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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
' _) K/ M; i4 E0 c2 w7 f+ f9 i: O/ F& }
% P/ |: d" u/ p8 c: w, R4 Q
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
8 v9 }8 {1 c2 i2 T! a查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。0 P' G7 A7 k- j7 U! J+ _+ W7 V
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、0 P9 c* g5 g0 c
迷惑中....! d( {( G# g% c
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?7 c' a3 `0 B8 y" q% o( U0 u  c
* v% F$ I+ {0 D+ L: z4 ?

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?# U( @5 B3 ~1 n
2 W& _8 R- E4 n3 G
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
3 u  t7 N0 Y6 m$ ]7 _" p有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,5 [2 B- E! O5 |0 T- R
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,4 s# F# O9 r" ^
這也是現實上要考量的. 8 P* ]7 S: ~3 w% c$ ?: `$ V
3 R8 ]0 e/ y4 W, Z+ Q
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe+ C& J: c9 e/ V) c% |  N
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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