VOLTAGE REFERENCES

jerryhuang23

請問一下
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
3 k  S; f9 T$ c* q1 c" v運算放大器就使用Folded cascode op
- r- H6 }3 v2 c/ v, r# g
% S" `- R( R* H# \/ P我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
+ _9 h% J/ y" f2 T! V
還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?

另外想再問一下
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)
6 O% x8 b! c( _, e* _+ W; A請問這幾種有什麼差別呢
  {) ^& _0 n+ V4 ~9 {* l' V小聲問(ppm是什麼的單位)
謝謝各位了

et2234

A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
' Z5 B9 F* p% k/ X( @- D5 a1999 JSCC
看一下這篇論文吧

monkeybad

VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
2 }0 K, K; E* q  S) C) P7 j
PPM是指百萬分之一
6 Y8 J# Q8 Y; u, B: ]
4 S6 ?' d) L. s. h/ x) T, S2 H9 yTT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
$ D# U6 m! @1 N6 L& k6 X# p2 Y快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作