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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯 ! c  `0 P- x. ~( F
) l1 W4 B* a5 h& o
各位先進大家好1 _/ P3 E7 p; a( V# H& \
* N# Q  H+ q4 R' q7 P
小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
6 F, e6 r& o7 \1 o! a( X1 e( n/ F3 ?6 L
其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
6 U- L: B& k: z2 X4 G4 y9 g$ {7 {, c
01.
& |. B% [4 k* ^! p7 N: S* a6 I. `3 g8 y$ P" @0 e( X
架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?
" @/ ]% l+ C3 r% I' d( `1 M4 }
5 @1 f; J6 R' b) y. a3 Z: I( g* E" m7 D  R, m! e" O
02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示
$ u6 l& {( |8 i: W9 t
+ ^" R* _, ]: r* \/ b
5 N5 {0 M7 G! l我照著教學中的圖選用: O9 \0 f* Z% o$ G& ], r

7 h, w& [8 ?, C' V( BTSMC_CM018RF_RES_RF
1 Q/ U. G. m- H# YType=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)) t5 d% q$ \/ W9 L# v
w=2 um
* M+ l" U7 Z0 Q8 J6 Rl=10 um4 c7 U. y+ i  J) G; V! n
R=5626.13 Ohm# i/ Q% |6 p  W/ n* W3 y3 }

0 w2 d, y6 D" o8 g5 D但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?
4 K/ w( x- ]: c3 k7 x& P9 M" T, k! U: I
03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。, ?, p, W% H; z. X! `( p3 |

1 ^+ d2 ~% n' ]6 B! g以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!3 g  k' w) S8 e% y) A

7 d3 ]& \% o- Q6 y$ I教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!
* X/ T0 `# R6 d9 R6 r+ C我的V8.1版,有註明* |, [3 o. z; y  Y2 w: ]
Type=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
% c( M; V3 Z- B9 P9 ^6 C/ C8 s$ {最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,$ z1 l: i- u' z/ h) k9 X
改為W=1,L=4.77,
( U) _/ f4 }2 u* E' X! e7 ~% ^會有最接近的值R=5628.28ohm。
9 Y5 d2 B% [$ x. A  v/ {也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題! I0 \& A, |" [& E3 E# }; J7 A
1 e7 @( L7 V6 g7 I; h* Q
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
& C$ L8 N& M7 U! I7 r+ |/ Y& U* }% k0 f3 j0 I
我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說$ v3 X- }5 G& @5 k+ F

2 t& z, J6 z. \- f/ D$ f我的公式是這樣打的:7 S) |, [" j% Q4 C; `/ E
L=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:, i# N) m/ b( m% s# N
Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9
% b0 Q" ]7 J: I2 m% Z5 A" I1 `你應該還會用到Q值的計算:& W$ e4 k/ h  I1 C
Q1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
- j/ {: x# X8 h2 ?) X2 i6 S
! o" p3 J0 i5 M6 S0 }, i$ F. i2 ]其中,因為會用到Z參數,
* B* l' O. y/ O8 {) C記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,
4 `, f& n6 I. V# J) \4 I8 S5 H9 U把z-parematers打勾。1 X% n" }( h; ~1 h
以上,就可以了。! f; ?+ u& h' P5 ^! x9 o* L8 v
請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!
3 V4 o  d/ @, O
/ H0 y/ H9 _8 l  b不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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