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刚刚图片不能显示,现在重发一下,图片在附件里.在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源,如下圖所示
. G& ^! y/ P( e/ V+ {5 j6 E% w6 _- {/ K. d
, c( b( b. W2 L/ L* U% c4 G& s其中M1 M3是高Vth管子,工作在亞閾值區,其他管子均工作在飽和區。現在的問題是,電源電壓穩定性(LNR)很差,前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时,输出Vref变化10mV左右,而论文的测试结果是,Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。
8 X1 ^6 h! D4 S& l# t我所有的管子在我关注的范围内(電源電壓0.8V∼2V)都是工作在饱和区的(有两个必须在亚阈值区,但Vds均保证大于4×VT),我所有的管子的L均取10um,除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm,也是为了降低vth和宽长比,这样就有了W/L=250n/10u这样的倒比管,不知道有没什么问题。。。。另外,由于我的电流取得很小(两个支路是26nA左右),不知道leakage的影响是不是很大?似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数,这个基准电压源结构是全MOS管实现的,无电阻无电容无BJT,总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺,9 h6 W4 u7 c; D% G5 D2 W+ B6 k
M1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv
2 s& B r- A _0 M, L% k- ^M2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv
+ u* D# B' D: I" eM3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv
- J! q E7 n5 n/ EM4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv8 {- x6 q! p3 D+ G& `
M5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv8 I5 f- @& u8 G: \
M6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv
1 P8 D" X4 G. i- D! FM7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
1 O# q8 g& {! g9 [; P% QM8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv' g' C) l" l5 A$ {+ t& T
M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
6 R, w+ S9 R; w, W6 eM10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv
1 K0 u% M4 M9 a* w7 WVgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV
k6 j6 j0 D3 s$ q: M痲煩各位大大給點建議,怎樣纔能提高LNR。謝謝!/ t5 f2 f% [" ]1 S: z
( A( C8 U8 Z, v' R; Z0 J3 C[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-12 11:29 AM 編輯 ] |
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