在記憶體、電晶體以及製程方面的突破有助於消費性電子元件的進展
- B" G: n: ^8 N3 z" z/ i" ]恩智浦半導體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創建的獨立半導體公司)與台灣積體電路製造股份有限公司今(12)日表示,兩家公司於美國華盛頓特區(Washington D.C.)舉行的國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting,IEDM)中共同發表七篇論文,報告雙方透過恩智浦半導體-台積公司研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作所締造的半導體技術及製程方面的創新。
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在大會中,NXP-TSMC Research Center發表了創新的嵌入式記憶體技術,這與傳統的非揮發性記憶體相較,速度最多可以快上1000倍,同時也具備小尺寸及低耗電量等優勢,預估耗電量較目前的記憶體至少小十分之一,製造成本也比一般的嵌入式記憶體節省百分之五到十。此外,在使用近距離通訊技術(NFC,Near Field Communication)進行行動付款或資料傳輸時,此一技術有助於避免資料干擾及增加資料傳輸的安全性。, r- y2 r' E; |, a; k
6 E, X7 }3 c+ H% W1 o$ n另一個論文發表的是置換傳統石英震盪器的創新突破,此一技術可以在晶片中內建更小及更薄的計時器,而可以直接在智慧卡或行動電話SIM卡晶片上內建計時器,可以進一步強化卡片的加密保護功能。
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7 Z6 F4 I- F a) J4 \8 z此外,NXP-TSMC Research Center也將發表在電晶體上的創新突破,報告新一代電晶體的效能以及其在多種不同的應用。
. T# E' a, M: S' {5 R$ l! aNXP-TSMC Research Center 於IEDM所發表的七篇論文其創新突破簡介如下: h# N# C' J# ]$ `
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․提高電晶體頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial , {8 l9 m% |1 x' b. g8 O, Y; y
collector-base process
5 B$ L! L- Z0 O․簡化行動產品應用的低耗電量CMOS製程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning % _4 E" s) W2 [# d9 k4 s6 B
PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer0 w- m) R5 b: T, p7 a
․新世代電晶體 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack; }: ~6 M3 z5 |; L; c- Q
․展現CMOS高效能製程新里程碑 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, : ~: K: Z/ L+ w1 P) T! e. e# ~8 l3 t
TaC-based Metals and Laser-only Anneal
- @: t. `' Y# X- V․創新的電路設計,大幅降低耗電量百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of 5 b6 }4 `% V* H7 V
low operational power CMOS devices
) A( C4 B( m' g9 ^! O+ q0 f& M․更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式記憶體 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric
: t% l c7 x9 ~) h Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells
" D' K7 y' p3 j1 @: c5 t% w6 P․石英震盪器技術突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator |