用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
% B7 k. [$ ]( z5 g請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
% H8 c% z# V  f% _6 a因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
2 x2 z( b; _5 K/ J5 p" K) M" Hoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
' E, L6 f% l4 L& f- O! o1 [但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
: l6 P4 h- k2 q1 E使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

! T, G+ _, ^- W6 ^( W, t2 B哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
( B  q9 G! H4 N7 x7 b.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
- P( g% t. G1 ]' ?....
3 G5 r8 G& f1 V7 D8 F; o8 |9 k& A.....
.......
$ r, q( |5 A/ a0 K.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
% ^8 ~  a( Q" y) n2 o1 Z9 p  L
0 c8 V8 z  J0 w% ^( D; X' u對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
% y1 Q+ p  v0 J/ H  z# q  ~而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
1 x: b% X4 B7 ~. w) s
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值