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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
+ d& I" p+ {0 z& Y7 `! q9 f不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source, . M4 ^: w! k0 i. B: `) f
不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
- v0 ]2 n0 i% R& C: @關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
, @5 \# i. w% {. R* N5 ~# A4 v* Q基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ/ k3 `/ U, q. O* U# _
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的   l" J- E- b+ D; l0 ~% w
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
% }+ @- B2 k% B6 c5 J5 w電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
4 \3 m# A9 [" r: Z& G4 c6 l6 ^6 [& {- Y8 o
打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 4 ?6 e3 {0 Q- c
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, 2 h' L2 p. w1 g4 @+ `
' L. e; u8 v1 M% g4 A
要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度   e9 |% @0 v0 V; I# S5 T0 `, {3 e
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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