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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18  |- E( w4 X. k7 \, j* n
# N2 X# l" U6 s* u3 u( L+ ?
---RUN DRC----------
$ w7 h; Y! r7 O出現error# k4 F/ F2 Y% l" h  `2 x6 m% \
  b( F$ g7 G" i: _' K
1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
. P7 B. C5 a# r5 L& T(OD WITHOUT IMPLANT)
& x" c6 ^+ ]- f( @& @+ b  E& ]0 q
5 E$ O4 i( b5 v; ~0 V2.CHECK M1.E.2- 8 errors
4 @$ n3 t& Z, f- g% S: N- j" IM1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
, u% w' ~5 P, j- [9 RC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite
- D- y" E$ _* A1 NINT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
  S  z4 Z2 D* x) O( \* g0 \8 d; y4 p: Z& f# v- p1 |6 r* N% f+ [, v1 Z
3.CHECK P0.R.3 -1 errors' _4 h  v1 d4 G, r  l4 s. t
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)
' c; k+ [4 h1 ?/ H, I5 E4 I8 m: `( WCHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY
& F5 f& u) O& gDensity polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print9 [! G( Z+ k9 r/ |# c( M
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
  s( S" A8 F4 S5 T.
6 U; ~% h: t/ s- A( y! ]$ Y.
1 B0 x& d( m4 s, n) ?1 f: y5 F: _.
. _! P& Z5 E4 L, P類似錯誤
" W# G( I+ ?; @( m
2 d3 B# w* S# ]) z2 n1 c' v3 b& B' J5 m

4 H5 d5 B' G# M/ |: _" W  D
2 s# P+ G" {! f1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,: M3 c/ N' H( Z7 Q; h
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?  a5 ^( J& y0 \* y. E
ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
6 @+ q. j; j/ T6 p9 I5 Q6 p2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
/ N  o- r) t; @1 w* f0 I都是憑經驗) b+ Y0 e+ ]' U. i* H& B3 L
3 \3 y4 B' |, {7 [
初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant5 \6 f; b0 F- n% _
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
$ c$ j  ~: g; C& Y4 L1 X3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
) z7 Q5 M& \+ i* H我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程. ]. E! X6 h  I/ `! d

9 U  X+ j1 X9 s; f: D7 u這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
/ G9 Q7 w7 Y% A/ C9 T( Q3 i$ s0 K第三個coverage 可以忽略6 N& v3 S0 p1 W+ L+ k" I( c
要下線時再解決即可4 |, M1 Q0 P8 f4 z& m, x
: S8 G4 M# N! f, Y# ^
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
) w8 l( ~/ p% q+ V- K6 I應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
0 y  Y1 A% ?2 f; T% d; d感覺您mos是自己建的?
  O$ H1 H% i$ N& [$ _- I  d第三個coverage 可以忽略# M; k7 u: t6 F7 v
要下線時再解決即可, m4 y' N& |0 J4 H7 u& K
7 z  y$ c9 D2 J9 I3 a& B! Y
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
. U0 H" Y; Y9 a1 ~8 e# r7 H應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

* h4 I/ I* R1 A8 ^. o% \/ e5 q
3 j6 v7 @( F; J7 f6 s+ H1 E$ w
! M0 l% N  M. j% B. q- \+ n3 [mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣& k% }5 M9 {3 y& W6 F! f- r# h
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um
$ S! b1 b+ Y$ X% M9 Z' h感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um2 q) s3 F; S3 P: X) K
=============================================
: d5 _5 v1 Q- D今天cic 有開放線上e-learning/ M; {9 h) A* L' e3 h7 O
趕快詢問您們lab的管理員
$ e5 Z) b6 S: z  V" A看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)
8 Z" F, W, P: `- ~6 ?裡面有教laker、full custom design concept4 T& @2 ~4 ^- M( l0 G* G; r; a) m
亦有hspice,都有一些不錯的技巧
/ m, Q% u3 }9 p* \要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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