mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

lion小海

mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

lion小海

这上面人很少呀？没人发表下意见、、

andrewxj

http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

lion小海

回復 3# andrewxj
  |/ s. q; K, m% d% B7 s
) Z) E1 b- h  j: s3 |/ @" _7 E+ @
3 y5 @3 u! |1 |; c' X& r  q    谢谢。。。

despair

熟悉ESD也是Layout的基礎。

; n0 D$ T$ {- x. t7 x) NMOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
7 t' I3 g$ x. C這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因

, ]% c* j+ v. ]) b& S除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
4 N- X1 Y" Q* v8 D& @5 {讓耐受ESD的效果更好

2 u- l6 |/ B* l4 z這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
有機會大家可以多交流。