how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.


! d+ T* Q  H2 N- V0 Tin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

2 q2 I$ J  b& _thx
6 o3 z9 d7 s4 B0 G  z. d
3 `+ y* Y/ u* ^! j[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
8 t4 J7 E7 |3 f: ^5 j+ K一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
/ v! R; {5 z! }9 Y- e如果要用精準的話那建議採取poly電阻

9 s+ W4 C7 [' [; L; @. x8 A以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
2 P8 f; `! n/ l9 G- n  K以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
7 e9 N7 e* z9 @/ G1 {  s6 i
參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
+ n) r* G# [7 J) L: m9 a4 s  `8 mGCNMOS not look like your picture circuit...
- i6 b% p8 Q8 _- N. Z! t* _: HGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
( j9 q* ?4 n; t3 v- \0 ?Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

6 R& |. a- e& O; S, B  S. B5 bBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
, ]  r0 A! B5 W, J1 u0 r" ~4 D大面積的話  GCNMOS 比較好
2 z# S: F' `1 U2 Y7 i但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.
8 H4 e& i7 W! H- [, `% B! h
* _4 K: k- t( u& l) ]是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
3 l/ ~! \  e5 ^% @麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
4 r# Q' j" V% T! h' f請問一下,關於GCNMOS ,
$ }/ B1 C0 _7 y; K1 UPower 會動的很厲害的話會漏電.

4 u1 i1 l" ~/ d; k' o* H是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
5 s. a# ^0 E7 }/ u* l5 @: x那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
& ^* A) a& }+ CGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

5 c( ~: z& m6 a, A% F4 S不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
$ p" S0 n0 o. n: Z
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
$ W: `7 \" a4 f: z8 q1 m
$ Y7 X# c# z5 f5 Z延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！