用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
- i! a  ^3 L* v6 G) S; f. p$ }% p% |因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
$ y; P% J% m4 J/ |5 H5 @
* ]7 J8 I4 I' K, |. x感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
/ W% S( d+ u3 ~; W) [5 p: z& W但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
. J+ I( s) X# p; G4 T可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
" [4 i9 D1 `/ L; M+ R5 t8 p; X也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
+ p! o( j0 d. r2 D, H* J6 i+ {- n使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
9 S4 |% ]- _$ Z$ j' ^6 V1 |.dc vin 0 5 0.1
....
; \* e) a$ C/ C$ `0 c1 y.....
.......
; I8 z# c& F2 ]; m, Y9 p: n0 v.end
3 f. T! h+ g1 O0 [# o6 V# \然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
+ a/ _& p/ U8 _0 U0 G如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
; S; p+ j8 d: h# y2 U$ e6 ?2 k
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值