spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
" b5 f% y' |- a5 K要如何描述
; F( b! P* O) ?5 f例如
一般 的MOS
+ F4 o5 I) t7 t4 J6 KM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

LDD MOS
$ p  Z8 v( h# H# u8 DM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些

才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

qetuo852

不好意思...我想請問一下
8 U6 _# R9 O; E6 ~7 q! s8 m大大你是在問問題 還是 分享??
+ m5 i% v" ~4 s+ F+ f5 i2 @& V
9 Y% V3 j0 w3 Z假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??
$ k2 s( ^0 ?" g
一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
8 a; U8 c. @0 r
3 i; [2 `& w* DLDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些
2 V( ]# C/ n1 b4 f0 I8 S
還是...??
" z/ ^7 y; S9 b# P7 S' F
" x8 |$ p. x+ P! b如有錯誤..請糾正一下~
3 w1 r1 g& P' uㄧ起分享學習，希望有幫助到
謝謝

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
不好意思...我想請問一下
大大你是在問問題 還是 分享??
  p% [- s1 E' h
( e7 V7 Z% p& v. R假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

  e9 M# f2 h- q" T" K( Z一般 的MOS
  Q- W/ o; v( `M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
$ S: E) t8 V) b, t
LDD MOS
0 C9 R( i( c- F# G0 A  L: uM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

0 T% A- q. Y$ l. w! K/ r5 S$ {  y  o" m
這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
7 @- ^; _: ?. v+ u# ILDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

一般 的MOS
$ H% g- S1 I+ |9 LM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS
3 q$ N- d7 P) }; J+ U* Q
' [7 k, k% d3 V. a' b- dLDD MOS
M1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
( w  B" ]: O6 i+ j& h我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

  O" K$ q  M+ E你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
2 z4 |" j( s" v: n8 W4 h9 V5 W% r0 U旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告

0 d6 T9 r; F' t1 K+ Q1 n[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表
1 w5 w, W6 n+ H4 Y* i! n, f
( Z! |4 l/ {4 q9 b你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
* v: g: U, m4 _/ S) B這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
$ z8 ^; h  ?, j( ]- A6 B  o6 N& GNA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

+ [/ e3 h6 L$ b2 ?0 w1 H試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
就可以認到LDDMOS
謝謝大大的幫忙

moneling

更正上一則的回覆~
" ^/ S' c2 k% _6 }6 ~剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
  |8 M% [0 ]5 Y: V% @請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^

8 m4 \3 b! s7 N1. 需要在 spi 檔內加入  
*.LDD
5 Q" h3 N7 E4 G5 V
2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
8 r* D& e9 d$ C) y5 \2 Fex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u
( k8 J& C- S! a3 g* W' \& L
3. lvs command file 裡也要做改變
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)

LVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
! m* F5 x' v& s$ W; H; H& W. _DEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)
  U* N7 ^  b( c& s/ ]' @
4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
6 l- B2 K  o+ p+ Q: \& [- C  ==> 通常使用在非對稱 MOS
0 ]6 ?2 L$ m5 Z& a6 i  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件