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刚刚图片不能显示,现在重发一下,图片在附件里.在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源,如下圖所示
2 D- S/ B8 C; _( K2 C/ Z K$ @: v% n2 Z/ r3 q" \8 D6 b
4 \- s) D' x% Q6 ~6 e6 ]" K
其中M1 M3是高Vth管子,工作在亞閾值區,其他管子均工作在飽和區。現在的問題是,電源電壓穩定性(LNR)很差,前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时,输出Vref变化10mV左右,而论文的测试结果是,Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。" T7 ~ y |/ ]9 w1 z9 G
我所有的管子在我关注的范围内(電源電壓0.8V∼2V)都是工作在饱和区的(有两个必须在亚阈值区,但Vds均保证大于4×VT),我所有的管子的L均取10um,除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm,也是为了降低vth和宽长比,这样就有了W/L=250n/10u这样的倒比管,不知道有没什么问题。。。。另外,由于我的电流取得很小(两个支路是26nA左右),不知道leakage的影响是不是很大?似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数,这个基准电压源结构是全MOS管实现的,无电阻无电容无BJT,总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺,0 ]3 _1 X e; B% e, P, h# r% @- r
M1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv* O: V1 _1 ^( J' I9 L
M2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv$ b/ e- q( k7 F! Y. R
M3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv
& p" f m0 _- Z- o0 yM4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv
2 o7 L: l& q. S$ w6 |( LM5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
1 j7 d* D0 Z( |; cM6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv' S6 S+ }) x0 ~! y5 `4 V
M7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
4 |$ M" U# a# K. g8 W2 @. d# m6 fM8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv8 V$ x+ H5 l0 w: k
M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
" B7 L) b `/ N+ z5 |# CM10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv
$ R* c' N* T5 vVgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV- V& H9 D0 t$ O; g4 q& B7 S: l( m. d
痲煩各位大大給點建議,怎樣纔能提高LNR。謝謝!$ \- t. B2 u8 {0 ?/ j F8 c. j
! s( ?3 R- h7 Q. h[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-12 11:29 AM 編輯 ] |
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