ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
! w$ c8 D  o- U) k  Q1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
6 k8 ~  U- W) p失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
$ X, i; k$ h0 }: I1. 請問製程為何?
) c$ N* w6 @9 r) e' t2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
& O  E$ Z# \3 B4 I. f) Iklim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
$ b: O& n7 u* J; _6 c1 L& z0 ^ tsmc 0.18um

9 U/ v6 A9 w! ?% ~8 I% u' k" a4 d2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
* {  _0 S. `' I) i' u两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
6 z" J" \+ M2 x  R! h+ x
# i) u( t: q: {8 g' F, T- s) U3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
均勻是指什麼
6 T. X8 y6 f4 \1 k$ U9 i方便貼圖上來嗎