; k" J) D' k麻煩請解惑 ,謝謝

. i- ~6 N" C% X- H. q1 F0 d) t
+ E/ V7 O- n" Y, Z; S. x# b* X是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on
回復 支持 反對

使用道具 舉報

scy8080
8#
 樓主| 發表於 2008-12-4 17:40:45 | 只看該作者
原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
( ?6 u  h3 x* O. q. A  n5 O4 TWhat do you want to know???
* d) V3 G6 G& S$ I. m7 T, ZGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
: v% c* v9 }5 T: y$ e# Z0 t. v% V& T! hGCNMOS not look like your picture circuit...* y$ n; N* J! o; I
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...: U8 Q$ R: Z  \, ]; }2 [
Nor ...
, i# k2 L6 R7 l- K2 g

9 J0 f- k! M/ X) M不知道你使用的是什么工艺？5 U4 Y1 @1 Z5 X9 g) L# q! D7 W; M
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
4 C. Z2 m" k; [: p& g7 o
' U9 _3 B7 E! j% h是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？
回復 支持 反對

使用道具 舉報

9#
發表於 2008-12-4 20:49:44 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
! l$ z. \: z/ b6 f& L3 @& n3 b. t) ^0 A( v8 _
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

wph123
10#
發表於 2009-3-24 01:50:19 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
回復 支持 反對

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-29 02:16 AM , Processed in 0.126516 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表