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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
. b: E3 p  E, H# l" ?% a# W. \2 o  e' S7 X
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,* p3 Q' o$ M# Q9 h# W" i) d( F

* S/ D1 h! M+ B: Q( n" b( kNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
  Q6 K' d# B) |1 t7 F$ m2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

5 @$ I4 D  H2 O; A# r- O- d% n5 i. r( P$ R* ~% C1 s! B( V9 V6 H
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
% Q. u$ W* Y$ X  M7 ^/ B標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
4 T7 p" @0 z/ s0 @. e1 @1 {4 n; }輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
" P! A0 S1 Y8 ~; E6 N4 G- M& [在理想的switch中,輸出訊號正常。. ]  l4 y' H( r
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。( p- Z/ m" [; J6 e, n1 N
取樣電容大概=400f F左右。* e! N2 T( d, |1 c2 V8 N
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
- p* ^/ p5 c3 e% c2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato ) U/ P: t# B; B6 D8 j

3 t- Z& \4 b9 A- S; L; l2 d0 f6 Y1 N, y& g: W* h; M
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
7 @! _* W# r7 b1 [2 d
# n+ c& T4 z2 ^; e! ^3 W先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖  y" E% [% S6 O( K
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
, a  {! d% u5 W& B' e9 ^4 Q9 G所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值& Y2 k& ~6 ~/ d, @$ \
列成一個表
0 U, ]# d5 m* J5 g  A之後看表拿進去套用即可
; L3 d  u- p$ n  I4 ~/ B& s7 {此外此電路SH電容不大
$ D/ O6 r" t. @$ [會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
. ~3 g9 S5 q- ^. M) J0 [: f# e  y7 X/ o( B4 E) {
7 {' C4 @0 U2 Z2 G2 Y1 T
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
& o# W  _' w( H. K1 o  d由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,! o8 H! Z" y; h" Q- ]5 z4 |
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
: ^; o  j4 o; F3 _4 x4 V. I4 J! ^一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!& i% \5 |" U7 K' c
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
: E2 ?7 `4 E! t建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??) x, p9 S" u+ `2 a) D
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,( Y) W8 n2 A. M& H  _% h9 G7 e
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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