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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 關於高壓NDD
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[問題求助] 關於高壓NDD

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1#
發表於 2011-6-12 15:31:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常高壓元件MOS  
0 q9 h) u9 m* E+ U會打DRAIN NDD的原因是因為要跟SOURE隔離嗎?
( i$ X7 L& m( H; D! g3 s4 t: a
( I- t7 J+ B8 J* u6 q6 x/ j/ r, y還是有特別的意思?
# X' f* W6 N/ j! ~6 W% k6 e& u" B2 z: R& o3 b" K, o
. |8 b* j' [/ }2 z% F" h5 k
請各位大大幫我解答一下好嗎?
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2#
發表於 2011-6-15 13:48:58 | 只看該作者
NDD  这一层是为了增大高压器件drain端的耐压做的，用的是N型的注入，注入的浓度比Nplus低，但是比Nplus的结伸深
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