如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi
. S+ c" _. F  E
$ ]) t7 Q, H; m7 ~(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
+ |' Y. T2 O- x: R  g( ELV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL
  d5 a2 p, w9 O2 ~
(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，
( U6 |7 c& G  a' N7 U
/ S- _6 Q% v$ c1 k如果沒錯的話，以小弟的猜測，
' P- h6 U8 L, \9 H. N+ ^
你有可能把電路整個都是用類比的訊號，

類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
  V8 a$ |6 p- n  Z, F( K. h% W( p2 Z
, J, j2 s8 t! _% z! U: E( L( cLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
9 o$ I9 Z8 |  O8 E
LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
3 @. S% M( ]! n* c另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
才有辦法了解原因為何
. C( y: p: R( N& M( {
若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
" }- V  \' T0 @( J) c. b! B檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。