高壓製程

b0917353006cool

請問大大，我現在想學關於高壓製程Layout
那我對高壓製程的構造不是很了解，可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?

sleon1662

感謝大大無私的分享啊

感謝感謝~~~~~~~

fish1121

咦!!~~~我只有看到問題
有分享任何資訊嗎?!
1 x8 ?- T1 T) m; \: V% n小女無材
5 Z7 A( t% t# k( k- i5 K看不懂勒

calton

我勒个去，同没看到材料，为毛会有人感谢大大。

bobo lin

我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?

bernie820

我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧
4 T9 T+ p+ r+ A0 S
( e: }- H& j. M- t; d9 S  C7 X# K這就是所謂的國王的答案嗎??XD

CHIP321

請問大大，我現在想學關於高壓製程Layout
% n* U- s  g# d3 E; B+ Q. I5 X) M% T那我對高壓製程的構造不是很了解，可以介紹網站或資料給我做參考 ...
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

% h1 |# U) J! j2 B* f個人淺見，分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
1：首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
; g! V7 Q% @2 ]/ Y/ A+ X   不同的廠家，會有不同的定義，在深亞微米中，可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。
% t3 f5 b) f/ ~; U! m  f9 z* I4 P0 }   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
    LV
    VbrDS<5V
      MV
     15V<VbrDS<25V
      HV
' D6 F( f* p' ?# M     30 <VbrDS<45V
' g' M/ }& h. E* Z! r) V     45<VbrDS<80V
     UHV
     80<VbrDS<120V
     500V<VbrDS
3 Y' r- g; H, ^8 [  j' U0 m     800V<VbrDS
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分，這種狀況與製成本身的發展，產品系列兼容，甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力，電機產品有一定關係。
9 P7 W: I6 ~$ q. e% A6 ]
2：此後，可以按照自己學習興趣與工作需求，選取制定學習計劃
& _( z6 Z) `' q& W. D4 m' Z   並理解器件的物理和電學特性
4 U: o! O9 |1 A/ }5 [2 p" f   這樣做是必須的，好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤，才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。
   一些圖書是必須的，製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少，特別強調下，在30V以上時，最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
   如果涉及到80V左右的應用，尤其需要謹慎，因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的，HVI可能會帶來leakage current的問題，一定要與廠家做好細緻溝通，並在Pre-tapout前作好Review。
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用，這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異，HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案，
: w# s$ B, T" C' w3 v% m   IR，摩托等等公司也產生了很多專利 ，讓人感嘆設計師的創造力之強 。
- v& j# s1 P" h- E   理論的學習，
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》，這是一部相當老的圖書，出版于幾十年前，但是對基本結構，如場板，終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
   原書已經絕版，好在資料可以到網路上搜索到。

4 ]6 H5 E" L/ b6 L' T9 P3：實踐
; z$ `) w- L( l7 S0 j   檢索了目前大多數的論文與報告，並不令人滿意。在這個工程領域，主要的技術應當是各個廠家。
- z. h$ k# j# ^   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發，可能主要的目標是指向對新能源產品的支持，可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line，這些規則大部分對其他產品設計依然有
. d/ @7 J7 X# z/ O, X0 M0 I   參考的作用。此外 X-FAB，AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位，結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購，可能會在合作中產生一定障礙。
/ j( |- q0 Y& h   特別提一下新竹的EPISL，應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一，EPI是HVDevice的關鍵之一，或許是EPISL的最大優勢。當然，還有極低的價格。
9 H5 N: o) z2 K2 }
4：Reverse engineering
* t( y8 i1 ~1 m) w. Z1 P    對於新的公司新的設計，是個可選，當然僅限與佈圖參考，如果完全依賴，那就驚險了。

5 y2 ~, U* b/ B- `淺見，歡迎拍塼！

bobobelieve

楼上有爱，又学到东西啦！

spiritpillar

感謝大大這樣熱情分享資訊,

stephen_jjh

大家都是不明真相的围观群众啊

liu.leon

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