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2#
樓主 |
發表於 2021-9-26 20:14:03
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RC ckt$ o9 m$ _7 t/ `8 ?; B x( u3 T
R=60k ohm & C=1p F
Q# m; R5 m& C) L3 TBW=2.65M4 g$ w0 s& L3 i0 I
----
( V0 ?1 I5 v6 |; ^1 D$ n1 dNMOS common source0 g0 Q( b' Z+ w6 D6 d+ x5 b6 U
Mn1 vout vin vss vss w=1u l=0.18u m=1
( ]/ E" u7 b) p, L: ~Mp1 vout vbias vdd vdd w=3.34u l=0.18u m=1
- s& E v0 |/ x* ?6 ]Cout vout vss 400f
# c8 c) q7 p3 v# g: E6 IBW=17M Hz @Vout=0.9% k% W6 U- B/ R( t
----& }" ~) Q+ f! U; A
ac noise的模擬條件+ r% B! M9 j/ I6 B6 G" w7 U
.ac dec 10 1 1g% T( X) n; M4 i# O
.noise v(vout) vin 1& {4 C" U) [% S, e& M2 X, {7 t5 ~2 S
------
4 z/ C( R0 D1 I, X2 E6 A2 f5 [.trannoise的模擬條件
. l0 x6 K6 D* w! Z {- `.tran 1n 3u. `6 Y' p% `3 B- C- P
.trannoise V(vout) SEED=2 SAMPLES=512 FMIN=1 FMAX=1g |
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